山田 啓作 | 筑波大学大学院数理物質科学研究科:JST-CREST
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概要
関連著者
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科:JST-CREST
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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山田 啓作
筑波大学数理物質科学研究科
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白石 賢二
筑波大学
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大毛利 健治
早稲田大学ナノ理工学研究機構
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大毛利 健治
早稲田大学ナノ理工学研究機構ナノテクノロジー研究所
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白石 賢二
筑波大院数物
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山田 啓作
早稲田大学:筑波大学
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奈良 安雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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山田 啓作
早稲田大学ナノテクノロジー研究所
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奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
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知京 豊裕
物材機構
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部
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知京 豊裕
金属材料技術研究所
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渡部 平司
大阪大学大学院工学研究科
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構 半導体材料センター
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CHIKYOW T.
National Institute of Materials Science
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白石 賢二
筑波大学数理物質科学研究科
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櫻井 蓉子
筑波大院数物
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野村 晋太郎
筑波大院数物
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知京 豊裕
物質・材料研究機構ナノマテリアル研/物質研
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櫻井 蓉子
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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赤坂 泰志
東京エレクトロン株式会社
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角嶋 邦之
東工大総理工
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岩井 洋
東工大フロンティア研
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岩井 洋
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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白石 賢二
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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細井 卓治
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
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細井 卓治
大阪大学大学院工学研究科
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岩井 洋
(株)東芝研究開発センターulsi研究所
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大毛利 健治
筑波大院数物
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山田 啓作
筑波大院数物
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山部 紀久夫
筑波大学数理物質科学研究科
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渡部 平司
大阪大学
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松木 武雄
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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Nara Y.
Semiconductor Leading Edge Technology Inc.
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志村 考功
大阪大学大学院工学研究科
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野村 晋太郎
筑波大数理物質:ntt物性基礎研
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大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ
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大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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大路 譲
半導体先端テクノロジーズ
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山部 紀久夫
筑波大学
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大毛利 健治
早稲田大学
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喜多 祐起
大阪大学大学院工学研究科
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AKASAKA Y.
Semiconductor Leading Edge Technology Inc.
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NARA Y.
Selete
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知京 豊裕
物材機構:comet-nims:科技機構戦略
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鈴木 基史
京大院工
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鈴木 基史
産業技術総合研究所
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鈴木 基史
京大
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宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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吉武 道子
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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CHANG K.-S.
National Institute for Standards and Technology
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GREEN M.
National Institute for Standards and Technology
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知京 豊裕
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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宮崎 誠一
広大院先端研
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中嶋 薫
京都大学大学院工
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鈴木 基史
京都大学大学院工
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木村 健二
京都大学大学院工
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宮崎 誠一
広島大学 工学部
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趙 明
京都大学大学院工学研究科マイクロエンジニアリング専攻
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植松 真司
NTT物性科学基礎研究所
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鳥居 和功
(株)半導体先端テクノロジーズ
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神山 聡
(株)半導体先端テクノロジーズ
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青山 敬幸
(株)半導体先端テクノロジーズ
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知京 豊裕
物質材料機構
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鳥居 和功
日立製作所中央研究所
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中島 清美
物質・材料研究機構
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杉田 義博
半導体先端テクノロジーズ
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網中 敏夫
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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知京 豊裕
物質・材料研究機構
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Green M.
National Institute Of Standards And Technology
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宮崎 誠一
広大
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神山 聡
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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植松 真司
慶応義塾大学大学院理工学研究科
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宮崎 誠一
広島大学大学院先端物質科学研究科
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大路 譲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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SHIRAISHI K.
Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba
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YAMABE K.
Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba
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YAMADA K.
Nanotechnology Research Laboratories, Waseda University
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UMEZAWA N.
Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science
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OHMORI K.
Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science
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CHIKYOW T.
Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science
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AHMET P.
Tokyo Institute of Technology
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吉武 道子
物質・材料研究機構
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吉武 道子
「応用物理」 編集委員会
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吉武 道子
物質材料研究機構 半導体材料研究センター
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吉武 道子
金材技研
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角嶋 邦之
東京工業大学
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岩井 洋
東京工業大学
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Yamabe K.
