プラズマCVD法によるダイヤモンドの生成--磁場中のマイクロ波プラズマについて

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概要

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• 化学工業社の論文

著者

• 川原田 洋

  早大理工

• 鈴木 準一

  島津製作所

関連論文

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• 21aPS-123 軟X線吸収発光分光法によるボロンドープダイヤモンドの電子状態II(領域8ポスターセッション(低温),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
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• 27aTD-11 ホウ素ドープCVDダイヤモンド薄膜の角度分解光電子分光(27aTD ホウ化物,炭化物(超伝導),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 21aPS-125 ボロンドープダイヤモンドのラマンスペクトル及び赤外吸収スペクトルII(領域8ポスターセッション(低温),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
• 19aWF-7 ボロンドープダイアモンドのラマン散乱スペクトル(19aWF ドープダイヤモンド,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 25pPSA-71 軟X線吸収・発光分光法による超伝導ボロンドープダイヤモンドの電子状態(低温,領域8ポスターセッション,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 24aPS-125 BドープダイヤモンドとCaインターカレートグラファイトの圧力効果(24aPS ポスターセッション(低温),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 21aPS-128 ボロンドープダイヤモンド薄膜の圧力特性(領域8ポスターセッション(低温),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
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• 18pRD-1 高濃度ボロンドープダイヤモンド超伝導体の逆光電子分光(超伝導・電荷密度波,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
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• 24aWA-7 超伝導性ボロンドープダイヤモンド薄膜のレーザー励起光電子分光(ホウ素・炭素系(超伝導・四極子),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
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• 25pRH-9 高濃度ホウ素ドープダイヤモンドの高分解能光電子分光 : 金属-絶縁体転移前後の電子状態(25pRH 領域8,領域10合同招待講演,パイロクロア・ダイヤモンド超伝導,領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 21aPS-124 単結晶ボロンドープダイヤモンドの軟X線吸収スペクトルにおけるギャップ内準位(21aPS 領域8ポスターセッション(f電子系等および低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 30aTL-1 高濃度ボロンドープダイヤモンド超伝導 : T_Cと結晶性の深さ方向分布との相関(30aTL ダイヤモンド超伝導他,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 20aQE-2 高濃度ボロンドープダイヤモンド超伝導への膜厚の影響(20aQE ダイヤモンド・Si超伝導,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 20aQE-1 (111),(001),(110)高濃度ボロンドープダイヤモンド薄膜の超伝導絶縁体転移の臨界濃度(20aQE ダイヤモンド・Si超伝導,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 多結晶ダイヤモンド表面を用いた電解質溶液FETsのバイオセンサへの応用(バルク成長分科会特集-機能性材料ダイヤモンド-)
• 13aPS-123 CVD 気相成長ダイヤモンドにおける超伝導の発見(低温 : 超伝導・金属絶縁体転移, 領域 8)
• 水素終端表面チャネル型ダイヤモンドRFトランジスタ(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• ダイヤモンドにおけるキャリア輸送特性と高周波FETへの応用
• SC-6-3 DC & RF Characteristics of Sub-micron Gate Diamond FETs
• 水素終端表面伝導層を用いた高周波ダイヤモンドFET(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
• ダイヤモンド表面のエレクトロニクス・バイオ応用
• C-10-8 表面チャネル型ダイヤモンドトランジスタの高周波・高出力特性
• 水素終端ダイヤモンド表面伝導層を利用した高性能電界効果トランジスタ
• C-10-6 ダイヤモンドMISFETの高周波評価
• 26pYA-5 ボロンドープダイヤモンドの超伝導転移温度の圧力依存性(超伝導,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
• 25pRH-7 高濃度ボロンドープダイヤモンド超伝導体における結晶格子の伸張(25pRH 領域8,領域10合同招待講演,パイロクロア・ダイヤモンド超伝導,領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 24pXA-1 高濃度ホウ素ドープダイヤモンドの軟X線光電子分光(ダイヤモンド・Si超伝導,領域8,強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など)
• 19aWF-3 ホウ素をドープしたダイヤモンドの^B-NMR II(19aWF ドープダイヤモンド,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 27aTD-8 ホウ素をドープしたダイヤモンドの^B-NMR(27aTD ホウ化物,炭化物(超伝導),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 27aTD-9 ボロンドープ超伝導ダイヤモンド薄膜のSTM測定(27aTD ホウ化物,炭化物(超伝導),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 21aPS-126 メタルチャンバーを用いたホウ素ドープダイヤモンドのCVD合成と物性評価(21aPS 領域8ポスターセッション(f電子系等および低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 27aTD-10 ダイヤモンド薄膜の超伝導特性(27aTD ホウ化物,炭化物(超伝導),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• C-10-5 ディープサブミクロンチャネルダイヤモンドMISFET作製
• 19aPS-47 Bをドープしたダイヤモンドの^B-NMR(領域8ポスターセッション(f電子系等I),領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
• 25aWB-5 ダイヤモンド超伝導体によるNISトンネル接合の特性評価(25aWB 炭化・硼化物・新物質,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 水素終端表面チャネル型ダイヤモンドRFトランジスタ(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• 「若手技術者・研究者の多様なキャリアパス」を通して
• 3a-W-4 ___
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• 簡素で効果的な固定パターンノイズ抑圧を実現したCMOSイメージセンサの動作解析
• クエン酸浴から電析されたZnTe薄膜のホール効果測定による電気的特性の評価
• 4. 先端放電型マイクロ波プラズマCVDによる単層カーボンナノチューブ配向成長(プラズマプロセスによるカーボンナノチューブ配向成長の現状と課題)
• ワイドギャップ半導体ダイヤモンドを用いた高周波高出力MOSFETの開発 (特集 産業材料としてのダイヤモンド)
• 電解質溶液ゲートFETを利用したDNAセンサー
• 水素終端ダイヤモンド表面近傍に存在するp型表面蓄積層
• CS-9-2 PチャネルダイヤモンドMOSFETのDCおよびRF特性評価(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
• 科学解説 ホール蓄積層チャネルを用いた高周波ダイヤモンドFET
• 24aXB-3 Tc(offset)>10Kの高濃度ボロンドープダイヤモンド(111)薄膜における超伝導特性(24aXB 超伝導,領域6(金属,超低温超伝導・密度波))
• 磁場制御による低圧マイクロ波プラズマでのダイヤモンド合成
• 23aPS-101 ホウ素ドープダイヤモンドにおける深紫外光応答に関する研究(23aPS 領域8ポスターセッション(低温I(鉄系超伝導,銅酸化物など)),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• ダイヤモンド表面チャネル型FET : その動作機構と応用 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
• JJAPフレンドシップミーティング報告
• 表面伝導層を用いたダイヤモンド電子デバイス
• ダイヤモンドナノ加工技術 (特集 ナノ機能性材料)
• ダイヤモンド表面伝導チャネルによる電子デバイス応用の展開 (特集 ハードエレクトロニクス--超低損失パワーデバイス技術) -- (ナイトライドとダイヤモンドを含む高周波デバイス)
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• ECRプラズマCVD法によるDLC膜の成膜とハ-ドディスク装置用ヘッドへの応用
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• プラズマCVD法によるダイヤモンドの生成--磁場中のマイクロ波プラズマについて
• プラズマCVD法によるa-Si膜の作成と太陽電池への応用
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