ダイヤモンドナノ加工技術 (特集 ナノ機能性材料)

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概要

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著者

• 川原田 洋

  早大理工

• 立木 実

  物材機構

• 立木 実

  (独)物質・材料研究機構

関連論文

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• 20aGE-6 高濃度ボロンドープダイヤモンドによるステップ構造ジョセフソン接合(20aGE 銅酸化物・その他の超伝導,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
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• 21aPS-123 軟X線吸収発光分光法によるボロンドープダイヤモンドの電子状態II(領域8ポスターセッション(低温),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
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• 27aTD-11 ホウ素ドープCVDダイヤモンド薄膜の角度分解光電子分光(27aTD ホウ化物,炭化物(超伝導),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
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• 19aWF-7 ボロンドープダイアモンドのラマン散乱スペクトル(19aWF ドープダイヤモンド,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
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• 24aPS-125 BドープダイヤモンドとCaインターカレートグラファイトの圧力効果(24aPS ポスターセッション(低温),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
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• 30aTL-1 高濃度ボロンドープダイヤモンド超伝導 : T_Cと結晶性の深さ方向分布との相関(30aTL ダイヤモンド超伝導他,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 20aQE-2 高濃度ボロンドープダイヤモンド超伝導への膜厚の影響(20aQE ダイヤモンド・Si超伝導,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 20aQE-1 (111),(001),(110)高濃度ボロンドープダイヤモンド薄膜の超伝導絶縁体転移の臨界濃度(20aQE ダイヤモンド・Si超伝導,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 多結晶ダイヤモンド表面を用いた電解質溶液FETsのバイオセンサへの応用(バルク成長分科会特集-機能性材料ダイヤモンド-)
• 13aPS-123 CVD 気相成長ダイヤモンドにおける超伝導の発見(低温 : 超伝導・金属絶縁体転移, 領域 8)
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• ダイヤモンドにおけるキャリア輸送特性と高周波FETへの応用
• SC-6-3 DC & RF Characteristics of Sub-micron Gate Diamond FETs
• 水素終端表面伝導層を用いた高周波ダイヤモンドFET(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
• ダイヤモンド表面のエレクトロニクス・バイオ応用
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• C-10-6 ダイヤモンドMISFETの高周波評価
• 26pYA-5 ボロンドープダイヤモンドの超伝導転移温度の圧力依存性(超伝導,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
• 25pRH-7 高濃度ボロンドープダイヤモンド超伝導体における結晶格子の伸張(25pRH 領域8,領域10合同招待講演,パイロクロア・ダイヤモンド超伝導,領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 24pXA-1 高濃度ホウ素ドープダイヤモンドの軟X線光電子分光(ダイヤモンド・Si超伝導,領域8,強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など)
• 19aWF-3 ホウ素をドープしたダイヤモンドの^B-NMR II(19aWF ドープダイヤモンド,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
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• C-10-5 ディープサブミクロンチャネルダイヤモンドMISFET作製
• 19aPS-47 Bをドープしたダイヤモンドの^B-NMR(領域8ポスターセッション(f電子系等I),領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
• 25aWB-5 ダイヤモンド超伝導体によるNISトンネル接合の特性評価(25aWB 炭化・硼化物・新物質,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 異方性磁気抵抗素子センサを用いたECTによる燃焼器の欠陥検出の基礎検討
