β-SiCをバッファ層としたSi(001)基板上でのダイヤモンド・ヘテロエピタキシャル成長(<小特集>カーボン)
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概要
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Smooth and continuous diamonds films have been heteroepitaxially grown on β-SiC(001). The epitaxial growth is composed of three steps; (i) Bias enhanced nucleation on β-SiC(001) grown on Silicon (001), (ii) <001> growth mode for the selection of epitaxially oriented particles, and (iii)<111> fast growth mode for the smoothing (001) surface. The optimization of the bias enhanced nucleation, the selection of oriented particles and the surface adjustment are important to form the smooth diamond films.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1995-09-25
著者
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