HfSiON膜電気特性の窒素濃度依存性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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HfSiON膜の電気特性や絶縁耐性の窒素濃度依存性を評価した。その結果膜中の窒素濃度が増加するにしたがってゲートリーク電流は抑制されること、また電流の温度依存性が強くなることがわかった。このことから、窒素添加により膜中の浅い準位が低減したか、もしくは部分的に膜厚減少を引き起こし、トンネルリークを増大させる膜厚揺らぎが抑制されたと結論づけた。また、低窒素濃度で観察される大きな電流は2次元的に不均一に、局所的に流れることがわかった。さらに、この局所的に存在する伝導パスが絶縁破壊に関与していることが示唆された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-06-14
著者
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山部 紀久夫
筑波大学数理物質科学研究科
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蓮沼 隆
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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犬宮 誠治
(株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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山部 紀久夫
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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犬宮 誠治
(株)半導体先端テクノロジーズ
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内藤 達也
筑波大学数理物質科学研究科
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蓮沼 隆
筑波大学数理物質科学研究科
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