川原田 洋 | 早稲田大学理工学術院
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概要
関連著者
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川原田 洋
早大理工
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高野 義彦
物材機構
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川原田 洋
早稲田大学理工学部
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竹之内 智大
早大理工
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梅沢 仁
産総研
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山口 尚秀
物材機構
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田崎 義昭
東京大学大学院 工学系研究科
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高野 義彦
物質・材料研究機構
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高野 義彦
金材技研
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梅沢 仁
早稲田大学理工学部電子・情報生命学科
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野村 亮
早大理工
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中村 仁
電通大量子・物質工学科
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北郷 伸弥
早大理工
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渡邉 恵
早大理工
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長尾 雅則
物材機構
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山田 修義
電通大量子・物質工
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山田 修義
電通大量子・物質
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山田 修義
電通大電子物性
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坂口 勲
物材機構
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坂口 勲
無機材質研究所
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長尾 雅則
山梨大工
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立木 実
物材機構
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平間 一行
早大理工
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小口 多美夫
広大院先端
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高野 義彦
物質材料研
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平間 一行
早稲田大学理工学部
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黒木 和彦
電通大量子・物質工
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長尾 雅則
物質材料研
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河野 明大
早大理工
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宋 光燮
早稲田大学理工学部電子・情報生命学科
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立木 実
早稲田大学理工学部,CREST科学技術振興事業団
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石坂 博明
早稲田大学理工学部,CREST科学技術振興事業団
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小林 典男
東北大金研
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西嵜 照和
東北大金研
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知京 豊裕
物材機構
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中村 仁
電通大
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構
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渡邉 徹
Nims:jst-trip:筑波大
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入山 慎吾
早大理工
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栄長 泰明
慶大理工
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栄長 泰明
慶応義塾大理工
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高野 義彦
NIMS
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岡田 耕三
岡山大院自然科学
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坂口 勲
物質材料研
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Ederer D.
Tulane大
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Ederer D.L.
Tulane大
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岡田 耕三
岡山大院自然
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Ederer D.
Department Of Physics Tulane University
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知京 豊裕
金属材料技術研究所
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谷内 寛直
早稲田大学理工学部
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椋田 秀和
阪大院基礎工
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北岡 良雄
阪大院基礎工
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原田 淳之
物材機構
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清水 克哉
阪大極限セ
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加賀山 朋子
阪大極限セ
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沖 尚浩
阪大極限セ
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坂田 雅文
阪大極限セ
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中村 哲也
JASRI
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岡崎 宏之
岡山大院自然
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竹屋 浩幸
物材機構
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阿部 浩二
電通大量子・物質工
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阿部 浩二
電気通信大学
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竹屋 浩幸
金材技研
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石井 聡
筑波大加速器
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竹屋 浩幸
物質・材料研究機構
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竹屋 浩幸
NIMS
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石井 聡
物材機構
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大石 亮
電通大量子・物質工学科
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佐藤 貴之
電通大量子・物質工学科
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長尾 雅則
NIMS
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梅澤 仁
早大理工
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岡崎 宏之
岡山大院自然:jst-crest
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出口 啓太
物材機構
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渡辺 英一郎
物材機構
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竹之内 智大
早稲田理工
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川原田 洋
早稲田理工
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羽多野 毅
物材機構
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原田 淳之
阪大院基礎工
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渡邊 徹
物材機構
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清水 克哉
大阪大学 極限量子科学研究センター
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津田 俊輔
物材機構mana:jst-trip
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佐藤 貴之
電通大量子・物質
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室 隆桂之
高輝度光科学研究センター
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小林 健作
早稲田理工
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羽多野 毅
物質・材料研究機構:東京理科大理工
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Ederer D
Tulane Univ. Louisiana
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Ederer D.l.
Tulane Univ.