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• 「若手技術者・研究者の多様なキャリアパス」を通して
• 3a-W-4 ___
• 2p-N-11 ダイヤモンドのサーモルミネセンス
• 簡素で効果的な固定パターンノイズ抑圧を実現したCMOSイメージセンサの動作解析
• クエン酸浴から電析されたZnTe薄膜のホール効果測定による電気的特性の評価
• 4. 先端放電型マイクロ波プラズマCVDによる単層カーボンナノチューブ配向成長(プラズマプロセスによるカーボンナノチューブ配向成長の現状と課題)
• ワイドギャップ半導体ダイヤモンドを用いた高周波高出力MOSFETの開発 (特集 産業材料としてのダイヤモンド)
• 電解質溶液ゲートFETを利用したDNAセンサー
• 水素終端ダイヤモンド表面近傍に存在するp型表面蓄積層
• CS-9-2 PチャネルダイヤモンドMOSFETのDCおよびRF特性評価(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
• 科学解説 ホール蓄積層チャネルを用いた高周波ダイヤモンドFET
• 24aXB-3 Tc(offset)>10Kの高濃度ボロンドープダイヤモンド(111)薄膜における超伝導特性(24aXB 超伝導,領域6(金属,超低温超伝導・密度波))
• 磁場制御による低圧マイクロ波プラズマでのダイヤモンド合成
• 23aPS-101 ホウ素ドープダイヤモンドにおける深紫外光応答に関する研究(23aPS 領域8ポスターセッション(低温I(鉄系超伝導,銅酸化物など)),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• ダイヤモンド表面チャネル型FET : その動作機構と応用 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
• JJAPフレンドシップミーティング報告
• 表面伝導層を用いたダイヤモンド電子デバイス
• ダイヤモンドナノ加工技術 (特集 ナノ機能性材料)
• ダイヤモンド表面伝導チャネルによる電子デバイス応用の展開 (特集 ハードエレクトロニクス--超低損失パワーデバイス技術) -- (ナイトライドとダイヤモンドを含む高周波デバイス)
• 核四極共鳴を利用した化学物質のリモートセンシング
• 核四極共鳴によるリモートセンシング(地下電磁計測ワークショップ)
• p型半導体ダイヤモンドとその応用 (特集 ダイヤモンド)
• STM-SQUIDによるミアンダラインの磁場分布計測(超伝導センシング基盤技術及びその応用,一般)
• プラズマCVD法によるダイヤモンドの生成--磁場中のマイクロ波プラズマについて
• 表面修飾ダイヤモンドトランジスタによるDNA及びバイオセンシング応用
• 25pEH-7 超伝導ボロンドープダイヤモンドを用いた積層構造の電気特性評価(25pEH 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• β-SiCをバッファ層としたSi(001)基板上でのダイヤモンド・ヘテロエピタキシャル成長(カーボン)
• 天然ダイヤモンドを上回る高品質ダイヤモンドの合成
• ダイヤモンド電界効果トランジスタの現状と将来
• 4p-Y-6 ダイヤモンドコヒーレント超薄膜の構造制御と物性
• 気相合成ダイヤモンドの選択成長
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• ダイヤモンド状薄膜
• 26pXZE-11 イオン液体を用いたダイヤモンド表面伝導の電界制御II(26pXZE 領域8,領域7合同 電界効果・薄膜,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 29aPS-129 IrTe_2の単結晶育成とその評価(29aPS 領域8ポスターセッション(低温2:銅酸化物・鉄系超伝導他),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 29aPS-100 超伝導-強磁性体接合(YBCO-LSMO)における輸送現象の測定(29aPS 領域8ポスターセッション(低温2:銅酸化物・鉄系超伝導他),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 29aXJ-6 IrTe_2における走査トンネル分光(29aXJ 超伝導物質,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 27aEM-8 メゾスコピックBi2212高温超伝導体における渦糸状態(27aEM 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 25aEB-2 T_c=25Kの超伝導ダイヤモンドの角度分解光電子分光(超電導物質1,領域8(強相関系分野:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 26aPS-65 AFMカンチレバーでの微細加工によるYBCO/LSMO/YBCO接合の評価(領域8ポスターセッション(理論,空間非対称,アクチノイドなど),領域8(強相関系分野:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 27aDC-4 様々な形状の固有ジョセフソン接合中の渦糸状態(超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
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• 30aCM-9 超伝導ダイヤモンドの結晶性によるT_cの変化(30aCM 超伝導物質,領域8(強相関係))

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