金属電極/high-k絶縁膜キャパシタのフラットバンド電圧特性に与える仕事関数変調及び熱処理の影響(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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コンビナトリアル手法を用いてPt-W組成傾斜膜を作製し、仕事関数を4.7から5.5eVまで約0.8eV変調した。この組成傾斜膜をHfO_2,上に形成したキャパシタの電極に用いることでフラットバンド電圧(V_<fb>)の熱処理による変化を調べた。還元性雰囲気での熱処理後、V_<fb>は仕事関数値によらずほぼ一定となり、続く酸化性雰囲気での熱処理により、仕事関数値を反映してV_<fb>に差が見られたが、その差は本来の仕事関数差0.8eVに比べて小さかった。これらの実験結果をVo形成モデル及びGeneralized Charge Neutrality理論を用いて検討した。
- 2006-06-14
著者
-
白石 賢二
筑波大学数理物質科学研究科
-
山部 紀久夫
筑波大学数理物質科学研究科
-
奈良 安雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
-
山田 啓作
早稲田大学ナノテクノロジー研究所
-
知京 豊裕
物材機構
-
大毛利 健治
物質・材料研究機構 半導体材料センター
-
AHMET P.
物質・材料研究機構 半導体材料センター
-
渡部 平司
大阪大学
-
赤坂 泰志
Selete
-
吉武 道子
物質・材料研究機構 半導体材料センター
-
CHANG K.-S.
National Institute for Standards and Technology
-
GREEN M.
National Institute for Standards and Technology
-
奈良 安雄
Selete
-
知京 豊裕
物質・材料研究機構 半導体材料センター
-
知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構
-
赤坂 泰志
東京エレクトロン株式会社
-
奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
-
知京 豊裕
金属材料技術研究所
-
吉武 道子
(独)物質・材料研究機構半導体材料研究センター
-
渡部 平司
大阪大学大学院工学研究科
-
山部 紀久夫
筑波大学
-
山田 啓作
筑波大学数理物質科学研究科
-
白石 賢二
筑波大学
-
知京 豊裕
物質・材料研究機構
-
大毛利 健治
早稲田大学ナノ理工学研究機構
-
Green M.
National Institute Of Standards And Technology
-
知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構 半導体材料センター
-
AHMET P.
Tokyo Institute of Technology
-
山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科
-
吉武 道子
金属材料技術研究所
-
吉武 道子
物質・材料研究機構
-
吉武 道子
「応用物理」 編集委員会
-
吉武 道子
科学技術庁金属材料技術研究所
-
Ahmet P.
物質・材料研究機構
-
吉武 道子
物質材料研究機構 半導体材料研究センター
-
大毛利 健治
早稲田大学ナノ理工学研究機構ナノテクノロジー研究所
-
吉武 道子
金材技研
-
山田 啓作
早稲田大学:筑波大学
-
Ahmet Parhat
物質・材料研究機構 半導体材料センター
-
山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科:JST-CREST
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