CHIKYOW T. | National Institute of Materials Science

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概要

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• 同名の論文著者
• National Institute of Materials Scienceの論文著者

関連著者

• 知京 豊裕

  (独)物質・材料研究機構

• CHIKYOW T.

  National Institute of Materials Science

• 知京 豊裕

  物材機構

• 知京 豊裕

  金属材料技術研究所

• 知京 豊裕

  (独)物質・材料研究機構 半導体材料センター

• 知京 豊裕

  物質・材料研究機構ナノマテリアル研/物質研

• 知京 豊裕

  物材機構:comet-nims:科技機構戦略

• 山田 啓作

  筑波大学数理物質科学研究科

• 白石 賢二

  筑波大学

• 大毛利 健治

  早稲田大学ナノ理工学研究機構

• 山田 啓作

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 大毛利 健治

  早稲田大学ナノ理工学研究機構ナノテクノロジー研究所

• 若山 裕

  (独)物質・材料研究機構

• 赤坂 泰志

  東京エレクトロン株式会社

• 若山 裕

  物質材料研究機構ナノマテリアル研究所

• 若山 裕

  物質・材料研究機構半導体材料センター

• AKASAKA Y.

  Semiconductor Leading Edge Technology Inc.

• 知京 豊裕

  (独)物質・材料研究機構半導体材料センター

• 早川 竜馬

  (独)物質・材料研究機構半導体材料センター

• 廣芝 伸哉

  (独)物質・材料研究機構半導体材料センター

• 吉武 道子

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• Nara Y.

  Semiconductor Leading Edge Technology Inc.

• 渡部 平司

  大阪大学大学院工学研究科

• NARA Y.

  Selete

• 山田 啓作

  早稲田大学:筑波大学

• 高野 義彦

  物材機構

• 山口 尚秀

  物材機構

• 川原田 洋

  早大理工

• 白石 賢二

  筑波大学数理物質科学研究科

• 奈良 安雄

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 山田 啓作

  早稲田大学ナノテクノロジー研究所

• 知京 豊裕

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• 廣芝 伸哉

  (独)物質・材料研究機構

• 森本 健太

  筑波大院数物

• 松石 清人

  筑波大数理物質

• 田崎 義昭

  東京大学大学院 工学系研究科

• 北郷 伸弥

  早大理工

• 渡邉 恵

  早大理工

• 松木 武雄

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 奈良 安雄

  (株)富士通研究所 Ulsi研究部門

• 奈良 安雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部

• 白石 賢二

  筑波大院数物

• 高野 義彦

  (独)物質・材料研究機構

• 若山 裕

  物材機構半導体材料C

• 大毛利 健治

  早稲田大学

• 川原 田洋

  早大理工

• 知京 豊裕

  物質・材料研究機構

• 廣芝 伸哉

  筑波大数理

• 早川 竜馬

  物材機構

• 森本 健太

  筑波大数理

• SHIRAISHI K.

  Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba

• YAMADA K.

  Nanotechnology Research Laboratories, Waseda University

• 吉武 道子

  物質・材料研究機構

• 吉武 道子

  「応用物理」 編集委員会

• 吉武 道子

  物質材料研究機構 半導体材料研究センター

• 川原田 洋

  早稲田大学理工学術院

• 吉武 道子

  金材技研

• 松石 清人

  筑波大学

• 渡部 平司

  大阪大学

• 早川 竜馬

  (独)物質・材料研究機構

• 上田 茂典

  物材機構

• 山下 良之

  物材機構

• 吉川 英樹

  物材機構

• 小林 啓介

  物材機構

• 河野 明大

  早大理工

• 高野 義彦

  物質・材料研究機構

• 吉川 英樹

  科学技術庁無機材質研究所

• 柳生 進二郎

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• 吉武 道子

  (独)物質・材料研究機構半導体材料研究センター

• 大路 譲

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 知京 豊裕

  物質材料機構

• 森 龍男

  茨城工業高等専門学校

• 大路 譲

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 大路 譲

  半導体先端テクノロジーズ

• 中島 清美

  物質・材料研究機構

• 杉田 義博

  半導体先端テクノロジーズ

• 網中 敏夫

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 大毛利 健治

  早大ナノテク研

• 森 龍男

  茨城高専

• 森 龍男

  茨城高専電気

• 柳生 進二郎

  筑波大学物理工学系

• YAMABE K.

  Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba

• UMEZAWA N.

  Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science

• UEDONO A.

  Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba

• OHMORI K.

  Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science

• CHIKYOW T.

  Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science

• YAMADA K.

  Waseda University

• 柳生 進二郎

  物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所

• 吉武 道子

  金属材料技術研究所

• 吉武 道子

  科学技術庁金属材料技術研究所

• Uedono A.

  Graduate School Of Pure And Applied Sciences Univ. Of Tsukuba

• 長田 貴弘

  (独)物質・材料研究機構 半導体材料センター

• 小林 研介

  京大化研

• 野村 亮

  早大理工

• 山部 紀久夫

  筑波大学数理物質科学研究科

• 宮崎 誠一

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• CHANG K.-S.

  National Institute for Standards and Technology

• GREEN M.

  National Institute for Standards and Technology

• Turak Ayse

  マックスプランク金属学研究所

• Zhang XueNa

  マックスプランク金属学研究所

• Dosch Helmut

  マックスプランク金属学研究所

• 松石 清人

  筑波大院数物

• Miyazaki Seiichi

  Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University

• 細井 卓治

  大阪大学

• 入山 慎吾

  早大理工

• 高野 義彦

  金材技研

• 関 雄太

  早大理工

• 大田 晃生

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 梅沢 仁

  産総研

• 角嶋 邦之

  東工大総理工

• 岩井 洋

  東工大フロンティア研

• 宮崎 誠一

  広大院先端研

• 足立 哲也

  物質・材料研究機構

• 石川 大

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 中山 恒義

  北大院工

• 岩井 洋

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• 金 兌映

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• 岡田 竜介

  早大理工

• 平間 一行

  早大理工

• 梅澤 仁

  産総研

• 宮崎 誠一

  広島大学 工学部

• 門島 勝

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 青山 敬幸

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 杉田 義博

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 中島 清美

  物質材料機構

• 網中 敏夫

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 黒澤 悦男

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 松木 武雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 諸岡 哲

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 中塚 理

  名古屋大学

• 中山 隆史

  千葉大学理学部

• 山部 紀久夫

  筑波大学

• 石川 恵子

  物質・材料研究機構

• 中山 隆史

  千葉大

• 中山 隆史

  千葉大学

• 中山 隆史

  千葉大学理学研究科基盤理学専攻

• 細井 卓治

  広島大学ナノデバイス・システム研究センター

• 財満 鎭明

  名古屋大学先端技術共同研究センター

• 奈良 安雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 岩井 洋

  東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター

• Green M.

  National Institute Of Standards And Technology

• Miyazaki S

  Hiroshima Univ. Higashi‐hiroshima Jpn

• 宮崎 誠一

  広大

• Miyazaki Seiichi

  Dept. Of Electrical Engineering Hiroshima University

• 細井 卓治

  大阪大学大学院工学研究科

• 五月女 真一

  千葉大学理学研究科基盤理学専攻

• 栗原 槙一郎

  早大理工

• 鹿又 龍介

  早大理工

• 栗原 慎一郎

  早大理工

• Miyazaki Seiichi

  Faculty Of Engineering Hiroshima University

• 宮崎 誠一

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 大路 譲

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• NAKAMURA G.

  Semiconductor Leading Edge Technology Inc.

• KADOSHIMA M.

  Semiconductor Leading Edge Technology Inc.

• WATANABE H.

  Graduate School of Engineering, Osaka University

• OHMORI K.

  Nanotechnology Research Laboratories, Waseda University

• OHJI Y.

  Semiconductor Leading Edge Technology Inc.

• INUMIYA S.

  Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)

• MIYAZAKI S.

  Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima Univ.

• HASUNUMA R.

  Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba

• MOMIDA H.

  Computational Materials Science Center, National Institute for Materials Science

• OHNO T.

  Computational Materials Science Center, National Institute for Materials Science

• AHMET P.

  Tokyo Institute of Technology

• SHIRAISHI K.

  University of Tsukuba

• YAMABE K.

  University of Tsukuba

• WATANABE H.

  Osaka University

• AKASAKA Y.

  Selete

• NAKAJIMA K.

  Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science

• YOSHITAKE M.

  Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science

• NAKAYAMA T.

  Chiba University

• KAKUSHIMA K.

