熱酸化シリコンの照射損傷による構造変化
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概要
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白色放射光及び電子線を照射した熱酸化シリコンを、赤外吸収及びESRで評価した。赤外吸収から見積もった照射によるSi-O結合の切断量は、ドーズ量の1, 4乗に比較した。切断量は飽和値でSi-O結合全体の10%に及んだ。ESRで検出した酸素空孔欠陥(E'センター)も同様のドーズ量依存性を示したが、絶対値は切断したSi-Oの数百分の1に過ぎなかった。照射よりSiO_2は酸素不足的に改質し、遊離した酸素は何らかの形で膜中に残るものと思われる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-07-26
著者
-
奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
-
伊藤 隆司
東北大学大学院工学研究科
-
奈良 安雄
富士通研究所
-
伊藤 隆司
富士通研究所
-
堀内 敬
富士通研究所
-
杉田 義博
富士通研究所株式会社
-
杉田 義博
富士通研究所
-
伊藤 隆司
東京工業大学ソリューション研究機構:広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
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