プラズマ窒化を用いた低消費電力CMOS用高移動度・低リーク電流Poly-Si/HfSiONゲートスタックの形成(<特集>IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
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概要
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HfSiON膜中の窒素プロファイルの違いが電気的特性に与える影響を調査するために、Hf silicate膜に対する窒素導入方法として、プラズマ窒化法と熱窒化法を詳細に比較検討した。その結果、窒化方法によらず15atom%以上の窒素導入により、ポリシリコンゲートCMOSインテグレーションに十分な耐熱性とボロン突き抜け耐性が得られるが、HfSiON膜中の窒素プロファイルを制御することが可能なプラズマ窒化法を用いることは、基板シリコンの窒化による移動度劣化の抑制、ゲートリーク電流低減、等価酸化膜の薄膜化に有効であることが明らかになった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-01-09
著者
-
犬宮 誠治
(株)東芝セミコンダクター社 プロセス技術開発センター
-
犬宮 誠治
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
綱島 祥隆
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
綱島 祥隆
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
佐藤 基之
東芝 セミコンダクター社
-
関根 克行
東芝 セミコンダクター社
-
犬宮 誠治
東芝
-
関根 克行
東芝セミコンダクター社
-
江口 和弘
半導体理工学センター(STARC)
-
金子 明生
東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ
-
佐藤 基之
東芝セミコンダクター社 プロセス技術開発推進センター
-
江口 和弘
東芝セミコンダクター社 プロセス技術開発推進センター
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