佐藤 基之 | 東芝 セミコンダクター社
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概要
関連著者
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佐藤 基之
東芝 セミコンダクター社
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関根 克行
東芝 セミコンダクター社
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綱島 祥隆
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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江口 和弘
半導体理工学センター(STARC)
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小山 正人
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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綱島 祥隆
(株)東芝 セミコンダクター社
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江口 和弘
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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犬宮 誠治
(株)東芝セミコンダクター社 プロセス技術開発センター
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佐藤 基之
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体プロセス開発第四部
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関根 克行
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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犬宮 誠治
東芝
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金子 明生
東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ
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江口 和弘
(株)東芝
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綱島 祥隆
(株)東芝
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青山 知憲
(株)東芝セミコンダクター社
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金子 明生
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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西山 彰
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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小山 正人
(株)東芝研究開発センター
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西山 彰
東芝 研究開発センター
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小山 正人
東芝 研究開発センター
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小山 正人
(株)東芝
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山部 紀久夫
筑波大学数理物質科学研究科
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渡辺 健
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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高柳 万里子
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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福井 大伸
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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斎藤 正樹
ソニー(株)
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山口 豪
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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福井 大伸
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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齋藤 友博
東芝 セミコンダクター社
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佐藤 基之
(株)半導体先端テクノロジーズ
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蓮沼 隆
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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中崎 靖
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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中崎 靖
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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土屋 義規
(株)東芝 研究開発センター
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犬宮 誠治
(株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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犬宮 誠治
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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古賀 淳二
東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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長谷川 英司
Necエレクトロニクス(株)
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山部 紀久夫
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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綱島 祥隆
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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佐藤 基之
(株)半導体先端テクノロジーズ (selete)
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中嶋 一明
東芝
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中嶋 一明
東芝 セミコンダクター社
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西山 彰
(株)東芝研究開発センター
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丹羽 祥子
(株)東芝
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鎌田 善己
(株)東芝
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鎌田 善己
東芝
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小山 正人
東芝
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古賀 淳二
東芝 研究開発センター
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田村 知大
筑波大学数理物質科学研究科
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平野 泉
(株)東芝研究開発センター
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犬宮 誠治
(株)半導体先端テクノロジーズ
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関根 克行
東芝セミコンダクター社
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土屋 義規
東芝 研究開発センター
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吉木 昌彦
東芝 研究開発センター
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青山 知憲
東芝 セミコンダクター社
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内藤 達也
筑波大学数理物質科学研究科
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蓮沼 隆
筑波大学数理物質科学研究科
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佐藤 基之
東芝セミコンダクター社 プロセス技術開発推進センター
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江口 和弘
東芝セミコンダクター社 プロセス技術開発推進センター
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渡部 宏治
NECエレクトロニクス(株)
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山口 豪
(株)東芝 研究開発センター
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中崎 靖
(株)東芝
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中崎 靖
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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渡部 宏治
Necエレクトロニクス
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西山 彰
(株)東芝 研究開発センター
著作論文
- プラズマ酸化とプラズマ窒化を用いた、低消費電力CMOSデバイス向けHfSiONゲート絶縁膜の形成(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 界面物理現象理解に基づいたNi-FUSI/SiON及びHfSiON界面の実効仕事関数制御技術
- HfSiOxのBTIに対する窒素添加効果(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- HfSiON高誘電率ゲート絶縁膜技術
- プラズマ窒化を用いた低消費電力CMOS用高移動度・低リーク電流Poly-Si/HfSiONゲートスタックの形成(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 低Hf濃度キャップ層(Hf=6%)形成によるHfSiONゲート絶縁膜の電気特性および信頼性向上とそのメカニズム