ダブルラインビーム連続発振レーザラテラル結晶化によるシリコン薄膜の3軸結晶制御とTFT(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
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概要
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Gaussianレーザスポットをもつ連続発振レーザラテラル結晶化により平均20×2μm^2の粒径をもつpoly-Si薄膜を形成し、これを用いた高性能薄膜トランジスタ(TFT)を作製した。さらにトランジスタへの歪み印加の効果を調べるために、Double-gate型TFTを作製し、上下チャネルでの移動度を調べることにより、引っ張り歪み印加による電子移動度向上を示した。またTri-gate型のTFTにより、一軸性ひずみによる移動度向上を示した。更にTri-gate型により移動度ばらつきの低減を示した。ダブルラインビーム連続発振レーザ結晶化により、poly-Si結晶薄膜の面方位制御を行い、100μmを超える長さの、(110)-(111)-(211)面方位に3軸制御したシリコン結晶グレインを形成した。このpoly-Si薄膜を用いたTFT作製し、その特性を調べた。
- 2012-04-20
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