シリコン酸化膜フェンス効果を利用した原子ステップの形状・速度制御
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 日本表面科学会の論文
- 2009-08-10
著者
-
蓮沼 隆
筑波大学大学院数理物質科学研究科
-
山部 紀久夫
筑波大学大学院 数理物質科学研究科 電子・物理工学専攻学際物質科学研究センター
-
山部 紀久夫
筑波大学大学院数理物質科学研究科
-
鎌田 勝也
筑波大学大学院数理物質科学研究科
-
尾崎 亮太
筑波大学大学院数理物質科学研究科
-
矢田 隆伸
筑波大学大学院数理物質科学研究科
関連論文
- HfAlOxゲート絶縁膜をもつMOSキャパシタの過渡的電気特性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- HfSiON/TiNゲートスタックpMOSFETの陰極電子注入絶縁破壊モデルに基づくTDDB寿命予測方法
- Hf系絶縁膜中の水素原子の原子レベルの挙動の理論的研究 : ホールを起源とした絶縁破壊のメカニズム(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 原子的に平坦化されたSi(111)表面へのCuナノ細線の形成と原子間力顕微鏡およびフーリエ変換赤外分光法による評価
- シリコン酸化膜フェンス効果を利用した原子ステップの形状・速度制御
- HfSiOxのBTIに対する窒素添加効果(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- HfSiON膜電気特性の窒素濃度依存性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- ゲートシリコン酸化膜の絶縁破壊寿命とその分布
- 「次世代ULSIデバイスのための誘電体薄膜 : 科学と技術」に関する2006年国際ワークショップ(IWDTF 2006)報告
- JJAP分類表改訂のお知らせ
- 応物会員/JJAPエディター・フレンドシップミーティング