コールドサセプタを用いた高速選択タングステンCVDプロセス

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概要

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ULSI製造の為の配線形成プロセスにおいて、従来技術では段差被覆性の欠如から微細な構造への信頼性の高い配線形成が困難であった。選択タングステンCVDは穴埋め特性に優れ、信頼性の高い配線形成が可能である。しかし、安定して高い選択性を維持することが困難であり、実用化への課題となっていた。本研究では、コールドサセプタを用いた選択CVD装置を開発することによって、高い選択性を維持したまま1μm, minのタングステンの高速選択成長を実現した。また、タングステンの初期成長とSi表面制御によって、コンタクト抵抗の低減ができることを明らかにした。
社団法人電子情報通信学会の論文
1993-08-24

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