24aPS-75 ボロンドープダイヤモンドのラマンスペクトル及び赤外吸収スペクトル(24aPS 領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2006-08-18
著者
-
川原田 洋
早大理工
-
阿部 浩二
電通大量子・物質工
-
阿部 浩二
電気通信大学
-
中村 仁
電通大
-
山田 修義
電通大量子・物質工
-
山田 修義
電通大量子・物質
-
山田 修義
電通大電子物性
-
栄長 泰明
慶大理工
-
栄長 泰明
慶応義塾大理工
-
大石 亮
電通大量子・物質工学科
-
佐藤 貴之
電通大量子・物質工学科
-
中村 仁
電通大量子・物質工学科
-
竹之内 智大
早大理工
-
高野 義彦
NIMS
-
長尾 雅則
NIMS
-
長尾 雅則
山梨大工
-
佐藤 貴之
電通大量子・物質
-
大石 亮
電通大量子・物質
-
川原田 洋
早稲田大学理工学術院
-
中村 仁
電通大量子・物質工
-
川原田 洋
早大理工学術院
-
阿部 浩二
電通大量子
-
中村 仁
電通大量子
関連論文
- 20aPS-102 高濃度ボロンドープダイヤモンド単結晶薄膜の超伝導転移温度とキャリア密度の圧力依存性(20aPS 領域8ポスターセッション(低温I(遷移金属化合物,炭化・硼化物など)),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- コア・カリキュラム学習支援システムの効果的運用方法について(教育実践)
- 20aGE-6 高濃度ボロンドープダイヤモンドによるステップ構造ジョセフソン接合(20aGE 銅酸化物・その他の超伝導,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25pXB-12 コヒーレントフォノン励起に向けた二波長発振注入同期パルスレーザーの開発(高密度励起,領域5,光物性)
- 20aRC-11 「コア・カリキュラム学習支援」システムの改善手法(20aRC 物理教育,領域13(物理教育,物理学史,環境物理))
- 26aPS-71 La_Ca_xCoO_4のラマン散乱スペクトルと赤外吸収の偏光依存性(領域8ポスターセッション(低温(Cu,Ru,Mn,Co酸化物など,磁束量子系,鉄系超伝導体)),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 27aVE-6 学習者カルテに基づくコア・カリキュラムの学習支援とその改善(物理教育,領域13,物理教育,物理学史,環境物理)
- 28pYE-2 学習者カルテに基づくコア・カリキュラムの学習支援とその効果(28pYE 物理教育,領域13(物理教育,物理学史,環境物理))
- 20pPSB-39 層状コバルト酸化物La_Ca_xCoO_4の超音波測定(20pPSB 領域8ポスターセッション(低温:Cu酸化物,Ru酸化物,Co酸化物),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 28aXK-12 STO18の電場印加ラマンスペクトル(誘電体)(領域10)
- 22aXC-4 STO18 のラマンスペクトル : 電場効果
- 23pGD-7 ボロンドープダイヤモンドにおける渦糸構造のSTM/STS観測(23pGD 磁束量子系2(混合状態,磁束・渦糸状態ほか),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 30aTL-2 光電子分光による高濃度ホウ素ドープダイヤモンドの金属-絶縁体転移前後の電子状態の観測(30aTL ダイヤモンド超伝導他,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24aPS-75 ボロンドープダイヤモンドのラマンスペクトル及び赤外吸収スペクトル(24aPS 領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 27aPS-101 ボロンドープダイヤモンドのラマン及びX線吸収分光(27aPS 領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 20pYG-6 軟X線吸収・発光分光によるBドープダイヤモンドの電子状態(領域8シンポジウム(主題 : Bドープダイヤモンドの超伝導と電子状態,領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
- 28aRG-11 高濃度ボロンドープダイヤモンド単結晶薄膜の結晶構造とTcの膜厚依存性(層状窒化物・その他の超伝導,領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 21aPS-123 軟X線吸収発光分光法によるボロンドープダイヤモンドの電子状態II(領域8ポスターセッション(低温),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 19aWF-6 軟X線吸収発光分光法によるボロンドープダイヤモンドの電子状態(19aWF ドープダイヤモンド,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24aPS-72 ホモエピタキシャル成長させたボロンドープダイヤモンドの電子状態(24aPS 領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 27aTD-11 ホウ素ドープCVDダイヤモンド薄膜の角度分解光電子分光(27aTD ホウ化物,炭化物(超伝導),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 21aPS-125 ボロンドープダイヤモンドのラマンスペクトル及び赤外吸収スペクトルII(領域8ポスターセッション(低温),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 19aWF-7 ボロンドープダイアモンドのラマン散乱スペクトル(19aWF ドープダイヤモンド,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25pPSA-71 軟X線吸収・発光分光法による超伝導ボロンドープダイヤモンドの電子状態(低温,領域8ポスターセッション,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24aPS-125 