中山 恒義 | 北大院工
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概要
関連著者
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中山 恒義
北大院工
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中山 隆史
千葉大
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寺尾 貴道
岐阜大・工
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中山 隆史
千葉大学理学部
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中山 恒義
北大工
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中山 隆史
千葉大学
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中山 隆史
干葉大理
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島 弘幸
北大院工
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島 弘幸
北大院工:カタルーニャ工科大
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中山 隆史
千葉大学理学研究料
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寺尾 貴道
北大工
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中山 隆史
千葉大学理学研究科基盤理学専攻
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中山 恒義
北大・工
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寺尾 貴道
北大院・工
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中山 恒義
北大院・工
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中山 恒義
北海道大学大学院 工学研究科 量子物理工学専攻
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中山 隆史
千葉大理
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白石 賢二
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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小日向 恭祐
千葉大学理学研究科基盤理学専攻
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小日向 恭祐
千葉大学理学研究科
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小布施 秀明
京大理
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知京 豊裕
物材機構
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構
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知京 豊裕
金属材料技術研究所
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山田 啓作
筑波大学数理物質科学研究科
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白石 賢二
筑波大学
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大毛利 健治
早稲田大学ナノ理工学研究機構
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小田 将人
和歌山大学
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構 半導体材料センター
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矢久保 考介
北大・工
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小野 裕己
東大生研
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坂庭 康仁
北大院工
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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寺尾 貴道
北大・工
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小布施 秀明
北大院工
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大毛利 健治
早稲田大学ナノ理工学研究機構ナノテクノロジー研究所
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飯塚 秀行
千葉大学理学部
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山田 啓作
早稲田大学:筑波大学
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伊藤 晋一
Kek
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島 弘幸
北大・工
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青木 秀夫
東京大学大学院理学系研究科
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矢久保 考介
北大院・工
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大野 隆央
東大生研
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草部 浩一
阪大基礎工
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島 弘幸
北海道大学大学院工学研究科応用物理学専攻
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宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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奈良 安雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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山田 啓作
早稲田大学ナノテクノロジー研究所
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大毛利 健治
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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AHMET P.
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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GREEN M.
National Institute for Standards and Technology
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知京 豊裕
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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小田 将人
和歌山大学システム工学部
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八木 駿郎
北大電子研
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松木 武雄
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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伊藤 晋一
物構研
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赤坂 泰志
東京エレクトロン株式会社
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奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部
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角嶋 邦之
東工大総理工
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岩井 洋
東工大フロンティア研
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NAKAYAMA Takashi
Department of Microbiology, Kinki University School of Medicine
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矢久保 考介
北大院工
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西野 信也
北大院工
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白石 賢二
筑波大院数物
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西野 信也
東大・大総セ:jst-crest
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岩井 洋
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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Adams M.
RAL
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小田 将人
千葉大理
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鳥居 和功
(株)半導体先端テクノロジーズ
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山口 雅史
北大工
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知京 豊裕
物質材料機構
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鳥居 和功
日立製作所中央研究所
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渡部 平司
大阪大学大学院工学研究科
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中塚 理
名古屋大学
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赤坂 泰志
(株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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中岡 高司
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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中村 源治
(株)半導体先端テクノロジーズ
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太田 晃生
広島大学大学院先端物質科学研究科
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大毛利 健治
早稲田大学
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大野 隆央
物質材料研究機構:東大生産研
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大野 隆央
物材機構:東大生研
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大野 隆央
東大理
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大野 隆央
金属材料技術研究所
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大野 隆央
Ntt基礎研究所
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大野 隆央
物質・材料研究機構計算科学センター
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丸田 勇亮
千葉大学理学研究科基盤理学専攻
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中山 隆史
千葉大院理学研究科
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Shima H
Department Of Applied Physics Graduate School Of Engineering Hokkaido University
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矢久保 孝介
北大院・工
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知京 豊裕
物質・材料研究機構
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知京 豊裕
物質・材料研究機構ナノマテリアル研/物質研
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Yagi T
Hokkaido Univ. Sapporo
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財満 鎭明
名古屋大学先端技術共同研究センター
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
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野呂 治人
北大工:昭和電線電纜(株)
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岩井 洋
東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター
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Green M.
