20aHX-13 微細孔のあるメゾスコピック正方形超伝導体における局所電流注入による渦糸状態間転移(20aHX 超伝導・電荷密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2010-03-01
著者
-
黒田 隆
筑波大数理物質
-
初見 慎也
筑波大数理物質
-
大塚 洋一
筑波大数理物質
-
神田 晶申
筑波大数理物質
-
Milosevic M.
アントワープ大
-
Peeters F.
アントワープ大
-
高野 義彦
物材機構
-
山口 尚秀
物材機構
-
田崎 義昭
東京大学大学院 工学系研究科
-
高野 義彦
金材技研
-
高野 義彦
物質・材料研究機構
-
大塚 洋一
筑波大物理:学際物質センター
-
神田 晶申
筑波大物理
-
黒田 隆
物材機構
-
高野 義彦
(独)物質・材料研究機構
-
神田 晶申
筑波大学大学院数理物質科学研究科
-
神田 晶申
筑波大学物理
-
Ootuka Youiti
Department Of Physics Faculty Of Science University Of Tokyo
-
Ootuka Youiti
Tsukuba Research Center For Interdisciplinary Materials Science And Institute Of Physics University
-
Ootuka Youiti
Institute Of Physics Tsukuba University
-
大塚 洋一
筑波大数理
関連論文
- 23aGH-2 FeTe系の超伝導特性(23aGH Fe(Se,Te),新規物質等(置換効果,分光等),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 21pPSA-39 MBJ法によるC_架橋系のトンネルスペクトロスコピー(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aHX-13 微細孔のあるメゾスコピック正方形超伝導体における局所電流注入による渦糸状態間転移(20aHX 超伝導・電荷密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 21aGS-7 グラフェン多層膜の高電界下における電気伝導(21aGS 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aGS-6 極めて短いグラフェン接合の電界効果(21aGS 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20pPSB-49 イオン液体を用いた高濃度電界ドーピング(20pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aGE-6 高濃度ボロンドープダイヤモンドによるステップ構造ジョセフソン接合(20aGE 銅酸化物・その他の超伝導,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25aYA-7 正方形メゾスコピック超伝導体における局所電流注入による渦糸状態操作II(超伝導(渦糸),領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 25aYA-6 メゾスコピック渦糸状態転移に対する欠陥の影響(超伝導(渦糸),領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 28aYJ-9 正方形メゾスコピック超伝導体における局所電流注入による渦糸状態操作(28aYJ 超伝導(渦糸),領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 20pHV-6 近接場局所光照射による量子ホール端状態の観測(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pYC-8 巨大磁気抵抗を示すθ-(BEDT-TTF)_2CsZn(SCN)_4の電子スピン共鳴下電気伝導(電荷秩序,電荷揺らぎ,非線形伝導,領域7,分子性固体・有機導体)
- 23pGD-7 ボロンドープダイヤモンドにおける渦糸構造のSTM/STS観測(23pGD 磁束量子系2(混合状態,磁束・渦糸状態ほか),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 23aGH-8 鉄カルコゲナイド系超伝導体Fe_(Se,Te)の低温走査トンネル分光(23aGH Fe(Se,Te),新規物質等(置換効果,分光等),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 21aGS-5 数層グラフェンにおける超伝導近接効果(21aGS 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pYE-8 グラファイトインターカレーション超伝導体CaC_6の共鳴光電子分光(グラフェン電子物性(形成と評価),領域7,分子性固体・有機導体)
- 30pTC-7 FeSe超伝導体の電子状態(30pTC 鉄砒素超伝導体6(光電子分光,STM),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 21aWF-4 高分解能光電子分光によるグラファイトインターカレーション超伝導体C_6Caの電子状態(21aWF フラーレン・超伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
- 30aTL-3 シリコンの光電子分光 : ボロン濃度依存性II(30aTL ダイヤモンド超伝導他,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 30aTL-2 光電子分光による高濃度ホウ素ドープダイヤモンドの金属-絶縁体転移前後の電子状態の観測(30aTL ダイヤモンド超伝導他,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 27aRH-11 FeSe・FeTe系超伝導線材の試作(鉄系超伝導体5(試料合成・薄膜など),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 20pYA-2 MgB_2及び関連物質のNMRによる研究
- 20aYA-5 単結晶および高密度多結晶MgB_2の輸送特性
- 単結晶および高密度多結晶MgB_2の磁気特性
- 18pPSB-13 MgB_2超伝導体におけるT_cの圧力効果
- 23aPS-48 フラックス法によるNa_xWO_3の単結晶育成
- 28aRH-5 鉄系超伝導体11系の結晶構造と超伝導特性(鉄系超伝導体7(圧力効果・構造など),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 28aRG-11 高濃度ボロンドープダイヤモンド単結晶薄膜の結晶構造とTcの膜厚依存性(層状窒化物・その他の超伝導,領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 27aTD-11 ホウ素ドープCVDダイヤモンド薄膜の角度分解光電子分光(27aTD ホウ化物,炭化物(超伝導),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 18pPSB-18 硼素K吸収端付近の軟X線吸収・発光分光による2硼化物の2p部分電子状態の研究
