走査型トンネル電子顕微鏡によるナノスケール"仕事関数"の電圧依存性の測定〔含 査読コメント〕
スポンサーリンク
概要
著者
-
吉武 道子
物質・材料研究機構 半導体材料センター
-
柳生 進二郎
物質・材料研究機構 半導体材料センター
-
吉武 道子
(独)物質・材料研究機構半導体材料研究センター
-
柳生 進二郎
筑波大学物理工学系
-
吉武 道子
金属材料技術研究所
-
吉武 道子
物質・材料研究機構
-
柳生 進二郎
物質・材料研究機構manaナノエレクトロニクス材料ユニット
関連論文
- 金属電極/high-k絶縁膜キャパシタのフラットバンド電圧特性に与える仕事関数変調及び熱処理の影響(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 光と表面
- 光電子収量分光における2次電子閾値の検討
- HACCP対応抗菌エコプレーティングとバイオフィルム
- Cu-9%Al(111)上に成長したエピタキシャルアルミナ膜の表面観察
- Cu-9%Al(111) 合金上に成長したエピタキシャル酸化膜の表面形態と化学結合状態
- Cu-Al 合金単結晶上への結晶性極薄アルミナ膜の成長
- 講義 単体元素と遷移金属シリサイドのスパッタ速度
- シリサイド薄膜の相対スパッタエッチングレート比のエネルギー依存性
- コハク酸のCu(110)表面での吸着状態と仕事関数
- グルタル酸の Cu(110)表面での吸着構造
- N-Acetylglycine のCu(110)表面での吸着状態と仕事関数
- Cu(110)表面でのハイドロムコン酸の吸着状態
- Cu(110)表面でのアジピン酸の吸着状態 (第24回表面科学講演大会論文特集(3))
- 自己組織的構造形成とそ応用
- CH_4分子により修飾されたPt(111)表面の仕事関数
- 分子線飛行時間計測法によるPt(111)表面でのアルカン分子の衝突過程の研究
- Wide Controllability of Flatband Voltage in La_2O_3 Gate Stack Structures : Remarkable Advantages of La_2O_3 over HfO_2
- 鉄超微粒子表面安定化被膜のキャラクタリゼーション
- 最近の展望 デバイス電極材料と仕事関数
- 海面偏析を利用したコーティング膜/母材海面改質法
- 28aTA-13 蒸着膜上への基板元素表面偏析の汎用的予測方法
- Ti膜上でのCuの偏析濃度と仕事関数低下量との相関
- 金属元素の表面偏析による結合状態の変化と仕事関数
- Nb膜上に偏析したTi層の再生速度の温度依存性
- 下地金属の薄膜表面への偏析による仕事関数変化の測定
- ゲッター作用を持つTi-Nb膜の自己組成制御性
- Ti表面偏析Nb薄膜インテリジェントゲッター
- 共通データ処理環境用XPS2次基準スペクトルのエネルギー特性評価
- 金属元素の偏析した表面の作製と偏析による仕事関数制御の可能性
- 高速拡散によるNb膜表面での基板Tiの多原子層偏析
- 薄膜中での物質の高速拡散現象
- Nb膜/Ti基板およびTi膜/Nb基板系の高速拡散現象における膜の構造・組織の影響
- Cu膜/Ti基板における薄膜中の拡散挙動
- BN処理をした小型真空容器からのガス放出挙動 (極高真空シンポジュ-ムプロシ-ディングス)
- Nb-Ti系における薄膜中の拡散挙動
- Cu基板上に蒸着したTi膜とCuとの反応拡散
- Ti基板上に蒸着したNb膜上へのTi薄膜の析出とそのゲッタ-ポンプ作用 (第30回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス)
- 局所ポテンシャル障壁高さ計測における条件依存性の判別
- 局所ポテンシャル障壁高さ測定に関する考察
- 仕事関数の成り立ち, 調整法とバンドアライメント
- UPS, XPS, AESを用いた仕事関数計測の原理と実践的ノウハウ
- 基板/薄膜界面における拡散と偏析・反応 : どんな系でも予測できる方法
- 結晶性アルミナ超薄膜の作製
- TiN 膜への Cl^+ イオン打ち込みによる低摩擦化の X 線光電子分光法による研究
- Au(111)再構成表面での局所ポテンシャル障壁高さ測定
- 仕事関数制御の新たな試み
- 走査型トンネル電子顕微鏡によるナノスケール"仕事関数"の電圧依存性の測定〔含 査読コメント〕
- Pauling の電気陰性度 : 日本-欧米ダブルスタンダード!?
- 2. イオン誘起オージェ電子スペクトロメトリ
- Auスパッタエッチングにおけるスパッタ温度と表面ナノ凸凹形成
- X線光電子分光法 - 最近のデータ処理 -
- イオン励起オージェスペクトル
- バックグランドの基礎と処理法各論 (特集:VAMAS-SCA Japan復刻版(1989,1994)) -- (実用電子分光法講座(1994年1月))
- 講義 各種AES分析装置の装置関数(これまでのラウンドロビンでわかったこと)
- エネルギ軸・強度軸をそろえる
- 金属薄膜上における表面自由エネルギ-に駆動された拡散・偏析と偏析表面の材料としての利用
- 熱処理合金化めっき法によるすず-パラジウム合金皮膜の形成プロセスと皮膜の抗菌性発現
- 熱エネルギー原子線散乱法による吸着脱離過程の測定
- サマリー・アブストラクト
- 局所ポテンシャル障壁高さ計測における条件依存性の判別
- 局所ポテンシャル障壁高さ測定に関する考察
- BN処理をした小型真空容器からのガス放出挙動
- Material Selection for the Metal Gate/High-k Transistors
- 研究の個性 : ヒットとロングテール, 栓抜きと水道
- ショットキーバリア高さ制御のための元素添加によるアルミナ-金属界面結合変化の定量的予測式
- ショットキーバリア高さ制御のための元素添加によるアルミナ-金属界面結合変化の定量的予測式
- アルミナ-金属界面の結合を介する原子の種類を予測する一般式
- 熱力学計算によるチオール・カルボン酸の様々な無機基板表面への化学吸着の考察
- 熱処理による抗菌性合金皮膜生成と偏析予測システムを用いた設計の可能性
- 遷移金属炭化物・窒化物の仕事関数に関する考察
- Ti基板上に蒸着したNb膜上へのTi薄膜の析出とそのゲッタ-ポンプ作用 (第30回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス)