レーザ光散乱法によるSiウエハ表面上の極薄酸化膜段差の計測
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概要
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Very thin oxide films are fabricated on a silicon wafer by thermal oxidation and etched by photolithography to make some patterns. An oxide-film step along the pattern edge is observed by laser scattering method which combines scanning laserbeam illumination technique with a cooled CCD detector and ultramicroscopic technique in a single instrument. The image of oxide-film step obtained by CCD is very clear, even if the height of step is 2nm, and the scattering light intensity is much higher than that of micro-scratches formed through the polishing process of silicon wafer. The contrast of step image strongly changes with the angle between the incident laser beam and the step line and the sharpest image is obtained at the angle of 90 degrees. The theoretical calculation of light scattering from oxide-film step is performed by the electric-dipole approximation. The intensity of light scattered by a step is proportional to the 2nd power of step height, which is compared with the 4th power for micro-scratch and the 6th power for small particle. The experimental value obtained for the step with 2nm height is consistent with the calculated one within a magnitude of few times.
- 社団法人精密工学会の論文
- 2006-11-05
著者
-
有馬 健太
阪大院工
-
有馬 健太
大阪大学大学院工学研究科 精密科学・応用物理学専攻
-
有馬 健太
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
-
有馬 健太
大阪大学 大学院工学研究科
-
森田 瑞穂
大阪大学大学院工学研究科
-
押鐘 寧
大阪大学大学院工学研究科
-
片岡 俊彦
大阪大学大学院
-
森田 瑞穂
大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻
-
井上 晴行
大阪大学大学院
-
長尾 祥浩
旭硝子(株)
-
中野 元博
大阪大学大学院工学研究科
-
越智 保文
三浦工業(株)
-
森田 瑞穂
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
押鐘 寧
大阪大 大学院工学研究科
-
片岡 俊彦
大阪大 大学院工学研究科
-
有馬 健太
大阪大学大学院工学研究科
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