  Tokyo Institute of Technology

• IWAI H.

  Tokyo Institute of Technology

• Murakami H.

  Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University

• NAKAOKA T.

  Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba

• Nakajima K.

  National Inst. for Material Science

• 岩井 洋

  (株)東芝研究開発センターulsi研究所

• Miyazaki S

  Department Of Electrical Engineering Hiroshima University

• Murakami H

  Graduate School Of Advanced Sciences Of Matter Hiroshima University

• Inumiya S.

  Semicondutor Leading Edge Technologies Inc.

• 門島 勝

  ルネサステクノロジ

• 諸岡 哲

  (株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 中山 隆史

  干葉大理

• Miyazaki S

  Graduate School Of Advanced Sciences Of Matter Hiroshima University

• MIYAGAWA K.

  Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)

• KARIYA A.

  Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)

• SHOJI H.

  Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)

• AOYAMA T.

  Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)

• KUME S.

  Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)

• SHIGETA M.

  Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)

• OGAWA O.

  Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)

• SHIRAISHI K.

  Tsukuba University

• UEDONO A.

  Tsukuba University

• YAMABE K.

  Tsukuba University

• YASUHIRA M.

  Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)

• ARIKADO T.

  Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)

• 松木 武雄

  早稲田大学:jst-crest

• 角嶋 邦之

  東京工業大学

• 五月女 真一

  千葉大学理学研究料

• 町田 義明

  千葉大学理学研究料

• 岩井 洋

  東京工業大学

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著作論文

• 22pGS-16 Quaterrylene有機薄膜における格子歪みの制御と成長過程に及ぼす影響(22pGS 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28aRG-11 高濃度ボロンドープダイヤモンド単結晶薄膜の結晶構造とTcの膜厚依存性(層状窒化物・その他の超伝導,領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
• 光電子収量分光における2次電子閾値の検討
• 30aTL-1 高濃度ボロンドープダイヤモンド超伝導 : T_Cと結晶性の深さ方向分布との相関(30aTL ダイヤモンド超伝導他,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• メタルゲート/HfSiONゲート絶縁膜ゲートスタックにおけるピニング現象の改善策検討
• コンビナトリアル手法を用いたナノエレクトロニクス材料における合金薄膜材料開発 (特集 傾斜機能材料の開発と新展開)
• Ru-Mo合金を用いた金属/high-k 絶縁膜ゲートスタックの実効仕事関数制御
• 金属酸化物を用いた原子スイッチ中間層材料の検討 ([日本電子材料技術協会]第44回秋期講演大会--優秀賞受賞論文と受賞者の感想)
• 金属/high-k絶縁膜構造トランジスタにおいて金属結晶が閾値電圧ばらつきに及ぼす影響とその抑制(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 24pRL-11 分子超格子デバイスの作製と電子・光物性(24pRL 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
• 30aRD-2 バイアス電圧印加硬X線光電子分光法による界面電子状態の高感度観測(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pTD-2 硬X線光電子分光法によるゲートスタック構造内のポテンシャル分布の直接観測(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• ゲートスタック材料の変遷とその界面制御
• コハク酸のCu(110)表面での吸着状態と仕事関数
• 24aXB-3 Tc(offset)>10Kの高濃度ボロンドープダイヤモンド(111)薄膜における超伝導特性(24aXB 超伝導,領域6(金属,超低温超伝導・密度波))
• Systematic studies on Fermi level pining of Hf-based high-k gate stacks
• Guiding Principle of Energy Level Controllability of Silicon Dangling Bond in HfSiON
• Wide Controllability of Flatband Voltage in La_2O_3 Gate Stack Structures : Remarkable Advantages of La_2O_3 over HfO_2
• First-principles studies on metal induced gap states (MIGS) at metal/high-k HfO_2 interfaces
• Material Selection for the Metal Gate/High-k Transistors
• 有機薄膜の成長機構に及ぼす格子歪みの効果 : クォテリレン薄膜を例として
• ドーピングによるシリサイドの仕事関数の変調 : シリサイドの物理に基づく理論(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 27pTB-12 分子超格子のデバイス物性と励起子挙動(27pTB 領域7,領域8合同 電界効果/発光 トランジスタ,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27pTB-12 分子超格子のデバイス物性と励起子挙動(27pTB 領域7,領域8合同 電界効果/発光 トランジスタ,領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))

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