多層カーボンナノチューブの伝導特性の基礎
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
21aGS-7 グラフェン多層膜の高電界下における電気伝導(21aGS 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
-
21aGS-6 極めて短いグラフェン接合の電界効果(21aGS 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
-
26pYE-9 電場下における多層グラフェンの特異な近接効果誘起超伝導転移(グラフェン電子物性(伝導特性),領域7,領域4合同,領域7,分子性固体・有機導体)
-
21aGS-5 数層グラフェンにおける超伝導近接効果(21aGS 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
-
InAlGaN4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
-
InAlGaN 4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
-
29pZB-6 ナノギャップ電極上 C_ クラスター薄膜の伝導特性
-
30p-YP-10 波形制御パルス列レーザー生成Alプラズマ中の軟X線の往復増幅
-
23aK-13 AlGaN化合物半導体の真空紫外反射スペクトル
-
26pYK-9 シリコン基板上での分子性導体単結晶成長とその電気特性(FET,領域7(分子性固体・有機導体))
-
14aYD-2 MWNT におけるキャリア注入による朝永・ラッティンジャー液体的振る舞いの消失(ナノチューブ伝導, 領域 7)
-
20aXF-13 多層カーボンナノチューブの層間電子輸送
-
28pPSA-20 電流注入効果による磁性細線内磁壁のドラッギング
-
24aWB-2 グラファイト超薄膜における超伝導近接効果II(グラフェン(電子物性・スピン),領域7,領域4合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
-
24aWB-9 グラファイト超薄膜-強磁性体接合の電気伝導特性II(グラフェン(電子物性・スピン),領域7,領域4合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
-
24aRA-7 グラファイト超薄膜 : 強磁性体接合の電気伝導特性(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
-
24aRA-8 グラファイト超薄膜における超伝導近接効果(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
-
24aRA-9 グラファイト超薄膜の電気伝導におけるAlトップゲートによる電界効果(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
-
波形制御パルス列レーザー生成A1プラズマ中の軟X線の往復増幅
-
カーボンナノチューブ結合量子ドットの形成と量子相関デバイスへの応用
-
25pSA-11 単層カーボンナノチューブを用いた量子ドットの形成
-
27a-R-6 時間依存衝突輻射モデルによるリチウム様アルミニウム再結合レーザーの利得
-
30a-YB-5 パルス列レーザー生成プラズマによる軟X線レーザーの利得
-
ナノテクノロジーと深紫外発光素子の開発
-
アンチサーファクタントによる GaN 層の低転位化
-
24pSB-6 III-V窒化物半導体の真空紫外反射・吸収スペクトル
-
25aC-6 III-V族化合物半導体のK内殻吸収
-
26p-YR-8 非S-K GaN量子ドットの成長機構I : 不純物添加によるステップフロー阻害効果
-
31a-YJ-9 GaN量子ドットにおける励起子結合エネルギーの増大
-
5a-E-3 GaN量子ドットの発光スペクトルの温度依存性
-
5a-E-2 GaN量子ドットの多励起子効果
-
InAlGaN 4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高出力化
-
28aUA-7 二層カーボンナノチューブの光物性(28aUA ナノチューブ光物性II,領域7(分子性固体・有機導体))
-
27aYN-9 孤立単層ナノチューブ集合体の共鳴ラマン散乱-III(ナノチューブ物性2(光物性),領域7(分子性固体・有機導体))
-
グラフェンの電気伝導の現状と可能性
-
26pYE-10 単層グラフェンの超伝導近接効果(グラフェン電子物性(伝導特性),領域7,領域4合同,領域7,分子性固体・有機導体)
-
26pYE-7 バリスティックグラフェン接合の作製と電気伝導測定(グラフェン電子物性(伝導特性),領域7,領域4合同,領域7,分子性固体・有機導体)
-
26pYE-6 グラフェンにおける電気伝導の層数効果II(グラフェン電子物性(伝導特性),領域7,領域4合同,領域7,分子性固体・有機導体)
-
28pTB-5 強電界におけるグラフェンのバンドギャップ(28pTB 領域7シンポジウム:界面パイ電子系の物理と有機トランジスタ,領域7(分子性固体・有機導体))
-
多層グラフェンにおける超伝導近接効果(不均一超伝導超流動状態と量子物理,研究会報告)
-
22pTA-4 数層グラフェンの強電場下における電気伝導(22pTA 領域7,領域4合同 グラフェン・電子物性,領域7(分子性固体・有機導体))
-
グラファイト超薄膜の超伝導近接効果
-
28pRC-10 ホール効果でみる有機単結晶への電界効果キャリア注入(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
-
18pRG-9 グラファイト超薄膜-金属接合の電気伝導特性(グラファイト,領域7,分子性固体・有機導体)
-
18pRG-7 グラファイト超薄膜における近接効果による超伝導電流の観測(グラファイト,領域7,分子性固体・有機導体)
-
26aZB-11 グラファイト超薄膜/金属電極接合の電極依存性(26aZB グラファイト,領域7(分子性固体・有機導体))
-
26aZB-12 グラファイト超薄膜の電気伝導の磁場・ゲート電圧依存性(26aZB グラファイト,領域7(分子性固体・有機導体))
-
29a-B-6 ピコ秒トランジェントグレーティングによるCdS, CuCl素励起の拡散の測定 (II)
-
2a-Z-11 ピコ秒波長可変レーザーを用いたポラリトンの分散の測定 II : Cds について
-
2a-Z-2 ピコ秒円偏光励起による CuCl の k=0 の励起子分子の発光とその時間分解測定
-
5a-B-6 カルコゲナイドガラスにおける Photodarkening 初期過程の動的特性
