29p-PS-16 純水中で形成された微斜H/Si(111)面上でのステップ構造
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1992-03-12
著者
-
渡辺 悟
富士通厚木研
-
中山 範明
富士通厚木研
-
伊藤 隆司
富士通厚木研
-
渡辺 悟
富士通研究所
-
伊藤 隆司
富士通研究所
-
中山 範明
富士通研究所
-
伊藤 隆司
東京工業大学ソリューション研究機構:広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
関連論文
- ノンポーラスULK層間膜(フロロカーボン)へのダメージを抑制したCu-CMP後洗浄液の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- 水酸基終端シリコン表面の形成(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- 低誘電率アモルファスハイドロカーボン(aCHx)膜の銅配線バリアー特性の検討(プロセス科学と新プロセス技術)
- 傾斜したバンドギャップを持つ高速EAROMセル
- 高精度CMP終点検出方法の検討(プロセス科学と新プロセス技術)
- 光エピタキシャル成長法によるSiバイポ-ラトランジスタの極薄ベ-ス層の形成
- フッ素固定式パーフルオロ化合物(PFCs)除害システム
- 塩素ガスエッチングを用いた微細MOS Elevated Source/Drainプロセス : 高選択,ダメージフリーのバッチ処理Siエッチング(研究会推薦論文,半導体材料・デバイス)
- 塩素ガスエッチングを用いた微細MOS Elevated Source/Drainプロセス : 高選択、ダメージフリーのバッチ処理Siエッチング
- ドライ洗浄技術 : 半導体製造(生活の基本,そして製造・生産に必須の技術 : 洗う技術)
- UV/Cl_2ドライクリーニングメカニズム : 表面Fe汚染除去におけるSiCl_4の効果
- 29p-BPS-32 純水中で形成されるSi(111):SiH表面
- UHF帯RFID向け高効率差動型整流回路(RFID技術,システムオンシリコン,RFID技術及び一般)
- エタノール添加スラリーを用いたCMPによるCWレーザ結晶化Si薄膜の平坦化(プロセス科学と新プロセス技術)
- C-10-24 微細n型SOI-MESFETの電流電圧特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-12-14 インバータアンプによる電荷積分回路を用いたFeRAMの読み出し安定化(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-49 ラダーモデルによるガラス基板上インダクタの高精度モデリング(C-12.集積回路,一般セッション)
- 機械的歪み印加によるSrTiO_3MIMキャパシタ誘電率変調(プロセス科学と新プロセス技術)
- B-20-11 UHF帯RFID向け高効率差動型整流回路(B-20.ユビキタス・センサネットワーク,一般講演)
- RF-ID向けDickson Charge Pump整流回路における接合容量効果(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- RF-ID向けDickson Charge Pump整流回路における接合容量効果(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- RF-ID向け Dickson Charge Pump 整流回路における接合容量効果
- 連続波レーザーによる強誘電体PZT薄膜の結晶化,AWAD2006)
- 連続波レーザーによる強誘電体PZT薄膜の結晶化
- 26a-ZG-11 ポーラスSiにおける偏光ラマンと発光スペクトル
- 29p-X-12 溶液酸化した多孔質シリコンのフォト・ルミネッセンス
- Tailbiting BIPを用いたWiMAX用ターボデコーダ(デザインガイア2009-VLSI設計の新しい大地)
- Tailbiting BIPを用いたWiMAX用ターボデコーダ(デザインガイア2009-VLSI設計の新しい大地)
- 高性能LTPS-TFTのためのDouble-Line-Beam CLCによる高結晶配向Poly-Si薄膜形成(プロセス科学と新プロセス技術)
- 2p-PSA-41 赤外全反射減衰分光法によるシリコン溶液界面のその場観察
- 29p-PS-16 純水中で形成された微斜H/Si(111)面上でのステップ構造
- ドライ洗浄の現状と将来展望
- 極薄Si直接窒化・酸化ゲート絶縁膜の評価
- ソフトエラーシミュレーションシステム
- 数値解析技術 (超微細半導体シミュレ-ション技術--21世紀へ向けた限界への挑戦)
- VUVキュアーによるArFリソグラフィーパターンの改善,AWAD2006)
- 連続波グリーンレーザーによるシリコン薄膜のグレイン成長,AWAD2006)
- 光励起ドライ洗浄 (Si表面の洗浄工程の見直しと新しい試み(技術ノ-ト))
- Siの直接熱窒化
- Siの熱窒化膜 (酸化・窒化薄膜(技術ノ-ト))
- 光刺激脱離によるSi上の酸化物の低温除去とSiホモエピタキシー
- 熱酸化シリコンの照射損傷による構造変化
- pH制御選択研磨による超薄膜SOI基板の作製
- VUVキュアーによるArFリソグラフィーパターンの改善
- VUVキュアーによるArFリソグラフィーパターンの改善
- 4a-C-18 シリサイド界面のショットキー障壁
- 31a-PS-19 Si(001)表面におけるアセチレン分子の反応素過程の第一原理計算
- 7a-PS-29 Si(001)表面炭化反応の第一原理計算
- 溶液Si界面のその場振動分光
- 31p-PSB-49 H/Si(110)表面の赤外吸収の異方性
- 高誘電率絶縁膜 (ULSIを支える材料とプロセス技術)
- GaAs-MIS-FET(研究ノート)
- GaAs-絶縁膜界面における変成層トラップ密度と充放電特性
- GaAs表面への絶縁層の生成と界面特性
- プラズマCVDと光CVD (半導体プロセスと電気化学-1-)
- シリコンの酸化および窒化プロセスと特性制御
- HFによる酸化物除去に伴うSi(111)表面の疎水化過程
- 酸化膜CMPにおけるウエハ温度のin situモニタリング
- 連続波グリーンレーザーによるシリコン薄膜のグレイン成長
- 連続波グリーンレーザーによるシリコン薄膜のグレイン成長
- 20年前と違うところ
- 絶縁膜形成技術 (次世代半導体プロセス技術)
- 第26回超LSIウルトラクリ-ンテクノロジ-シンポジウム
- 26aPS-20 D:Si(111)1x1表面のSi-D変角振動の基板表面層との相互作用