WF_6-SiH_4系によるSi表面でのW低温選択成長の初期過程

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概要

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基板加熱型高清浄減圧CVD装置を用いて、WF_6-SiH_4系による約l00℃でのW膜の低温選択成長を調べた。成膜前熱処理によりW膜が成長するが、その成長遅れはSi表面の終端水素量が少ないほど短いことがわかった。また、W膜が成長開始する以前にW核が発生・成長し、Si表面の終端水素量が少ないほどW核密度は高く、W核の平均直径は小さかった。さらに、W核発生以前にもW原子はSi表面に吸着し、その吸着速度はSi表面の終端水素が少ないほど高かった。以上のことから、Si表面の終端水素脱離がW原子の吸着を促進し、ある量のW原子が吸着した後、W核発生し、W膜の成長が開始すると考えられる。
社団法人電子情報通信学会の論文
1999-09-27

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