犬宮 誠治 | (株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)

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概要

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• (株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)の論文著者

関連著者

• 犬宮 誠治

  (株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 犬宮 誠治

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 山部 紀久夫

  筑波大学数理物質科学研究科

• 蓮沼 隆

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 山部 紀久夫

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 内藤 達也

  筑波大学数理物質科学研究科

• 蓮沼 隆

  筑波大学数理物質科学研究科

• 奈良 安雄

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 松木 武雄

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 赤坂 泰志

  東京エレクトロン株式会社

• 奈良 安雄

  (株)富士通研究所 Ulsi研究部門

• 奈良 安雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部

• 鳥居 和功

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 佐藤 基之

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 松木 武雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 鳥居 和功

  日立製作所中央研究所

• 赤坂 泰志

  (株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 大塚 文雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 佐藤 基之

  東芝 セミコンダクター社

• 佐藤 基之

  (株)半導体先端テクノロジーズ (selete)

• 田村 知大

  筑波大学数理物質科学研究科

• 奈良 安雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ

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著作論文

• 高電子移動度0.9nm-EOT TaSix/HfSiONゲートスタックの形成(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• HfSiOxのBTIに対する窒素添加効果(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• HfSiON膜電気特性の窒素濃度依存性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

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