28pTB-5 強電界におけるグラフェンのバンドギャップ(28pTB 領域7シンポジウム:界面パイ電子系の物理と有機トランジスタ,領域7(分子性固体・有機導体))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2009-03-03

著者

• 神田 晶申

  筑波大数理物質

• 塚越 一仁

  物材機構

• 塚越 一仁

  理研

• 宮崎 久生

  独立行政法人物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点

• 神田 晶申

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 神田 晶申

  筑波大学物理

• 宮崎 久生

  産総研

• 塚越 一仁

  産総研:crest(jst)

• 塚越 一仁

  物材機構:産総研ナノテクノロジー:理研

• 塚越 一仁

  独立行政法人物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点

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