BドープダイヤモンドとCaインターカレートグラファイトの圧力効果(24aPS ポスターセッション(低温),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 21aPS-128 ボロンドープダイヤモンド薄膜の圧力特性(領域8ポスターセッション(低温),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 24pXA-4 ホウ素ドープダイヤモンドとカーボンナノチューブ(ダイヤモンド・Si超伝導,領域8,強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 19aWF-2 ダイヤモンド超伝導体の結晶成長方向と超伝導特性(19aWF ドープダイヤモンド,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 21aPS-124 Bドープダイヤモンドの基本光学特性II(領域8ポスターセッション(低温),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 20aHL-5 選択的二波長発振注入同期レーザーによる高コヒーレント音波生成(20aHL 高密度励起現象,領域5(光物性))
- 21aPS-125 ボロンドープダイヤモンドにおける極低温トンネル顕微/分光(21aPS 領域8ポスターセッション(f電子系等および低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 18pRD-1 高濃度ボロンドープダイヤモンド超伝導体の逆光電子分光(超伝導・電荷密度波,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 19aWF-4 低エネルギー光電子分光による超伝導ボロンドープダイヤモンドの研究(19aWF ドープダイヤモンド,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 19aWF-5 高濃度ボロンドープダイヤモンドの軟X線角度分解光電子分光(19aWF ドープダイヤモンド,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 19pYD-4 ホウ素ドープダイヤモンドのレーザー励起光電子スペクトルにみられる電子格子相互作用(光電子分光,領域5(光物性))
- 24aWA-8 硬x線光電子分光によるボロンドープ超伝導ダイヤモンド薄膜の電子状態(ホウ素・炭素系(超伝導・四極子),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24aWA-7 超伝導性ボロンドープダイヤモンド薄膜のレーザー励起光電子分光(ホウ素・炭素系(超伝導・四極子),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24aWA-6 B-dopedホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の超伝導特性(ホウ素・炭素系(超伝導・四極子),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25pRH-9 高濃度ホウ素ドープダイヤモンドの高分解能光電子分光 : 金属-絶縁体転移前後の電子状態(25pRH 領域8,領域10合同招待講演,パイロクロア・ダイヤモンド超伝導,領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 21aPS-124 単結晶ボロンドープダイヤモンドの軟X線吸収スペクトルにおけるギャップ内準位(21aPS 領域8ポスターセッション(f電子系等および低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 30aTL-1 高濃度ボロンドープダイヤモンド超伝導 : T_Cと結晶性の深さ方向分布との相関(30aTL ダイヤモンド超伝導他,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 20aQE-2 高濃度ボロンドープダイヤモンド超伝導への膜厚の影響(20aQE ダイヤモンド・Si超伝導,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 20aQE-1 (111),(001),(110)高濃度ボロンドープダイヤモンド薄膜の超伝導絶縁体転移の臨界濃度(20aQE ダイヤモンド・Si超伝導,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 多結晶ダイヤモンド表面を用いた電解質溶液FETsのバイオセンサへの応用(バルク成長分科会特集-機能性材料ダイヤモンド-)
- 13aPS-123 CVD 気相成長ダイヤモンドにおける超伝導の発見(低温 : 超伝導・金属絶縁体転移, 領域 8)
- 水素終端表面チャネル型ダイヤモンドRFトランジスタ(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- ダイヤモンドにおけるキャリア輸送特性と高周波FETへの応用
- SC-6-3 DC & RF Characteristics of Sub-micron Gate Diamond FETs
- 水素終端表面伝導層を用いた高周波ダイヤモンドFET(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- ダイヤモンド表面のエレクトロニクス・バイオ応用
- C-10-8 表面チャネル型ダイヤモンドトランジスタの高周波・高出力特性
- 水素終端ダイヤモンド表面伝導層を利用した高性能電界効果トランジスタ
- C-10-6 ダイヤモンドMISFETの高周波評価
