平間 一行 | 早大理工
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概要
関連著者
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川原田 洋
早大理工
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平間 一行
早大理工
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川原田 洋
早大理工学術院
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梅沢 仁
産総研
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川原田 洋
早稲田大学理工学術院
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川原田 洋
早稲田大学理工学部
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平間 一行
早稲田大学理工学部
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川原田 洋
早稲田大学・理工学部
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高野 義彦
物材機構
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入山 慎吾
早大理工
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河野 明大
早大理工
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岡田 竜介
早大理工
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梅沢 仁
早稲田大学理工学部電子・情報生命学科
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高野 義彦
(独)物質・材料研究機構
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川原 田洋
早大理工
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山口 尚秀
物材機構
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北郷 伸弥
早大理工
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梅澤 仁
産総研
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佐藤 充也
早稲田大学理工学部
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知京 豊裕
物材機構
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構
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田崎 義昭
東京大学大学院 工学系研究科
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渡邉 恵
早大理工
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知京 豊裕
金属材料技術研究所
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宋 光燮
早稲田大学理工学部電子・情報生命学科
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宮本 真吾
早稲田大学理工学部科学技術振興事業団戦略的創造研究推進事業
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松平 弘樹
早稲田大学理工学部科学技術振興事業団戦略的創造研究推進事業
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河野 真宏
早稲田大学理工学部科学技術振興事業団戦略的創造研究推進事業
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荻原 大輔
早稲田大学理工学術院
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知京 豊裕
物質・材料研究機構ナノマテリアル研/物質研
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宮本 真吾
科学技術振興事業団:早稲田大学理工学部
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構 半導体材料センター
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CHIKYOW T.
National Institute of Materials Science
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宋 光燮
早稲田大学理工学部電子・情報生命学科:早稲田大学ナノ研究センター
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知京 豊裕
物材機構:comet-nims:科技機構戦略
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宋 光燮
早稲田大学理工学部
著作論文
- 30aTL-1 高濃度ボロンドープダイヤモンド超伝導 : T_Cと結晶性の深さ方向分布との相関(30aTL ダイヤモンド超伝導他,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 20aQE-2 高濃度ボロンドープダイヤモンド超伝導への膜厚の影響(20aQE ダイヤモンド・Si超伝導,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 20aQE-1 (111),(001),(110)高濃度ボロンドープダイヤモンド薄膜の超伝導絶縁体転移の臨界濃度(20aQE ダイヤモンド・Si超伝導,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 水素終端表面チャネル型ダイヤモンドRFトランジスタ(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- SC-6-3 DC & RF Characteristics of Sub-micron Gate Diamond FETs
- 水素終端表面チャネル型ダイヤモンドRFトランジスタ(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- ワイドギャップ半導体ダイヤモンドを用いた高周波高出力MOSFETの開発 (特集 産業材料としてのダイヤモンド)
- 水素終端ダイヤモンド表面近傍に存在するp型表面蓄積層
- CS-9-2 PチャネルダイヤモンドMOSFETのDCおよびRF特性評価(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
- 科学解説 ホール蓄積層チャネルを用いた高周波ダイヤモンドFET