20aQE-1 (111),(001),(110)高濃度ボロンドープダイヤモンド薄膜の超伝導絶縁体転移の臨界濃度(20aQE ダイヤモンド・Si超伝導,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2008-08-25

著者

• 高野 義彦

  物材機構

• 山口 尚秀

  物材機構

• 川原田 洋

  早大理工

• 入山 慎吾

  早大理工

• 河野 明大

  早大理工

• 北郷 伸弥

  早大理工

• 梅沢 仁

  産総研

• 岡田 竜介

  早大理工

• 平間 一行

  早大理工

• 高野 義彦

  (独)物質・材料研究機構

• 川原 田洋

  早大理工

• 川原田 洋

  早大理工学術院

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