分子性材料薄膜成長中のRHEED強度振動(<特集>応用を視野においた有機半導体の結晶成長)
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概要
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反射高速電子線回折(RHEED)の強度振動観察は,原子・分子レベルでの急峻なヘテロ界面を創り出す強力な測定手法であり,レーザーなどのヘテロ構造デバイスの作製に欠かせない.GaAsを始めとして金属や酸化物などの幅広い材料で観測されているが,有機系・分子性材料については,これまでRHEED強度振動の報告例は無かった.今回初めて成功したマイカ上のC_<60>薄膜成長中における明瞭なRHEED強度振動について,鍵となった有機レーザーMBE法とLayer-by-layer成長モードの必要条件について考察を交えながら紹介する.
著者
-
石田 洋一
東京工業大学 応用セラミックス研究所
-
鯉沼 秀臣
東工大応セラ研
-
鯉沼 秀臣
Tokyo Institute Of Technology
-
鯉沼 秀臣
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
-
鯉沼 秀臣
東京大学工学部工業化学科
-
伊高 健治
東大工
-
伊高 健治
東京大学
-
伊高 健治
東京大学大学院 新領域創成科学研究科
-
伊高 健治
東京大学新領域創成科学研究科
-
鯉沼 秀臣
東京大学新領域創成科学研究科
-
鯉沼 秀臣
東京工大 応用セラミックス研
-
柳沼 誠一郎
東京大学新領域創成科学研究科物質系専攻
-
鯉沼 秀臣
東工大フロンティア共同研究センター
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