連続波レーザーによる強誘電体PZT薄膜の結晶化
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概要
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連続波レーザーによる強誘電体PZT薄膜の結晶化を行った。レーザービームを180μm×40μmの長短軸をもつ楕円形に絞り、短軸方向にPZT薄膜上を走査した。走査速度は0.1-10cm/sである。レーザーを使うことにより、基板は十分に低い温度に保ったままでPZT薄膜を局所的に加熱することができた。薄膜結晶性はインプレーンX線回折法により測定をおこなった。その結果、50-150nm膜厚の強誘電体PZT薄膜において、連続波レーザーにより結晶化を行うことができ、特にペロブスカイト相を増加させることができた。またパイロクロア相はこのレーザーアニールにおいては発生が抑制された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-06-26
著者
-
伊藤 隆司
東北大学大学院工学研究科
-
森田 瑞穂
大阪大学大学院工学研究科
-
小谷 光司
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
黒木 伸一郎
東北大学大学院工学研究科
-
多胡 紀一郎
東北大学大学院工学研究科
-
小谷 光司
東北大学大学院工学研究科
-
伊藤 隆司
富士通研究所
-
黒木 伸一郎
東北大学工学研究科電子工学専攻
-
伊藤 隆司
東京工業大学ソリューション研究機構:広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
-
伊藤 隆司
東京工大 ソリューション研究機構
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