- 22pYF-15 LSCO固有ジョセフソン接合における脱出確率の接合数依存性(22pYF 微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aPS-100 ホウ素添加カーボンナノチューブのCVD合成と特性評価(24aPS ポスターセッション(低温),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24aPS-103 La214系ウィスカーの育成と評価(24aPS ポスターセッション(低温),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24aPS-125 BドープダイヤモンドとCaインターカレートグラファイトの圧力効果(24aPS ポスターセッション(低温),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24aRH-6 La_Sr_xCuO_4固有ジョセフソン接合におけるMQT(24aRH 高温超伝導(STM,トンネル効果),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 23aWB-2 ホウ素ドープMWNTの電気伝導特性(ナノチューブ(伝導),領域7,分子性固体・有機導体)
- 21pRC-10 ホウ素添加多層カーボンナノチューブの電気伝導(ナノチューブ(光物性・成長),領域7,分子性固体・有機導体)
- 21aPS-128 ボロンドープダイヤモンド薄膜の圧力特性(領域8ポスターセッション(低温),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 21aPS-137 ホウ酸・メタノールを用いたMWCNTのCVD合成(領域8ポスターセッション(低温),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 24pXA-4 ホウ素ドープダイヤモンドとカーボンナノチューブ(ダイヤモンド・Si超伝導,領域8,強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 18pRJ-3 多層カーボンナノチューブにおける電極加工と電気伝導(ナノチューブ・電気伝導・理論,領域7,分子性固体・有機導体)
- 19aWF-2 ダイヤモンド超伝導体の結晶成長方向と超伝導特性(19aWF ドープダイヤモンド,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 21aPS-124 Bドープダイヤモンドの基本光学特性II(領域8ポスターセッション(低温),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 21aPS-125 ボロンドープダイヤモンドにおける極低温トンネル顕微/分光(21aPS 領域8ポスターセッション(f電子系等および低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 18pRD-1 高濃度ボロンドープダイヤモンド超伝導体の逆光電子分光(超伝導・電荷密度波,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 19aWF-4 低エネルギー光電子分光による超伝導ボロンドープダイヤモンドの研究(19aWF ドープダイヤモンド,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 19aWF-5 高濃度ボロンドープダイヤモンドの軟X線角度分解光電子分光(19aWF ドープダイヤモンド,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 19pYD-4 ホウ素ドープダイヤモンドのレーザー励起光電子スペクトルにみられる電子格子相互作用(光電子分光,領域5(光物性))
- 24aWA-8 硬x線光電子分光によるボロンドープ超伝導ダイヤモンド薄膜の電子状態(ホウ素・炭素系(超伝導・四極子),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24aWA-7 超伝導性ボロンドープダイヤモンド薄膜のレーザー励起光電子分光(ホウ素・炭素系(超伝導・四極子),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24aWA-6 B-dopedホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の超伝導特性(ホウ素・炭素系(超伝導・四極子),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 20aQE-7 シリコンの光電子分光 : ボロン濃度依存性(20aQE ダイヤモンド・Si超伝導,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25pRH-9 高濃度ホウ素ドープダイヤモンドの高分解能光電子分光 : 金属-絶縁体転移前後の電子状態(25pRH 領域8,領域10合同招待講演,パイロクロア・ダイヤモンド超伝導,領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25pRH-10 Si電子状態のボロンドープ量依存性(25pRH 領域8,領域10合同招待講演,パイロクロア・ダイヤモンド超伝導,領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 30pTC-6 FeSe関連物質における高分解能光電子分光(30pTC 鉄砒素超伝導体6(光電子分光,STM),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24aRA-9 グラファイト超薄膜の電気伝導におけるAlトップゲートによる電界効果(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
- 25aYA-9 走査型SQUID顕微鏡で直接観測したアモルファスMoGe円板の磁束状態(超伝導(渦糸),領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 30aTL-1 高濃度ボロンドープダイヤモンド超伝導 : T_Cと結晶性の深さ方向分布との相関(30aTL ダイヤモンド超伝導他,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 20aQE-2 高濃度ボロンドープダイヤモンド超伝導への膜厚の影響(20aQE ダイヤモンド・Si超伝導,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 28pTB-5 強電界におけるグラフェンのバンドギャップ(28pTB 領域7シンポジウム:界面パイ電子系の物理と有機トランジスタ,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28pTC-8 ナノ構造超伝導体への局所電流注入による磁束状態制御(28pTC 領域8,領域6合同シンポジウム:ナノ構造超伝導体における磁束物理,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 28pTC-8 ナノ構造超伝導体への局所電流注入による磁束状態制御(28pTC 領域8,領域6合同シンポジウム:ナノ構造超伝導体における磁束物理,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 多層グラフェンにおける超伝導近接効果(不均一超伝導超流動状態と量子物理,研究会報告)
- 21aYE-4 2×2の微細孔を持つメゾスコピック超伝導体における渦糸配置のMSTJ法による検出(21aYE 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 23pRA-7 超薄膜グラファイトの伝導とゲート電圧効果(領域4シンポジウム,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 18pRG-9 グラファイト超薄膜-金属接合の電気伝導特性(グラファイト,領域7,分子性固体・有機導体)
