平間 一行 | 早稲田大学理工学部

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概要

• 同名の論文著者
• 早稲田大学理工学部の論文著者

関連著者

• 川原田 洋

  早大理工

• 川原田 洋

  早稲田大学理工学部

• 平間 一行

  早大理工

• 平間 一行

  早稲田大学理工学部

• 川原田 洋

  早稲田大学理工学術院

• 川原田 洋

  早大理工学術院

• 川原田 洋

  早稲田大学・理工学部

• 梅沢 仁

  産総研

• 梅沢 仁

  早稲田大学理工学部電子・情報生命学科

• 佐藤 充也

  早稲田大学理工学部

• 宋 光燮

  早稲田大学理工学部電子・情報生命学科

• 宮本 真吾

  早稲田大学理工学部科学技術振興事業団戦略的創造研究推進事業

• 松平 弘樹

  早稲田大学理工学部科学技術振興事業団戦略的創造研究推進事業

• 河野 真宏

  早稲田大学理工学部科学技術振興事業団戦略的創造研究推進事業

• 荻原 大輔

  早稲田大学理工学術院

• 宮本 真吾

  科学技術振興事業団:早稲田大学理工学部

• 宋 光燮

  早稲田大学理工学部電子・情報生命学科:早稲田大学ナノ研究センター

• 宋 光燮

  早稲田大学理工学部

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著作論文

• 水素終端表面チャネル型ダイヤモンドRFトランジスタ(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• SC-6-3 DC & RF Characteristics of Sub-micron Gate Diamond FETs
• 水素終端表面チャネル型ダイヤモンドRFトランジスタ(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• 水素終端ダイヤモンド表面近傍に存在するp型表面蓄積層
• CS-9-2 PチャネルダイヤモンドMOSFETのDCおよびRF特性評価(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)

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