連続発振レーザー結晶化poly-Si TFTにおける内部歪と電子移動度の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
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概要
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連続発振レーザー結晶化によって形成したpoly-Si膜中には引っ張り歪が発生する。面内方向のX線回折測定から、表面側では0.3%程度、下側界面では0.4%以上の引っ張り歪が発生していることがわかった。引っ張り歪による電子移動度の変調効果を調べるため、上下界面にゲート電極を持つ4端子薄膜トランジスタを作製し、上下界面チャネルの電気特性をそれぞれ評価した。表面側よりも下側界面において大きな引っ張り歪が発生しているため、下側界面の電子移動度は表面側の電子移動度よりも1.2倍大きいことがわかった。
- 2010-10-14
著者
-
森田 瑞穂
大阪大学大学院工学研究科
-
小谷 光司
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
黒木 伸一郎
東北大学大学院工学研究科
-
藤井 俊太朗
東北大学大学院工学研究科
-
森田 瑞穂
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
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小谷 光司
東北大学大学院工学研究科
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黒木 伸一郎
東北大学工学研究科電子工学専攻
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