National Institute Of Standards And Technology
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梅林 陽
千葉大学
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大野 隆央
東京大学生産技術研究所
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NAKAYAMA Tsuneyoshi
Department of Applied Physics, Hokkaido University
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武井 祐樹
千葉大理学
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中山 隆史
千葉大理学
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五月女 真一
千葉大学理学研究科基盤理学専攻
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中山 隆史
千葉大学大学院自然科学研究科
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大野 隆央
物材機構:jst-crest
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SHIMA Hiroyuki
Department of Applied Physics, Hokkaido University
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KAWAI Maki
Surface Chemistry Laboratory
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宮崎 誠一
広島大学大学院先端物質科学研究科
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CHIKYOW T.
National Institute of Materials Science
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AHMET P.
Tokyo Institute of Technology
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小野 裕己
千葉大先進センター
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KAJITA Seiji
Department of Physics, Faculty of Science, Chiba University
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Kajita Seiji
Department Of Physics Faculty Of Science Chiba University:surface Chemistry Lab. Riken (the Institut
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矢久保 孝介
北大院工
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Nakayama Tsuneyoshi
Department Of Applied Phusics Faculty Of Engineering Hokkaido University
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Shima Hiroyuki
Department Of Applied Physics Hokkaido University
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岩井 洋
(株)東芝研究開発センターulsi研究所
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知京 豊裕
物材機構:comet-nims:科技機構戦略
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中山 恒義
北大 工
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Ahmet P.
物質・材料研究機構
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山谷 有史
北大工
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佐藤 信之
北大工
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Kawai Maki
Surface Chemistry Lab. Riken (the Institute Of Physics And Chemistry Research):department Of Advance
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Nakayama Takashi
Department Of Biopharmaceutics Graduate School Of Pharmaceutical Sciences Osaka University:crest (co
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宮崎 誠一
広島大学大学院
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穴釜 剛
東京大学大学院理学系研究科
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松木 武雄
早稲田大学:jst-crest
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角嶋 邦之
東京工業大学
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五月女 真一
千葉大学理学研究料
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町田 義明
千葉大学理学研究料
-
岩井 洋
東京工業大学
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Nakayama Takashi
Department Of Biochemistry I Yokohama City University School Of Medicine
-
財満 鎭明
名古屋大学
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飯塚 秀行
千葉大学大学院理学研究科
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帆引 豊
北大・工
-
中山 恒義
北大
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オーバック レイモンド
