知京 豊裕 | (独)物質・材料研究機構 半導体材料センター

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概要

• 同名の論文著者
• (独)物質・材料研究機構 半導体材料センターの論文著者

関連著者

• 知京 豊裕

  (独)物質・材料研究機構

• 知京 豊裕

  金属材料技術研究所

• 知京 豊裕

  物材機構

• 知京 豊裕

  物質・材料研究機構ナノマテリアル研/物質研

• 山田 啓作

  筑波大学数理物質科学研究科

• 知京 豊裕

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• 白石 賢二

  筑波大学

• 知京 豊裕

  物質・材料研究機構

• 吉武 道子

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• 大毛利 健治

  早稲田大学ナノ理工学研究機構

• 山田 啓作

  早稲田大学ナノテクノロジー研究所

• 柳生 進二郎

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• 奈良 安雄

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 奈良 安雄

  (株)富士通研究所 Ulsi研究部門

• 白石 賢二

  筑波大学数理物質科学研究科

• 知京 豊裕

  物質材料研究機構(NIMS)

• 吉武 道子

  (独)物質・材料研究機構半導体材料研究センター

• 山部 紀久夫

  筑波大学

• 宮崎 誠一

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 若山 裕

  (独)物質・材料研究機構

• 赤坂 泰志

  東京エレクトロン株式会社

• 奈良 安雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部

• 渡部 平司

  大阪大学大学院工学研究科

• 若山 裕

  物質材料研究機構ナノマテリアル研究所

• 若山 裕

  物質・材料研究機構半導体材料センター

• 山部 紀久夫

  筑波大学数理物質科学研究科

• 鳥居 和功

  日立製作所中央研究所

• 中島 清美

  物質・材料研究機構

• 高野 義彦

  物材機構

• 山口 尚秀

  物材機構

• 川原田 洋

  早大理工

• 上殿 明良

  筑波大数理

• 上殿 明良

  筑波大学電子物理工学系

• 北島 洋

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 有門 経敏

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 渡部 平司

  大阪大学

• 廣芝 伸哉

  (独)物質・材料研究機構

• 森本 健太

  筑波大院数物

• 松石 清人

  筑波大数理物質

• 田崎 義昭

  東京大学大学院 工学系研究科

• 北郷 伸弥

  早大理工

• 渡邉 恵

  早大理工

• 松木 武雄

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 白石 賢二

  筑波大院数物

• 高野 義彦

  (独)物質・材料研究機構

• 上殿 明良

  筑波大学・物理工学系

• 鳥居 和功

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 若山 裕

  物材機構半導体材料C

• 大毛利 健治

  早稲田大学

• 北島 洋

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 有門 経敏

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 川原 田洋

  早大理工

• 奈良 安雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 廣芝 伸哉

  筑波大数理

• 早川 竜馬

  物材機構

• 森本 健太

  筑波大数理

• 鈴木 良一

  産総研

• 大平 俊行

  産総研

• 上殿 明良

  筑波大学数理物質科学研究科

• 大平 俊行

  産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門

• 鈴木 良一

  産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門

• 山田 啓作

  物質材料研究機構(NIMS)

• 大毛利 健治

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• AHMET P.

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• GREEN M.

  National Institute for Standards and Technology

• 早川 竜馬

  (独)物質・材料研究機構

• 上田 茂典

  物材機構

• 山下 良之

  物材機構

• 吉川 英樹

  物材機構

• 小林 啓介

  物材機構

• 鯉沼 秀臣

  東京大学工学部工業化学科

• 河野 明大

  早大理工

• 高野 義彦

  物質・材料研究機構

• Nara Y.

  Semiconductor Leading Edge Technology Inc.

• 吉川 英樹

  科学技術庁無機材質研究所

• 鈴木 良一

  産業技術総合研究所

• 中山 恒義

  北大院工

• アヘメト パールハット

  物質・林料研究機構物質研

• 大路 譲

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 知京 豊裕

  物質材料機構

• 森 龍男

  茨城工業高等専門学校

• 白石 賢二

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 中山 隆史

  千葉大学理学部

• 大路 譲

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 大路 譲

  半導体先端テクノロジーズ

• 杉田 義博

  半導体先端テクノロジーズ

• パールハット アヘメト

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• アヘメト パールハット

  東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター

• 中山 隆史

  千葉大

• 中山 隆史

  千葉大学

• 中山 隆史

  千葉大学理学研究科基盤理学専攻

• 網中 敏夫

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• Green M.

  National Institute Of Standards And Technology

• 鯉沼 秀臣

  東京大学新領域創成科学研究科

• 大平 俊行

  産業総合技術研究所計測フロンティア研究部門

• アヘメト パールハット

  東京工業大学フロンティア研究機構

• 小林 研介

  京大化研

• 野村 亮

  早大理工

• 大塚 崇

  筑波大学数理物質科学研究科

• 伊東 健一

  筑波大学数理物質科学研究科

• 梅澤 直人

  物質材料研究機構(NIMS)

• 犬宮 誠治

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 神山 聡

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 赤坂 泰志

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 秩父 重英

  筑波大院電子物理工&21COE

• 鈴木 智士

  筑波大院電子物理工&21COE

• 野坂 大樹

  筑波大院電子物理工&21COE

• 杉山 睦

  筑波大院電子物理工&21COE

• 尾沼 猛儀

  科技機構創造中村P

• 上殿 明良

  筑波大院電子物理工&21COE

• 後藤 正和

  筑波大学数理物質科学研究科

• 樋口 恵一

  筑波大学数理物質科学研究科

• 池内 恒平

  筑波大学数理物質科学研究科

• ABUDUL Hamid

  物質材料研究機構(NIMS)

• 三橋 理一郎

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 堀内 淳

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 鳥居 和功

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 樋口 恵一

  筑波大学電子・物理工学専攻

• 後藤 正和

  筑波大学電子・物理工学専攻

• 赤坂 泰志

  Selete

• CHANG K.-S.

  National Institute for Standards and Technology

• 奈良 安雄

  Selete

• Turak Ayse

  マックスプランク金属学研究所

• Zhang XueNa

  マックスプランク金属学研究所

• Dosch Helmut

  マックスプランク金属学研究所

• 松石 清人

  筑波大院数物

• Miyazaki Seiichi

  Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University

• 尾沼 猛儀

  東北大学多元物質科学研究所

• 細井 卓治

  大阪大学

• 入山 慎吾

  早大理工

• 堀内 淳

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 川崎 雅司

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 高野 義彦

  金材技研

• 関 雄太

  早大理工

• 大田 晃生

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 梅沢 仁

  産総研

• 角嶋 邦之

  東工大総理工

• 岩井 洋

  東工大フロンティア研

• 宮崎 誠一

  広大院先端研

• 足立 哲也

  物質・材料研究機構

• 石川 大

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 近藤 剛

  東京工業大学

• 近藤 剛

  東工大院 像情報工学研究施設

• 宗片 比呂夫

  東工大院 像情報工学研究施設

• 宗片 比呂夫

  東工大像情報

• 小原 義久

  東工大院

• 羽根田 茂

  東工大院

• 岩井 洋

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• 杉山 睦

  筑波大院電子物理工&21coe:(現)東京理科大学理工学部電気電子情報工学科

• 金 兌映

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• 野坂 大樹

  筑波大院電子物理工&21coe

• 鈴木 智士

  筑波大院電子物理工&21coe

• 岡田 竜介

  早大理工

• 平間 一行

  早大理工

• 梅澤 仁

  産総研

• 松本 祐司

  東京工業大学応用セラミックス研究所

• 宮崎 誠一

  広島大学 工学部

• 白石 賢二

  筑波大学物理学系

• 門島 勝

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 青山 敬幸

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 杉田 義博

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 中島 清美

  物質材料機構

• 網中 敏夫

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 黒澤 悦男

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 松木 武雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 諸岡 哲

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 小口 信行

  物質・材料研究機構

• 中塚 理

  名古屋大学

• 赤坂 泰志

  (株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 中岡 高司

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 中村 源治

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 太田 晃生

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 山部 紀久夫

  筑波大学大学院 数理物質科学研究科 電子・物理工学専攻学際物質科学研究センター

• 山部 紀久夫

  筑波大学物理工学系

• 石川 恵子

  物質・材料研究機構

• Boero M.

