神田 晶申 | 筑波大学大学院数理物質科学研究科
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概要
関連著者
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神田 晶申
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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神田 晶申
筑波大学物理
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筑波大物理:学際物質センター
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神田 晶申
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筑波大学大学院数理物質科学研究科
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理研
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青柳 克信
理研フロンティア
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筑波大物理
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理研
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小高 隼介
理研
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アントワープ大
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田中 翔
筑波大数理物質
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吉岡 英生
奈良女子大理
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豊田 行紀
筑波大数理物質
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黒田 隆
筑波大数理物質
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黒田 隆
物材機構
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林 正彦
秋田大教育文化
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筑波大数理物質
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Milosevic M.
アントワープ大
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宮崎 久生
産総研
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佐藤 崇
筑波大物理
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豊田 行紀
筑波大数理物質:crest (jst)
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物材機構
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山口 尚秀
物材機構
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産総研
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高野 義彦
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九大院理
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(独)物質・材料研究機構
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森木 拓也
筑波大数理物質
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小高 隼介
産総研
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初見 慎也
筑波大物理・学際物質セ
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古堅 亮
筑波大物理・学際物質セ
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旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
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筑波大学数理物質科学
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物材機構
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津谷 大樹
理研:東工大総理工
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後藤 秀徳
JST-CREST
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神田 晶申
産総研
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塚越 一仁
産業技術総合研究所
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森山 悟士
理研
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津谷 大樹
(独)物質・材料研究機構
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吉岡 英生
奈良女大院人間文化
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佐藤 崇
筑波大学物理
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後藤 秀徳
筑波大学物理
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田中 翔
筑波大学物理
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山口 尚秀
JST-TRIP
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渡辺 英一郎
筑波大院数理
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貫井 洋佑
筑波大数理物質:crest (jst)
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友利 ひかり
筑波大数理物質:CREST(JST)
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筑波大数理物質
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塚越 一仁
CREST(JST):物材機構
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貫井 洋佑
筑波大数理物質:CREST(JST)
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後藤 秀徳
筑波大数理物質:CREST(JST)
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豊田 行紀
筑波大数理物質:CREST(JST)
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神田 晶申
筑波大物理:筑波大学際物質セ
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貫井 洋佑
筑波大数理物質:学際物質セ
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貫井 洋佑
筑波大物理:筑波大学際物質セ
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友利 ひかり
筑波大物理:筑波大学際物質セ
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片倉 健太
筑波大物理:筑波大学際物質セ
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仁平 慎太郎
筑波大物理:筑波大学際物質セ
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軽部 大雅