- 26pYA-5 ボロンドープダイヤモンドの超伝導転移温度の圧力依存性(超伝導,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 25pRH-7 高濃度ボロンドープダイヤモンド超伝導体における結晶格子の伸張(25pRH 領域8,領域10合同招待講演,パイロクロア・ダイヤモンド超伝導,領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24pXA-1 高濃度ホウ素ドープダイヤモンドの軟X線光電子分光(ダイヤモンド・Si超伝導,領域8,強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 19aWF-3 ホウ素をドープしたダイヤモンドの^B-NMR II(19aWF ドープダイヤモンド,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 27aTD-8 ホウ素をドープしたダイヤモンドの^B-NMR(27aTD ホウ化物,炭化物(超伝導),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 27aTD-9 ボロンドープ超伝導ダイヤモンド薄膜のSTM測定(27aTD ホウ化物,炭化物(超伝導),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 21aPS-126 メタルチャンバーを用いたホウ素ドープダイヤモンドのCVD合成と物性評価(21aPS 領域8ポスターセッション(f電子系等および低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 27aTD-10 ダイヤモンド薄膜の超伝導特性(27aTD ホウ化物,炭化物(超伝導),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 28pRB-1 酸素同位体置換したSrTi^O_3(STO18)の強誘電的分域による透過光強度の温度変化(28pRB 誘電体(SrTiO_3系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 28aRB-1 水晶(SiO_2)の不整合相転移点近傍での分域形成過程(28aRB 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- C-10-5 ディープサブミクロンチャネルダイヤモンドMISFET作製
- 19aPS-47 Bをドープしたダイヤモンドの^B-NMR(領域8ポスターセッション(f電子系等I),領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25aWB-5 ダイヤモンド超伝導体によるNISトンネル接合の特性評価(25aWB 炭化・硼化物・新物質,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 水素終端表面チャネル型ダイヤモンドRFトランジスタ(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 「若手技術者・研究者の多様なキャリアパス」を通して
- 3a-W-4 ___
- 2p-N-11 ダイヤモンドのサーモルミネセンス
- 簡素で効果的な固定パターンノイズ抑圧を実現したCMOSイメージセンサの動作解析
- クエン酸浴から電析されたZnTe薄膜のホール効果測定による電気的特性の評価
- 4. 先端放電型マイクロ波プラズマCVDによる単層カーボンナノチューブ配向成長(プラズマプロセスによるカーボンナノチューブ配向成長の現状と課題)
- ワイドギャップ半導体ダイヤモンドを用いた高周波高出力MOSFETの開発 (特集 産業材料としてのダイヤモンド)
- 電解質溶液ゲートFETを利用したDNAセンサー
- 水素終端ダイヤモンド表面近傍に存在するp型表面蓄積層
- CS-9-2 PチャネルダイヤモンドMOSFETのDCおよびRF特性評価(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
- 科学解説 ホール蓄積層チャネルを用いた高周波ダイヤモンドFET
- 24aXB-3 Tc(offset)>10Kの高濃度ボロンドープダイヤモンド(111)薄膜における超伝導特性(24aXB 超伝導,領域6(金属,超低温超伝導・密度波))
- 磁場制御による低圧マイクロ波プラズマでのダイヤモンド合成
- 23aPS-101 ホウ素ドープダイヤモンドにおける深紫外光応答に関する研究(23aPS 領域8ポスターセッション(低温I(鉄系超伝導,銅酸化物など)),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- ダイヤモンド表面チャネル型FET : その動作機構と応用 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- JJAPフレンドシップミーティング報告
- 表面伝導層を用いたダイヤモンド電子デバイス
- ダイヤモンドナノ加工技術 (特集 ナノ機能性材料)
- ダイヤモンド表面伝導チャネルによる電子デバイス応用の展開 (特集 ハードエレクトロニクス--超低損失パワーデバイス技術) -- (ナイトライドとダイヤモンドを含む高周波デバイス)
- p型半導体ダイヤモンドとその応用 (特集 ダイヤモンド)
- プラズマCVD法によるダイヤモンドの生成--磁場中のマイクロ波プラズマについて
- 表面修飾ダイヤモンドトランジスタによるDNA及びバイオセンシング応用
- 25pEH-7 超伝導ボロンドープダイヤモンドを用いた積層構造の電気特性評価(25pEH 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- β-SiCをバッファ層としたSi(001)基板上でのダイヤモンド・ヘテロエピタキシャル成長(カーボン)
- 天然ダイヤモンドを上回る高品質ダイヤモンドの合成
- ダイヤモンド電界効果トランジスタの現状と将来
- 4p-Y-6 ダイヤモンドコヒーレント超薄膜の構造制御と物性
- 気相合成ダイヤモンドの選択成長
- ダイヤモンド薄膜による新しい発光素子
- ダイヤモンド状薄膜
- 26pXZE-11 イオン液体を用いたダイヤモンド表面伝導の電界制御II(26pXZE 領域8,領域7合同 電界効果・薄膜,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25aEB-2 T_c=25Kの超伝導ダイヤモンドの角度分解光電子分光(超電導物質1,領域8(強相関系分野:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 30aCM-9 超伝導ダイヤモンドの結晶性によるT_cの変化(30aCM 超伝導物質,領域8(強相関係))