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大石 亮
電通大量子・物質
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津谷 大樹
物材機構
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清水 克哉
大阪大学大学院基礎工学研究科
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清水 克哉
大阪大学基礎工学部物性物理工学科
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山田 修義
電通大物工
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岡田 竜介
早大理工
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佐藤 充也
早稲田大学理工学部
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宮本 真吾
早稲田大学理工学部科学技術振興事業団戦略的創造研究推進事業
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有馬 拓也
早稲田大学
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角 博文
ソニー(株)半導体(事)イメージセンサ事業部
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中本 有紀
阪大極限セ
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三宅 厚志
阪大極限セ
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菅原 克明
東北大WPI
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佐藤 宇史
東北大院理
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高橋 隆
東北大院理
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荒金 俊行
東北大院理
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富樫 格
理研XFEL
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松下 智裕
JASRI, SPring-8
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横谷 尚睦
岡山大院自然
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為則 雄祐
JASRI, SPring-8
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竹内 晃久
高輝度光科学研究センター SPring-8
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高橋 隆
東北大学原子分子材料科学高等研究機構:東北大学大学院理学研究科
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菅原 克明
東北大学原子分子材料科学高等研究機構
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津田 俊輔
物材機構
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上田 真也
東京農工大工
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石井 聰
筑波大・研基セ
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Chen C.
CAS
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中村 雄介
早稲田大学理工学部電子・情報生命学科:早稲田大学ナノ研究センター
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松下 智裕
Jasri
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脇田 高穂
Jst-crest:岡山大理界面
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脇田 高徳
東北大院理:東大物性研
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平井 正明
岡山大院自然:岡山大理界面
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江口 律子
理研:spring-8
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岡崎 宏之
岡大院自然
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村岡 祐治
岡大院自然
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横谷 尚睦
岡大院自然
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脇田 高徳
岡大理界面
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平井 正明
岡大理界面
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菅原 克明
東北大院理
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椛沢 栄基
電通大量子物質工
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Denlinger J.
LBNL-ALS
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富樫 格
理化学研究所X線自由電子レーザー計画推進本部
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室隆 桂之
JASRI
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村岡 祐治
岡山大院自然:jst-crest:岡山大理界面
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原田 慈久
理研SPring-8
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原田 慈久
東大院工:東大放射光機構:理研:spring-8
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加賀山 朋子
熊本大工
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小林 啓介
高輝度光科学研究センター
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水口 佳一
NIMS
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渡邊 徹
NIMS
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山口 尚秀
NIMS
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津田 俊輔
物材機構MANA
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関 雄太
早大理工
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木須 孝幸
理研
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HORIKAWA Yuka
RIKEN/SPring-8
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Denlinger J.D.
LBNL-ALS
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川田 純也
岡山大院自然
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元光 邦彦
岡山大院自然
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高田 恭孝
RIKEN SPring-8
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徳島 高
RIKEN SPring-8
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辛 埴
RIKEN SPring-8
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中村 哲也
理研
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辛 埴
物性研
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高田 恭孝
東大新領域:理研:spring8
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奥津 貴史
物材機構
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上田 真也
物材機構
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川原田 洋
早稲田大
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富岡 史明
物材機構
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加賀山 朋子
パリ会議準備委員会アンケート分析グループ:熊本大工
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加賀山 朋子
熊大教養
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水口 佳一
Jst-trip:物材機構:筑波大
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徳島 高
理研:spring8
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中村 哲也
高輝度光科学研究センター
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黒木 和彦
Jst-trip
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原田 敦之
物材機構
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為則 雄祐
Jasri
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Zhang C.Q.
CAS
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石坂 香子
物性研
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江口 律子
物性研
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津田 俊輔
物性研
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横谷 尚睦
JASRI
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渡部 俊太郎
物性研
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Zhang C.
CAS
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小林 健作
早大理工
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梅沢 仁
早大理工
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竹之内 智大
早稲田大学理工学部
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横谷 尚睦
高輝度光科学研究センター
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池永 英司
高輝度光科学研究センター
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小畠 雅明
高輝度光科学研究センター
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淡路 晃弘
高輝度光科学研究センター
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梅沢 仁
早稲田理工
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原田 洋
早稲田理工
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冨岡 史明
Nims:jst-trip
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椛沢 栄基
電通大量子・物質工
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為則 雄祐
Jasri/spring-8
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小林 清男
東北大金研
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小林 典男
東北大学金属材料研究所
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Takenouchi T.
