コンビナトリアル手法によるHfO_2系酸化膜の電気特性評価 : 熱力学観点からの材料選択と界面制御(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
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概要
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コンビナトリアル手法を用いてゲート絶縁膜材料とメタルゲート材料の探索を行った。HfO2A12O3-Y2O3系ゲート絶縁膜では特定の組成でリーク電流が少なくなり、フラットバンドシフトも少なくなることが観察された。これは電荷中性を維持する相が存在するためであると理解された。またこれはSiと酸化膜との界面にも適用できることであることがわかった。メタルゲート探索では、金属合金を使い仕事関数を0.8eVの範囲で制御できることがわかった。しかし、電気計測ではその制御範囲がことなり、これは金属/酸化物界面の電荷とラップによるものと理解された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-06-02
著者
-
知京 豊裕
物質材料研究機構(NIMS)
-
山田 啓作
早稲田大学ナノテクノロジー研究所
-
知京 豊裕
物材機構
-
知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構
-
鯉沼 秀臣
東京大学工学部工業化学科
-
知京 豊裕
金属材料技術研究所
-
中島 清美
物質・材料研究機構
-
山田 啓作
筑波大学数理物質科学研究科
-
パールハット アヘメト
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
-
アヘメト パールハット
東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター
-
長谷川 顕
東京工業大学
-
田森 妙
東京工業大学
-
Ahmet Parhat
物質材料研究機構
-
Kukurznyak Dmitry
物質材料研究機構
-
中島 清美
物質材料研究機構
-
鯉沼 秀臣
早稲田大学ナノテクセンター
-
鯉沼 秀臣
東京大学新領域創成科学研究科
-
アヘメト パールハット
東京工業大学フロンティア研究機構
-
鯉沼 秀臣
東京工大 応用セラミックス研
-
知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構 半導体材料センター
-
山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科
-
長谷川 顕
東京工大 応用セラミックス研
-
山田 啓作
早稲田大学:筑波大学
-
田森 妙
東京工大 応用セラミックス研
-
パルハット アヘメト
東京工業大学フロンティア研究機構
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