筑波大物理
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神田 晶申
筑波大数理物質:学際物質セ
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軽部 大雅
筑波大数理物質:学際物質セ
-
軽部 大雅
筑波大物理:筑波大学際物質セ
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山口 尚秀
東京大学理学部物理学科
著作論文
- 20aHX-13 微細孔のあるメゾスコピック正方形超伝導体における局所電流注入による渦糸状態間転移(20aHX 超伝導・電荷密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 21aGS-7 グラフェン多層膜の高電界下における電気伝導(21aGS 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aGS-6 極めて短いグラフェン接合の電界効果(21aGS 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pYE-9 電場下における多層グラフェンの特異な近接効果誘起超伝導転移(グラフェン電子物性(伝導特性),領域7,領域4合同,領域7,分子性固体・有機導体)
- 25aYA-7 正方形メゾスコピック超伝導体における局所電流注入による渦糸状態操作II(超伝導(渦糸),領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 25aYA-6 メゾスコピック渦糸状態転移に対する欠陥の影響(超伝導(渦糸),領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 28aYJ-9 正方形メゾスコピック超伝導体における局所電流注入による渦糸状態操作(28aYJ 超伝導(渦糸),領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 21aGS-5 数層グラフェンにおける超伝導近接効果(21aGS 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24aWB-2 グラファイト超薄膜における超伝導近接効果II(グラフェン(電子物性・スピン),領域7,領域4合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
- 24aWB-9 グラファイト超薄膜-強磁性体接合の電気伝導特性II(グラフェン(電子物性・スピン),領域7,領域4合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
- 24aRA-7 グラファイト超薄膜 : 強磁性体接合の電気伝導特性(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
- 24aRA-8 グラファイト超薄膜における超伝導近接効果(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
- 24aRA-9 グラファイト超薄膜の電気伝導におけるAlトップゲートによる電界効果(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
- 25aYA-9 走査型SQUID顕微鏡で直接観測したアモルファスMoGe円板の磁束状態(超伝導(渦糸),領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- グラフェンの電気伝導の現状と可能性
- 26pYE-10 単層グラフェンの超伝導近接効果(グラフェン電子物性(伝導特性),領域7,領域4合同,領域7,分子性固体・有機導体)
- 26pYE-7 バリスティックグラフェン接合の作製と電気伝導測定(グラフェン電子物性(伝導特性),領域7,領域4合同,領域7,分子性固体・有機導体)
- 26pYE-6 グラフェンにおける電気伝導の層数効果II(グラフェン電子物性(伝導特性),領域7,領域4合同,領域7,分子性固体・有機導体)
- 28pTB-5 強電界におけるグラフェンのバンドギャップ(28pTB 領域7シンポジウム:界面パイ電子系の物理と有機トランジスタ,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28pTC-8 ナノ構造超伝導体への局所電流注入による磁束状態制御(28pTC 領域8,領域6合同シンポジウム:ナノ構造超伝導体における磁束物理,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 28pTC-8 ナノ構造超伝導体への局所電流注入による磁束状態制御(28pTC 領域8,領域6合同シンポジウム:ナノ構造超伝導体における磁束物理,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 多層グラフェンにおける超伝導近接効果(不均一超伝導超流動状態と量子物理,研究会報告)
- 22pTA-4 数層グラフェンの強電場下における電気伝導(22pTA 領域7,領域4合同 グラフェン・電子物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aYE-4 2×2の微細孔を持つメゾスコピック超伝導体における渦糸配置のMSTJ法による検出(21aYE 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- グラファイト超薄膜の超伝導近接効果
- グラフェンにおける超伝導近接効果の理論(不均一超伝導超流動状態と量子物理,研究会報告)
- 23pRA-7 超薄膜グラファイトの伝導とゲート電圧効果(領域4シンポジウム,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 18pRG-9 グラファイト超薄膜-金属接合の電気伝導特性(グラファイト,領域7,分子性固体・有機導体)
- 2層グラフェン電気伝導の強電界効果 (ディラック電子系の固体物理 特集号) -- (グラフェンの物理)
- 24aXB-4 SQUID顕微鏡で直接観測した微小超伝導体の磁束配列とピン止めの効果(24aXB 超伝導,領域6(金属,超低温超伝導・密度波))
- 24aXB-5 メゾスコピック超伝導体における反渦糸状態の探索(24aXB 超伝導,領域6(金属,超低温超伝導・密度波))
- 24pRA-4 バリスティック伝導を目指したグラフェン接合の作製と電界効果(24pRA 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pXB-2 グラフェンにおける超伝導近接効果の理論II(23pXB 超伝導・電荷密度波,領域6(金属,超低温超伝導・密度波))
- 18aRD-3 メゾスコピック超伝導リングにおける磁場に依存する超伝導揺らぎの観測(超伝導(渦糸),領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 21aXQ-3 微細孔のあるメゾスコピック超伝導体における渦糸状態(超伝導,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 18aRD-4 メゾスコピック超伝導体における微細孔の配置と渦糸状態の安定性(超伝導(渦糸),領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 28aTA-1 バリスティック伝導を目指した架橋グラフェンジョセフソン接合の電気伝導測定(28aTA 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aRC-4 グラフェンにおけるジョセフソン電流(22aRC 領域9,領域4,領域6,領域7合同シンポジウム:多彩な表面系における電子輸送現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pTE-6 非一様歪みのあるグラフェンの形成と電気伝導測定(21pTE 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pTE-4 非接触トップゲートを用いた多層グラフェンの上面/下面移動度の評価(21pTE 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 24pSB-4 局所歪みのあるグラフェンの電気伝導測定(24pSB 領域7,領域4合同 グラフェン(構造・物性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 24aSB-10 非接触トップゲートを用いた多層グラフェンの上面/下面移動度の評価II(24aSB 領域4,領域7合同 グラフェン(不純物・界面・伝導特性),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aEC-12 1次元局所歪みのあるグラフェンの電気伝導測定(20aEC 領域4,領域7合同 グラフェン(電子相関・輸送特性),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aEC-11 グラフェンの非一様歪みの電子顕微鏡像による評価(20aEC 領域4,領域7合同 グラフェン(電子相関・輸送特性),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))