塩素ガスエッチングを用いた微細MOS Elevated Source/Drainプロセス : 高選択,ダメージフリーのバッチ処理Siエッチング(研究会推薦論文,半導体材料・デバイス)
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概要
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新しいコンセプトに基づくElevated Source/Drain構造のNMOSトランジスタ試作にあたり,Source/Drain形成のためのイオン注入用ハードマスクとして用いられるポリシリコンを効率良く除去できる塩素ガスエッチング技術を開発した.このエッチングの採用により,ポリシリコン下地の絶縁膜を全くエッチングしないという高い選択性と,純粋な化学反応を用いることによるダメージフリーという二つの要求を満たすことができた.また,この塩素ガスエッチング装置として市販のバッチ型LPCVD装置を転用したことにより,既存プロセスとの整合性と高い生産性を確立することができた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-07-01
著者
-
伊藤 隆司
東北大学大学院工学研究科
-
加藤 寿
東京エレクトロンat 東京エレクトロン
-
杉野 林志
スパンション株式会社
-
KIM Unsoon
スパンション株式会社
-
MIN Kyunghoon
スパンション株式会社
-
CHENG Ning
スパンション株式会社
-
WU Huaqiang
スパンション株式会社
-
LEE Chungho
スパンション株式会社
-
CHEUNG Fred
スパンション株式会社
-
KINOSHITA Hiroyuki
スパンション株式会社
-
上西 雅彦
東京エレクトロンAT,東京エレクトロン
-
多田 新吾
東京エレクトロンAT,東京エレクトロン
-
伊藤 隆司
(株)富士通研究所
-
Kinoshita Hiro
スパンション株式会社
-
伊藤 隆司
富士通研究所
-
伊藤 隆司
東京工業大学ソリューション研究機構:広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
-
上西 雅彦
東京エレクトロンat 東京エレクトロン
-
杉野 林志
スパンション株式会社:東北大学大学院工学研究科
-
多田 新吾
東京エレクトロンat 東京エレクトロン
-
伊藤 隆司
東京工大 ソリューション研究機構
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