HfSiOxのBTIに対する窒素添加効果(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
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概要
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電圧ストレス下におけるHfSiOx膜およびHfSiON膜のしきい値電圧変化を評価した。その結果、しきい値電圧の変化を-△V_<th>=At^Bと表した場合、窒素を添加したHfSiON膜はBの値が温度に寄らず一定であるのに対し、窒素を添加していないHfSiOx膜のそれは温度依存性を示すことがわかった。これは窒素添加によりしきい値電圧を変化させる機構が変化することを示唆している。しきい値電圧を変化させる原因には膜中の酸素空孔が関与しており、窒素添加によって酸素空孔の振る舞いが変化すると考えている。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-05-31
著者
-
山部 紀久夫
筑波大学数理物質科学研究科
-
佐藤 基之
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
蓮沼 隆
筑波大学大学院数理物質科学研究科
-
犬宮 誠治
(株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)
-
山部 紀久夫
筑波大学大学院数理物質科学研究科
-
佐藤 基之
東芝 セミコンダクター社
-
佐藤 基之
(株)半導体先端テクノロジーズ (selete)
-
田村 知大
筑波大学数理物質科学研究科
-
犬宮 誠治
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
内藤 達也
筑波大学数理物質科学研究科
-
蓮沼 隆
筑波大学数理物質科学研究科
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