水素終端表面伝導層を用いた高周波ダイヤモンドFET(<特集>ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
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概要
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水素終端ダイヤモンド表面に発現する2次元p型伝導層を用いてダイヤモンドMESFET及びMISFETを作製し,10GHzを超える高周波特性を得ることに成功した.高精度化したセルフアライン型ダイヤモンドFET作製プロセスの開発により寄生抵抗成分の低減が実現し,これにより高利得ダイヤモンドFETが実現している.AlやCuをゲートに用いるMESFETと比較して,CaF_2をゲート絶縁膜に用いたMISFETにおいては同ゲート長で換算すると2〜3倍程度の高周波特性が得られており,0.4μmのゲート長では15GHzの遮断周波数が得られている.これはダイヤモンドFETとして最高値であり,他のワイドギャップ半導体デバイスに匹敵する値になってきている.今後,ダイヤモンドの物質中最大の熱伝導率,高いブレークダウン電界などユニークな物性値が生かされる高出力応用分野においては,優位性が明白になるであろう.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-04-01
著者
-
川原田 洋
早大理工
-
梅沢 仁
産総研
-
立木 実
物材機構
-
梅沢 仁
科学技術振興事業団
-
石坂 博明
科学技術振興事業団
-
宮本 真吾
科学技術振興事業団
-
宋 光燮
科学技術振興事業団
-
立木 実
科学技術振興事業団
-
川原田 洋
科学技術振興事業団
-
宮本 真吾
科学技術振興事業団:早稲田大学理工学部
-
立木 実
(独)物質・材料研究機構
-
宋 光燮
早稲田大学理工学部電子・情報生命学科:早稲田大学ナノ研究センター
-
石坂 博明
科学技術振興事業団:早稲田大学理工学部
-
川原田 洋
早大理工学術院
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