半導体レーザーによる分子性材料の新しい薄膜成長法 : 赤外線レーザーMBE法
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2009-05-30
著者
-
石田 洋一
東京工業大学 応用セラミックス研究所
-
鯉沼 秀臣
東工大応セラ研
-
鯉沼 秀臣
Tokyo Institute Of Technology
-
鯉沼 秀臣
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
-
鯉沼 秀臣
東京大学工学部工業化学科
-
伊高 健治
東大工
-
伊高 健治
東京大学
-
伊高 健治
東京大学大学院 新領域創成科学研究科
-
伊高 健治
東京大学新領域創成科学研究科
-
鯉沼 秀臣
東京大学新領域創成科学研究科
-
鯉沼 秀臣
東京工大 応用セラミックス研
-
鯉沼 秀臣
東工大フロンティア共同研究センター
関連論文
- 分子性材料薄膜成長中のRHEED強度振動(応用を視野においた有機半導体の結晶成長)
- 23pZF-8 ステップフロー成長によるMn系ペロブスカイト縦型超格子の作製とその電気特性
- 26pYT-12 La_Sr_xMnO_3薄膜の作製とPhotoelectron Yield Spectroscopyによる表面電子状態の観察
- 12a-X-9 Sr二重層を含むSrCuO_2薄膜の原子層形成と伝導特性
- トリチウムオ - トラジオグラフィによる粒界および粒界析出相への水素集積の透過観察
- 過時効処理材のトリチウム透過電顕オートラジオグラフィによる水素集積サイトの観察
- トリチウム透過電顕オ-トラジオグラフィによる77K露光におけるSUS316L鋼の水素集積サイトの観察
- 液体窒素温度のトリチウム透過電顕オ-トラジオグラフィ-3-
- 界面上の面状欠陥および粒界析出相へのトリチウム透過電顕オ-トラジオグラフィ
- オ-ステナイトステンレス鋼SUS316Lの内部界面水素捕捉サイトのトリチウム透過電顕オ-トラジオグラフィ-