尾身 博雄 | 日本電信電話株式会社物性科学基礎研究所
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概要
関連著者
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尾身 博雄
日本電信電話株式会社物性科学基礎研究所
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大見 俊一郎
東京工業大学
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大見 俊一郎
東京工業大学・総合理工学研究科
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本間 芳和
東京理科大学
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山崎 崇
ソニー株式会社
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荻野 俊郎
横国大
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荻野 俊郎
横浜国立大学大学院工学研究院
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本間 芳和
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
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室田 淳一
東北大学電気通信研究所
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住友 弘二
Ntt物性科学基礎研究所
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本間 芳和
東理大
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櫻庭 政夫
東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設
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盛田 伸也
東京工業大学総合理工学研究科
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本間 芳和
日本電信電話株式会社 Ntt物性科学基礎研究所
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室田 淳一
東北大学
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室田 淳一
東北大学 電気通信研究所
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櫻庭 政夫
東北大学
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山崎 崇
東京工業大学総合理工学研究科
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大理 洋征龍
東京工業大学総合理工学研究科
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酒井 徹志
東京工業大学総合理工学研究科
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住友 弘二
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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荻野 俊郎
日本電信電話(株)
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尾身 博雄
NTT物性科学基礎研究所
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酒井 徹志
東京工業大学 大学院総合理工学研究科 物理電子システム創造専攻
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大見 俊一郎
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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小林 慶裕
阪大
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張 朝暉
北京大学
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日比野 浩樹
Ntt物性科学基礎研究所
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日比野 浩樹
Ntt 物性科学基礎研究所
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小林 慶裕
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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Prabhakaran Kuniyil
日本電信電話(株)
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日比野 浩樹
日本電信電話(株)
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BOTTOMLEY David
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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ZHANG Zhaohui
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
著作論文
- 極薄SOI層と素子間分離領域の形成を一体化する新技術 : SBSI : SiGe選択エッチング特性の硝酸濃度依存性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 極薄SOI層と素子間分離領域の形成を一体化する新技術 : SBSI : SiGe選択エッチング特性の硝酸濃度依存性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 自己組織化によるSiナノ構造のウェ-ハスケ-ル制御
- 表面・界面歪の制御によるナノ構造の自己組織化