中崎 靖 | (株)東芝

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• 村岡 浩一

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• 江口 和弘

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• 高柳 万里子

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• 加藤 弘一

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• 早坂 伸夫

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• 綱島 祥隆

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• 青山 知憲

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• 佐久間 究

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• 佐久間 究

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• 三谷 祐一郎

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• 犬宮 誠治

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• 佐藤 基之

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• 宮島 秀史

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• 関根 克行

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• 栗原 一彰

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• 小山 正人

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• 早坂 伸夫

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• 加藤 弘一

  東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボ

• 勝又 竜太

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• 渡部 宏治

  NECエレクトロニクス(株)

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著作論文

• 窒素高濃度極薄SiON膜のV_改善メカニズム(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 窒素の強凝集によるSi(100)窒化膜形成機構
• 次世代極薄ゲート酸窒化膜形成技術
• 低誘電率F添加SiO_2膜CVD技術
• 低Hf濃度キャップ層(Hf=6%)形成によるHfSiONゲート絶縁膜の電気特性および信頼性向上とそのメカニズム
• 低誘電率膜中の炭素種に対するプラズマプロセスの影響

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