カリフォルニア大学リバーサイド
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中山 隆史
千葉大学理学研究科
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平賀 英之
北大工
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飯塚 秀行
千葉大学理学研究科
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後藤 佳史
北大・工
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科:JST-CREST
著作論文
- 23aWJ-9 1次元長距離相関不規則電子系における金属-絶縁体転移(量子細線,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 金属/Hf系高誘電率絶縁膜界面の統一理論 : ゲート金属の設計指針(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 金属/Si界面の偏析層によるショットキーバリアの変調 : 第一原理計算による化学的傾向の検討(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- PF17 格子振動の数値解析法の光導波路への応用(ポスターセッション4-概要講演・展示)
- 24aPS-102 ファンデルワールス密度汎関数を用いた1次元鎖状有機物質の第一原理計算(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 半導体表面におけるタンパク質の機能制御
- 3P327 半導体からの電荷キャリア注入によるタンパク質の機能制御(バイオエンジニアリング))
- 24pYF-9 InN膜中の刃状転位欠陥の電子構造 : 理論的考察(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 金属/絶縁体界面の統一理論
- 金属/絶縁体界面の物理 : ショットキーバリアと原子混晶化
- 19aPS-67 双曲平面イジング模型の臨界指数と曲率の効果(領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 19aPS-66 正七角スピン格子の二次相転移(領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 14aTK-7 量子 kicked rotor の配向制御と分極相関効果(量子カオス・量子力学, 領域 11)
- 21aXC-7 極低温におけるガラスの異常熱物性の微視的起源
- 22pZB-12 分岐高分子系における構造形成と静電相互作用
- シリカガラスのボソン・ピークとその物理
- シリカガラスのボソン・ピークとその物理
- 30pYC-6 溶液中の分岐高分子系における構造形成
- 17aYE-7 コロイド溶液におけるクーロン相互作用の効果
- 30pYT-10 コロイド分散系における粒子間相互作用
- 30aPS-16 2次元symplectic系の交流伝導度に現れる低振動数異常
- 23pPSA-53 電解質溶液中における荷電コロイド系の相互作用
- 23pPSA-6 スピン・軌道相互作用を有する2次元不規則電子系の交流伝導特
- 23aSA-2 ランダム磁場下2次元電子系の交流伝導度における量子干渉効果
- 27a-R-7 アモルファスGeS_2におけるボゾンピークの圧力依存性
- 23pTE-5 孤立系に対する非局所交換相関項の第一原理的計算手法の開発(電子系(密度汎関数法),領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- Ab-initio Calculation Method for Electronic Structures of Charged Surfaces Using Repeated Slab and Density-Variable Charge Sheets(Condensed matter: electronic structure and electrical, magnetic, and optical properties)
- Low-Temperature Anomalies of Crystalline Ge With O-Impurities(Condensed Matter : Electronic Structure, Electrical, Magnetic and Optical Properties)
- 31p-PSA-33 強制振動子法によるKubo-Greenwood公式の計算アルゴリズム
- ランダム磁場中における2次元電子の局在性 : 強制振動子法によるアプローチ
- 24aZD-5 荷電コロイド系における粒子間相互作用
- 26aP-10 コロイド溶液における粒子間相互作用
- 30p-PSA-62 コロイド粒子系における構造形成
- 28a-PS-58 クラスター凝集系における光散乱
- 31p-PSB-30 クラスター凝集体におけるゾルーゲル転移
- 8a-PS-37 反応律速クラスター・クラスター凝集体の振動ダイナミクス
- 29p-N-3 強く乱れた系における局在励起と非弾性散乱スペクトル
- 臨界波動関数のマルチフラクタル解析--量子ホ-ル系
- クラスター・クラスター凝集体の振動ダイナミクス
- パーコレーション格子の非弾性光散乱スペクトル
- 6p-YL-11 ボソン・ピークの起源とその構造モデル
- 25pP-9 ガラスにおけるミクロなバックリングと低エネルギー・ダイナミックス
- 24pT-10 不規則電子系の動的臨界指数に対する有限時間スケーリング解析
- ナノコンタクト系の過渡ループ電流の研究(非平衡系の物理-非平衡ゆらぎと集団挙動-,研究会報告)
- 26p-S-3 ボース・ピーク領域におけるラマン結合定数の周波数依存性
- 26p-S-2 ガラスにおける強局在モードのホッピング伝導
- 31p-PSA-34 アンダーソン転移における交流電気伝導度σ(ω)のスケーリング則
- 6a-YL-10 水の低エネルギー振動スペクトルの新しい解釈
- フラクタル・ドラムとWeyl-Berry-Lapidus推測
- ドーピングによるシリサイドの仕事関数の変調 : シリサイドの物理に基づく理論(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 21aTM-8 3サイト分子架橋系におけるループ電流の過渡特性(21aTM 量子細線・接合系(量子細線・微小接合・ジョセブソン接合),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pRA-12 二次元及び三次元パーコレーション反強磁性体におけるフラクトンの動的構造因子の単一特性長解析(21pRA 遍歴磁性・スピングラス,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 金属/Si界面の構造乱れによるショットキーバリア変調 : 第一原理計算による理論的検討(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- パーコレーション磁性体における反強磁性フラクトン
- 金属/(Si/Ge)界面の構造乱れとSBH変調の関係 : 第一原理計算による理論的検討(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)