  筑波大学物理学系

• 宗片 比呂夫

  東京工業大学理工学研究科附属像情報工学研究施設

• 宗片 比呂夫

  東工大・像情報

• 宗片 比呂夫

  東大大工

• 梅澤 直人

  南カリフォルニア大

• 小口 信行

  金属材料技術研究所極高真空場ステーション

• 細井 卓治

  広島大学ナノデバイス・システム研究センター

• 知京 豊裕

  金材技研

• 松本 祐司

  東京工大 応用セラミックス研

• 成毛 環美

  物質材料研究機構

• アヘメト パールハット

  物質材料研究機構

• 朱 敏

  華南理工大学電気・機械工学利

• 末益 崇

  筑波大学物理工学系

• 長谷川 文夫

  筑波大学物理工学系

• 末益 崇

  筑波大学大学院数理物質科学研究科電子・物理工学専攻

• 財満 鎭明

  名古屋大学先端技術共同研究センター

• 三橋 理一郎

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 犬宮 誠治

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 岩井 洋

  東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター

• 長谷川 顕

  東京工業大学

• 田森 妙

  東京工業大学

• Ahmet Parhat

  物質材料研究機構

• Kukurznyak Dmitry

  物質材料研究機構

• 中島 清美

  物質材料研究機構

• 鯉沼 秀臣

  早稲田大学ナノテクセンター

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著作論文

• 22pGS-16 Quaterrylene有機薄膜における格子歪みの制御と成長過程に及ぼす影響(22pGS 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
• 低速陽電子ビームを用いたhigh-kゲート絶縁膜の空隙の評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 18aA07 AlGaN/GaN超格子挿入によるMOVPE成長立方晶GaN中の欠陥密度低減(立方晶GaN結晶成長を考える,ナノ・エピシンポジウム,第35回結晶成長国内会議)
• 低速陽電子ビームを用いた high-κ 膜の空隙評価
• 金属電極/high-k絶縁膜キャパシタのフラットバンド電圧特性に与える仕事関数変調及び熱処理の影響(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 28aRG-11 高濃度ボロンドープダイヤモンド単結晶薄膜の結晶構造とTcの膜厚依存性(層状窒化物・その他の超伝導,領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
• GaAs-Feグラニュラー膜のナノ構造同定と光磁性
• 光電子収量分光における2次電子閾値の検討
• 30aTL-1 高濃度ボロンドープダイヤモンド超伝導 : T_Cと結晶性の深さ方向分布との相関(30aTL ダイヤモンド超伝導他,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• メタルゲート/HfSiONゲート絶縁膜ゲートスタックにおけるピニング現象の改善策検討
• 金属/Hf系高誘電率絶縁膜界面の統一理論 : ゲート金属の設計指針(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• コンビナトリアル手法を用いたナノエレクトロニクス材料における合金薄膜材料開発 (特集 傾斜機能材料の開発と新展開)
• Ru-Mo合金を用いた金属/high-k 絶縁膜ゲートスタックの実効仕事関数制御
• Hf系絶縁膜中の水素原子の原子レベルの挙動の理論的研究 : ホールを起源とした絶縁破壊のメカニズム(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• HfO_2系high-kゲート絶縁膜信頼性劣化の物理モデル(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 金属酸化物を用いた原子スイッチ中間層材料の検討 ([日本電子材料技術協会]第44回秋期講演大会--優秀賞受賞論文と受賞者の感想)
• 金属/high-k絶縁膜構造トランジスタにおいて金属結晶が閾値電圧ばらつきに及ぼす影響とその抑制(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• Si 結晶中に埋め込まれた FeSi_2 のTEM観察
• 24pRL-11 分子超格子デバイスの作製と電子・光物性(24pRL 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
• コンビナトリアル手法によるHfO_2系酸化膜の電気特性評価 : 熱力学観点からの材料選択と界面制御(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• 低エネルギー集束イオンビームによるGaAs微細構造の作製
• 30aRD-2 バイアス電圧印加硬X線光電子分光法による界面電子状態の高感度観測(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pTD-2 硬X線光電子分光法によるゲートスタック構造内のポテンシャル分布の直接観測(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• ゲートスタック材料の変遷とその界面制御
• コハク酸のCu(110)表面での吸着状態と仕事関数
• N-Acetylglycine のCu(110)表面での吸着状態と仕事関数
• Cu(110)表面でのハイドロムコン酸の吸着状態
• Cu(110)表面でのアジピン酸の吸着状態 (第24回表面科学講演大会論文特集(3))
• 24aXB-3 Tc(offset)>10Kの高濃度ボロンドープダイヤモンド(111)薄膜における超伝導特性(24aXB 超伝導,領域6(金属,超低温超伝導・密度波))
• イオンビーム照射による"量子箱"作製装置の試作
• 次世代ゲート絶縁膜の課題とコンビナトリアル手法による材料探索
• Tri-Phase Epitaxyによる高温超伝導,単結晶薄膜の作製
• Systematic studies on Fermi level pining of Hf-based high-k gate stacks
• Guiding Principle of Energy Level Controllability of Silicon Dangling Bond in HfSiON
• 有機薄膜の成長機構に及ぼす格子歪みの効果 : クォテリレン薄膜を例として
• ドーピングによるシリサイドの仕事関数の変調 : シリサイドの物理に基づく理論(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 科学技術動向研究 無機材料研究におけるマテリアルインフォマティックスの動向
• 先端研究拠点事業:コンビナトリアル手法による新材料開発とその情報化に関する国際協力体制の構築
• コンビナトリアルナノケミストリーと電子材料開発への展開 (特集:エレクトロニクスの最先端とナノケミストリー)
• 27pTB-12 分子超格子のデバイス物性と励起子挙動(27pTB 領域7,領域8合同 電界効果/発光 トランジスタ,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27pTB-12 分子超格子のデバイス物性と励起子挙動(27pTB 領域7,領域8合同 電界効果/発光 トランジスタ,領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
• ショットキーバリア高さ制御のための元素添加によるアルミナ-金属界面結合変化の定量的予測式
• アルミナ-金属界面の結合を介する原子の種類を予測する一般式
• 熱力学計算によるチオール・カルボン酸の様々な無機基板表面への化学吸着の考察

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