Waseda Univ.
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石井 明
物材機構ナノマテリアル研
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竹内 晃久
(財)高輝度光科学研究センター
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大泊 巌
早稲田大学理工学部
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小畠 雅明
NIMS
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石井 聡
横浜国立大学大学院工学府物理工学コース
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石井 聰
筑波大 研基セ
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梅澤 仁
産総研
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出川 宗里
早稲田大学理工学部電子・情報生命学科
-
佐々木 順紀
早稲田大学理工学部電子・情報生命学科
-
松平 弘樹
早稲田大学理工学部科学技術振興事業団戦略的創造研究推進事業
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河野 真宏
早稲田大学理工学部科学技術振興事業団戦略的創造研究推進事業
-
坂野 時習
早稲田大学理工学部,CREST科学技術振興事業団
-
堺 俊克
早稲田大学理工学部,CREST科学技術振興事業団
-
梅澤 仁
早稲田大学理工学部,CREST科学技術振興事業団
-
藤原 直樹
早稲田大学
著作論文
- 20aPS-102 高濃度ボロンドープダイヤモンド単結晶薄膜の超伝導転移温度とキャリア密度の圧力依存性(20aPS 領域8ポスターセッション(低温I(遷移金属化合物,炭化・硼化物など)),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 20aGE-6 高濃度ボロンドープダイヤモンドによるステップ構造ジョセフソン接合(20aGE 銅酸化物・その他の超伝導,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 23pGD-7 ボロンドープダイヤモンドにおける渦糸構造のSTM/STS観測(23pGD 磁束量子系2(混合状態,磁束・渦糸状態ほか),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 30aTL-2 光電子分光による高濃度ホウ素ドープダイヤモンドの金属-絶縁体転移前後の電子状態の観測(30aTL ダイヤモンド超伝導他,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24aPS-75 ボロンドープダイヤモンドのラマンスペクトル及び赤外吸収スペクトル(24aPS 領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 27aPS-101 ボロンドープダイヤモンドのラマン及びX線吸収分光(27aPS 領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 20pYG-6 軟X線吸収・発光分光によるBドープダイヤモンドの電子状態(領域8シンポジウム(主題 : Bドープダイヤモンドの超伝導と電子状態,領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
- 28aRG-11 高濃度ボロンドープダイヤモンド単結晶薄膜の結晶構造とTcの膜厚依存性(層状窒化物・その他の超伝導,領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 24aPS-72 ホモエピタキシャル成長させたボロンドープダイヤモンドの電子状態(24aPS 領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 27aTD-11 ホウ素ドープCVDダイヤモンド薄膜の角度分解光電子分光(27aTD ホウ化物,炭化物(超伝導),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25pPSA-71 軟X線吸収・発光分光法による超伝導ボロンドープダイヤモンドの電子状態(低温,領域8ポスターセッション,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 21aPS-125 ボロンドープダイヤモンドにおける極低温トンネル顕微/分光(21aPS 領域8ポスターセッション(f電子系等および低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 19pYD-4 ホウ素ドープダイヤモンドのレーザー励起光電子スペクトルにみられる電子格子相互作用(光電子分光,領域5(光物性))
- 20pYG-2 ダイヤモンドの気相合成 : 半導体から超伝導体へ(領域8シンポジウム(主題 : Bドープダイヤモンドの超伝導と電子状態,領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24aWA-8 硬x線光電子分光によるボロンドープ超伝導ダイヤモンド薄膜の電子状態(ホウ素・炭素系(超伝導・四極子),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 21aPS-124 単結晶ボロンドープダイヤモンドの軟X線吸収スペクトルにおけるギャップ内準位(21aPS 領域8ポスターセッション(f電子系等および低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 30aTL-1 高濃度ボロンドープダイヤモンド超伝導 : T_Cと結晶性の深さ方向分布との相関(30aTL ダイヤモンド超伝導他,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 多結晶ダイヤモンド表面を用いた電解質溶液FETsのバイオセンサへの応用(バルク成長分科会特集-機能性材料ダイヤモンド-)