-
28pRC-16 銅フタロシアニン単結晶の電界効果とキャリヤ輸送特性(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
-
InAlGaN 4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
-
28a-Q-7 選択ドープGaAs-AlGaAs細線の電気伝導
-
29a-A-4 極微GaAs細線の電気伝導
-
17pTD-9 多価イオン照射により誘起されるグラファイト結晶の状態変化
-
2層グラフェン電気伝導の強電界効果 (ディラック電子系の固体物理 特集号) -- (グラフェンの物理)
-
27p-X-1 Weak Localisation in Ballistic Quantum Dots: Non Ensemble Averaged Effects
-
新たなブレークスルーには何が必要か
-
31p-K-5 GaN量子ドットレーザーの試作(2) : Mgドーピングp-AlGaNのC-V評価
-
1a-N-7 GaAs/AlAs多重量子井戸内の2次元励起子の強磁場依存性
-
28a-ZH-13 GaAs/AlAs多重量子井戸内の2次元励起子の磁場依存性
-
30p-Z-15 InGaAs-GaAs異種接合におけるバンドオフセット値の精密測定 II
-
4a-C3-19 CuCl薄膜内の励起子と励起子分子
-
28p-B-5 CuCl単結晶薄膜の発光と時間分解スペクトル
-
24pRA-4 バリスティック伝導を目指したグラフェン接合の作製と電界効果(24pRA 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
-
25pK-3 ドットアレイにおける強磁場共鳴ピーク
-
28aUA-3 孤立カーボンナノチューブの共鳴ラマン散乱(28aUA ナノチューブ光物性II,領域7(分子性固体・有機導体))
-
28pRB-2 シリコン基板上での分子性導体単結晶成長とその電気特性(II)(28pRB TMTSF/TMTTF系等,領域7(分子性固体・有機導体))
-
21pXA-6 単層カーボンナノチューブの電気化学トランジスタ(フラーレン・ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
-
19aWF-4 金微粒子を用いた単電子トランジスタ(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
22pRB-6 シリコン基板上でのBEDT-TTF錯体合成と輸送特性の評価(ゼロギャップ・1次元系,領域7,分子性固体・有機導体)
-
19pRG-7 DMe-DCNQI錯体徴結晶の電気伝導特性(金属架橋・結晶成長・高分子,領域7,分子性固体・有機導体)
-
26pYB-2 シリコン基板上に成長させた(DMe-DCNQI)_2Agのナノサイズ結晶の電気特性(26pYB 微小結晶,BETS系,DMIT系,領域7(分子性固体・有機導体))
-
27pYN-1 カーボンナノチューブFETの四端子伝導度測定(ナノチューブ物性3(伝導 (含むFET)),領域7(分子性固体・有機導体))
-
31aZB-7 多層カーボンナノチューブにおける朝永・ラッティンジャー液体的振る舞い II
-
19pTJ-5 多層カーボンナノチューブ単一電子トランジスタにおけるクーロン振動の特異な磁場依存性
-
19pTJ-4 金属/多層ナノチューブ/金属構造におけるクーロン・ブロッケード
-
13aWF-3 孤立単層ナノチューブ集合体の共鳴ラマン散乱-II(ナノチューブ光物性, 領域 7)
-
26pYB-3 BEDT-TTF系有機導体を用いたナノサイズ結晶の電気特性(26pYB 微小結晶,BETS系,DMIT系,領域7(分子性固体・有機導体))
-
26pYT-7 微小超伝導/常伝導円板の磁気応答(微小超伝導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
-
24aS-12 炭素ナノチューブにおける電子スピンのコヒーレント輸送
-
13aYC-6 超伝導/常伝導微小円板の磁気応答(微小超伝導・微小ジョセフソン接合, 領域 4)
-
22aXF-4 アルコール CVD で作製したカーボンナノチューブの精製と直径制御
-
28aZB-12 アルコール CVD で作製したカーボンナノチューブのラマン散乱
-
26pYK-10 ルブレン単結晶電界効果トランジスターの精密な輸送特性測定(FET,領域7(分子性固体・有機導体))
-
スピン偏極電流による磁性細線内ピン止め磁壁の離脱
-
23aTD-8カーボンナノチューブとスピン伝導
-
25aXN-4 面内スピンバルブ素子におけるスピン信号の増大(微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
-
13pWB-1 面内スピンバルブ素子におけるスピン蓄積とスピンフリップ抵抗(微小領域磁性, 領域 3)
-
22pWA-4 強磁性/非磁性微細接合におけるスピンホール効果
-
多層カーボンナノチューブの伝導特性の基礎
-
29pXH-7 強磁性/非磁性微細接合におけるノンローカルホール効果
-
23aTD-8 カーボンナノチューブとスピン伝導
-
28aTA-1 バリスティック伝導を目指した架橋グラフェンジョセフソン接合の電気伝導測定(28aTA 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
-
21pTE-6 非一様歪みのあるグラフェンの形成と電気伝導測定(21pTE 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
-
21pTE-4 非接触トップゲートを用いた多層グラフェンの上面/下面移動度の評価(21pTE 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
-
24pSB-4 局所歪みのあるグラフェンの電気伝導測定(24pSB 領域7,領域4合同 グラフェン(構造・物性),領域7(分子性固体・有機導体))
-
24aSB-10 非接触トップゲートを用いた多層グラフェンの上面/下面移動度の評価II(24aSB 領域4,領域7合同 グラフェン(不純物・界面・伝導特性),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
26pXN-12 多層カーボンナノチューブにおける朝永ラッティンジャー流体的振る舞いの起源(26pXN ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体分野))
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク