磁場を用いた液相結晶成長における埋め込み形状制御
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概要
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次世代の半導体製造の成膜工程では，デバイスデザインの微細化に伴い，膜質の向上と，プロセス温度の低温化が要求されている．特に，微細なパターンの中に，高品質な膜を所望通りに埋め込こむための技術開発が必要である．液相結晶成長は，低温での成長速度が大きく，高品質な結晶，膜を得ることが可能であり，将来の半導体の成膜工程に採用できる有望な成膜技術の1つと考えられる．本研究では，基礎的な研究の第一段階として，硝酸カリウムKNO3をモデル物質として，液相結晶成長での生成結晶への埋め込み形状の制御を温度分布と非接触制御である磁場の効果を用いて確認した．
著者
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小川 薫
岩手大学地域連携推進センター
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土岐 規仁
岩手大学工学部
-
横田 政晶
岩手大学工学部
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加藤 寿
東京エレクトロンat 東京エレクトロン
-
加藤 寿
岩手大・工
-
横田 政晶
岩手大 工
-
清水 健司
岩手大学工学部
-
牛窪 繁博
東京エレクトロン東北株式会社
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