- 水素終端表面チャネル型ダイヤモンドRFトランジスタ(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- ダイヤモンドにおけるキャリア輸送特性と高周波FETへの応用
- SC-6-3 DC & RF Characteristics of Sub-micron Gate Diamond FETs
- ダイヤモンド表面のエレクトロニクス・バイオ応用
- C-10-8 表面チャネル型ダイヤモンドトランジスタの高周波・高出力特性
- 水素終端ダイヤモンド表面伝導層を利用した高性能電界効果トランジスタ
- C-10-6 ダイヤモンドMISFETの高周波評価
- 26pYA-5 ボロンドープダイヤモンドの超伝導転移温度の圧力依存性(超伝導,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 27aTD-8 ホウ素をドープしたダイヤモンドの^B-NMR(27aTD ホウ化物,炭化物(超伝導),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 27aTD-9 ボロンドープ超伝導ダイヤモンド薄膜のSTM測定(27aTD ホウ化物,炭化物(超伝導),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 21aPS-126 メタルチャンバーを用いたホウ素ドープダイヤモンドのCVD合成と物性評価(21aPS 領域8ポスターセッション(f電子系等および低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 27aTD-10 ダイヤモンド薄膜の超伝導特性(27aTD ホウ化物,炭化物(超伝導),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24aPS-2 ダイヤモンド超伝導の最近の展開(24aPS 領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 19aPS-47 Bをドープしたダイヤモンドの^B-NMR(領域8ポスターセッション(f電子系等I),領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25aWB-5 ダイヤモンド超伝導体によるNISトンネル接合の特性評価(25aWB 炭化・硼化物・新物質,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 水素終端表面チャネル型ダイヤモンドRFトランジスタ(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 簡素で効果的な固定パターンノイズ抑圧を実現したCMOSイメージセンサの動作解析
- クエン酸浴から電析されたZnTe薄膜のホール効果測定による電気的特性の評価
- 4. 先端放電型マイクロ波プラズマCVDによる単層カーボンナノチューブ配向成長(プラズマプロセスによるカーボンナノチューブ配向成長の現状と課題)
- 電解質溶液ゲートFETを利用したDNAセンサー
- 水素終端ダイヤモンド表面近傍に存在するp型表面蓄積層
- CS-9-2 PチャネルダイヤモンドMOSFETのDCおよびRF特性評価(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
- 24aXB-3 Tc(offset)>10Kの高濃度ボロンドープダイヤモンド(111)薄膜における超伝導特性(24aXB 超伝導,領域6(金属,超低温超伝導・密度波))
- 23aPS-101 ホウ素ドープダイヤモンドにおける深紫外光応答に関する研究(23aPS 領域8ポスターセッション(低温I(鉄系超伝導,銅酸化物など)),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- ダイヤモンド表面チャネル型FET : その動作機構と応用 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- 表面修飾ダイヤモンドトランジスタによるDNA及びバイオセンシング応用
- 25pEH-6 高濃度ボロンドープ超伝導ダイヤモンド薄膜における特性評価(25pEH 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 25pEH-7 超伝導ボロンドープダイヤモンドを用いた積層構造の電気特性評価(25pEH 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- β-SiCをバッファ層としたSi(001)基板上でのダイヤモンド・ヘテロエピタキシャル成長(カーボン)
- 気相成長ダイヤモンドの超伝導
- ホウ素ドープ・ダイヤモンドの超伝導
- news ダイヤモンドの超伝導
- 21pHC-12 超伝導ボロンドープダイヤモンド積層構造による接合の特性評価(21pHC 超伝導・密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 21pHC-11 超伝導ボロンドープダイヤモンド(111)薄膜の異方性評価(21pHC 超伝導・密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 界面の構造と欠陥
- 26pXZE-11 イオン液体を用いたダイヤモンド表面伝導の電界制御II(26pXZE 領域8,領域7合同 電界効果・薄膜,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pXZE-11 イオン液体を用いたダイヤモンド表面伝導の電界制御II(26pXZE 領域8,領域7合同 電界効果・薄膜,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))