- 26aZB-11 グラファイト超薄膜/金属電極接合の電極依存性(26aZB グラファイト,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pVE-8 極低温近接場光学顕微鏡を用いた2次元電子系境界の光応答マッピング(27pVE 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aXB-4 SQUID顕微鏡で直接観測した微小超伝導体の磁束配列とピン止めの効果(24aXB 超伝導,領域6(金属,超低温超伝導・密度波))
- 26aWL-6 トンネル接合型マイクロSQUIDによる分子磁性体磁化反転ダイナミクスの観測(26aWL 量子スピン(クラスター系),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 24aXB-5 メゾスコピック超伝導体における反渦糸状態の探索(24aXB 超伝導,領域6(金属,超低温超伝導・密度波))
- 21aWF-6 メゾスコピック超伝導体における渦糸状態の試料サイズ依存性(微小超伝導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pPSB-7 MCBJ法によるPt-H_2-Pt接合の伝導測定(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24pRA-4 バリスティック伝導を目指したグラフェン接合の作製と電界効果(24pRA 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24aXA-2 近接場局所光照射による量子ホール端状態の観測 その2(24aXA 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 18aRD-3 メゾスコピック超伝導リングにおける磁場に依存する超伝導揺らぎの観測(超伝導(渦糸),領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 23aWA-7 小数分子で接合した超伝導ナノリンクの伝導チャネルの決定(電荷密度波・超伝導,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 21aXQ-3 微細孔のあるメゾスコピック超伝導体における渦糸状態(超伝導,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 22pPSA-10 Ni_3Al(111)上アルミナ超薄膜のトンネル分光(II)(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSB-18 水素単分子接合のポイントコンタクトスペクトロスコピー(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 18aRD-4 メゾスコピック超伝導体における微細孔の配置と渦糸状態の安定性(超伝導(渦糸),領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 20aPS-5 Ni_3Al(111)上アルミナ超薄膜のトンネル分光(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pPSA-18 アルミナ超薄膜上Cu微粒子のトンネル分光(25pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aZA-6 メゾスコピック超伝導リングのリング線幅均一性と1次元渦糸状態(23aZA 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 23aZA-5 メゾスコピック超伝導リングにおける1次元渦糸状態の観測(23aZA 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 30pXC-6 不均一な線幅をもつメゾスコピック超伝導リングの超伝導状態(30pXC 微小超伝導体・金属量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aWF-5 メゾスコピック超伝導ディスクにおける渦糸状態間転移磁場の温度依存性(微小超伝導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aTA-1 バリスティック伝導を目指した架橋グラフェンジョセフソン接合の電気伝導測定(28aTA 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 26aEG-8 C_分子超伝導電極架橋系の電気伝導II(26aEG 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 27pHF-10 トンネル接合型マイクロSQUIDによる分子磁性体磁化緩和の観測(27pHF 量子スピン系(一次元系・クラスター系および一般),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 22pGP-12 トンネル接合型マイクロSQUIDによるFe_8クラスターの磁化測定(22pGP 量子スビン系(一次元・クラスター系),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21pHC-7 超伝導原子ポイントコンタクトの高バイアス電圧域における非線形コンダクタンス(21pHC 超伝導・密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 21pTE-6 非一様歪みのあるグラフェンの形成と電気伝導測定(21pTE 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pTE-4 非接触トップゲートを用いた多層グラフェンの上面/下面移動度の評価(21pTE 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pPSA-38 FeSe_Te_x破断接合の電気伝導(22pPSA 領域8ポスターセッション(低温II(鉄砒素系)),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25aSA-3 スピンホール効果における蓄積スピンの磁気的検出(25aSA スピントロニクス(スピン流・スピンホール効果・スピン軌道相互作用),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 24pSB-4 局所歪みのあるグラフェンの電気伝導測定(24pSB 領域7,領域4合同 グラフェン(構造・物性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 24aSB-10 非接触トップゲートを用いた多層グラフェンの上面/下面移動度の評価II(24aSB 領域4,領域7合同 グラフェン(不純物・界面・伝導特性),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aEC-12 1次元局所歪みのあるグラフェンの電気伝導測定(20aEC 領域4,領域7合同 グラフェン(電子相関・輸送特性),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pCL-10 グラフェンの電気伝導特性とラマンスペクトルの関係(27pCL 領域7,領域4合同 グラフェン(輸送特性),領域7(分子性固体))