五月女 真一 | 千葉大学理学研究科基盤理学専攻
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概要
関連著者
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中山 隆史
千葉大学理学部
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中山 隆史
千葉大学理学研究科基盤理学専攻
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五月女 真一
千葉大学理学研究科基盤理学専攻
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五月女 真一
千葉大学理学研究料
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中山 隆史
千葉大学理学研究料
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中山 隆史
千葉大
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知京 豊裕
物材機構
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構
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松木 武雄
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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角嶋 邦之
東工大総理工
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岩井 洋
東工大フロンティア研
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白石 賢二
筑波大院数物
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中山 恒義
北大院工
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岩井 洋
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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知京 豊裕
金属材料技術研究所
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知京 豊裕
物質材料機構
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中塚 理
名古屋大学
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大毛利 健治
早稲田大学
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山田 啓作
筑波大学数理物質科学研究科
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白石 賢二
筑波大学
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中山 隆史
千葉大学
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知京 豊裕
物質・材料研究機構ナノマテリアル研/物質研
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財満 鎭明
名古屋大学先端技術共同研究センター
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大毛利 健治
早稲田大学ナノ理工学研究機構
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岩井 洋
東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構 半導体材料センター
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CHIKYOW T.
National Institute of Materials Science
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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岩井 洋
(株)東芝研究開発センターulsi研究所
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知京 豊裕
物材機構:comet-nims:科技機構戦略
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大毛利 健治
早稲田大学ナノ理工学研究機構ナノテクノロジー研究所
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中山 隆史
干葉大理
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松木 武雄
早稲田大学:jst-crest
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角嶋 邦之
東京工業大学
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山田 啓作
早稲田大学:筑波大学
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町田 義明
千葉大学理学研究料
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岩井 洋
東京工業大学
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財満 鎭明
名古屋大学
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科:JST-CREST
著作論文
- ドープした金属シリサイドの電子構造に関する理論的検討
- ドープした金属シリサイドの電子構造に関する理論的検討(ショートプレゼンテーション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- ドーピングによるシリサイドの仕事関数の変調 : シリサイドの物理に基づく理論(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))