Graduate School Of Pure And Applied Sciences Univ. Of Tsukuba
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Umezawa N.
Advanced Electronic Materials Center National Institute For Materials Science
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大毛利 健治
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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Shiraishi K.
Graduate School Of Pure And Applied Sciences Univ. Of Tsukuba
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Akasaka Y.
Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. (selete)
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金光 義彦
京大化研
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蓮沼 隆
筑波大学電子・物理工学専攻
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大毛利 健治
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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AHMET P.
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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赤坂 泰志
Selete
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奈良 安雄
Selete
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太野垣 健
京大化研
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Miyazaki Seiichi
Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University
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細井 卓治
大阪大学
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中嶋 薫
京大工
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木村 健二
京大工
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大田 晃生
広島大学大学院先端物質科学研究科
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中嶋 薫
京大院工
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木村 健二
京大院工
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木村 健二
京大 大学院工学研究科
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足立 哲也
物質・材料研究機構
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石川 大
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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中山 恒義
北大院工
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吉武 道子
(独)物質・材料研究機構半導体材料研究センター
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大野 垣健
京大院理
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舘 喜一
東京工大フロンティア創造共同研究センター
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角嶋 邦之
東京工大フロンティア創造共同研究センター
-
岩井 洋
東京工大フロンティア創造共同研究センター
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門島 勝
(株)半導体先端テクノロジーズ
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佐藤 基之
(株)半導体先端テクノロジーズ
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杉田 義博
(株)半導体先端テクノロジーズ
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中島 清美
物質材料機構
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網中 敏夫
(株)半導体先端テクノロジーズ
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黒澤 悦男
(株)半導体先端テクノロジーズ
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松木 武雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
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諸岡 哲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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中塚 理
名古屋大学
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蓮沼 隆
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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中山 隆史
千葉大学理学部
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中嶋 薫
京大 大学院工学研究科
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石川 恵子
物質・材料研究機構
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佐藤 基之
(株)半導体先端テクノロジーズ (selete)
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中山 隆史
千葉大
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中山 隆史
千葉大学
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中山 隆史
千葉大学理学研究科基盤理学専攻
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財満 鎭明
名古屋大学先端技術共同研究センター
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蓮沼 隆
筑波大学 電子・物理工学専攻
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岩井 洋
東京工業大学フロンティア研究機構
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岩井 洋
東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター
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Miyazaki S
Hiroshima Univ. Higashi‐hiroshima Jpn
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Miyazaki Seiichi
Dept. Of Electrical Engineering Hiroshima University
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五月女 真一
千葉大学理学研究科基盤理学専攻
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Miyazaki Seiichi
Faculty Of Engineering Hiroshima University
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太野 垣健
京大院理
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NAKAMURA G.
Semiconductor Leading Edge Technology Inc.
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KADOSHIMA M.
Semiconductor Leading Edge Technology Inc.
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WATANABE H.
Graduate School of Engineering, Osaka University
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OHMORI K.
Nanotechnology Research Laboratories, Waseda University
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OHJI Y.
Semiconductor Leading Edge Technology Inc.
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INUMIYA S.
Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)
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MIYAZAKI S.
Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima Univ.
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UEDONO A.
Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba
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HASUNUMA R.
Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba
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MOMIDA H.
Computational Materials Science Center, National Institute for Materials Science
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OHNO T.
Computational Materials Science Center, National Institute for Materials Science
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SHIRAISHI K.
University of Tsukuba
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YAMABE K.
University of Tsukuba
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WATANABE H.
Osaka University
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AKASAKA Y.
Selete
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NAKAJIMA K.
Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science
-
YOSHITAKE M.
Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science
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NAKAYAMA T.
Chiba University
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KAKUSHIMA K.
Tokyo Institute of Technology
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IWAI H.
Tokyo Institute of Technology
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YAMADA K.
Waseda University
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Murakami H.
Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University
-
佐伯 雅之
大阪大学大学院工学研究科
-
奥 雄大
大阪大学大学院工学研究科
-
有村 拓晃
大阪大学大学院工学研究科
-
北野 尚武
大阪大学大学院工学研究科
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吉武 道子
金属材料技術研究所
-
吉武 道子
科学技術庁金属材料技術研究所
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Miyazaki S
Department Of Electrical Engineering Hiroshima University
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Murakami H
Graduate School Of Advanced Sciences Of Matter Hiroshima University
-
Uedono A.
Graduate School Of Pure And Applied Sciences Univ. Of Tsukuba
-
Inumiya S.
Semicondutor Leading Edge Technologies Inc.
-
門島 勝
ルネサステクノロジ
-
Ahmet P.
物質・材料研究機構
-
諸岡 哲
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
-
中山 隆史
干葉大理
-
Miyazaki S
Graduate School Of Advanced Sciences Of Matter Hiroshima University
-
松木 武雄
早稲田大学:jst-crest
-
五月女 真一
千葉大学理学研究料
-
町田 義明
千葉大学理学研究料
-
財満 鎭明
名古屋大学
-
中山 隆史
千葉大学理学研究料
-
Hasunuma R.
Graduate School Of Pure And Applied Sciences Univ. Of Tsukuba
-
Nakaoka T.
Chiba University
-
野村 晋太郎
筑波大学大学院数理物質科学研究科
-
舘 喜一
東京工業大学フロンティア研究機構
-
渡邉 孝信
早稲田大学理工学術院:jst-crest
-
Ahmet Parhat
物質・材料研究機構 半導体材料センター
-
渡邉 孝信
早稲田大学 理工学術院
-
太野垣 健
京大化研:JSTさきがけ
-
大毛利 健治
筑波大学大学院数理物質科学研究科:JST-CREST
-
図師 知文
早稲田大学理工学術院
-
大田 晃生
広島大学 大学院先端物質科学研究科
著作論文
- 金属電極とハフニウム系高誘電率ゲート絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構(シリコン関連材料の作製と評価)
- 金属電極/high-k絶縁膜キャパシタのフラットバンド電圧特性に与える仕事関数変調及び熱処理の影響(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- シリコンとhigh-kゲート絶縁膜の界面の高分解能RBS/ERD分析(シリコン関連材料の作製と評価)
- 酸素雰囲気アニール中のHfO_2/SiO_2/Si(001)界面反応の高分解能RBS観察(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- HfSiON/TiNゲートスタックpMOSFETの陰極電子注入絶縁破壊モデルに基づくTDDB寿命予測方法
- メタルゲート/HfSiONゲート絶縁膜ゲートスタックにおけるピニング現象の改善策検討
- Ru-Mo合金を用いた金属/high-k 絶縁膜ゲートスタックの実効仕事関数制御
- 金属/high-k絶縁膜構造トランジスタにおいて金属結晶が閾値電圧ばらつきに及ぼす影響とその抑制(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 金属電極/高誘電率絶縁膜界面の物理を中心としたhigh-k/metalゲートスタックの実効仕事関数変調機構の理解(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- Systematic studies on Fermi level pining of Hf-based high-k gate stacks
- Guiding Principle of Energy Level Controllability of Silicon Dangling Bond in HfSiON
- Wide Controllability of Flatband Voltage in La_2O_3 Gate Stack Structures : Remarkable Advantages of La_2O_3 over HfO_2
- 金属電極とHf系高誘電率絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構
- ドーピングによるシリサイドの仕事関数の変調 : シリサイドの物理に基づく理論(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 25pHD-9 低温におけるSiナノワイヤーの発光特性(25pHD 磁性半導体・量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22aTM-8 シリコンナノレイヤー中電子正孔液滴発光の膜厚依存性(22aTM 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- Siナノワイヤー、ナノレイヤの発光と界面(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 26pCJ-6 Siナノレイヤーの発光寿命の膜厚依存性(26pCJ 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 立体構造シリコン中の熱輸送に関する分子動力学シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 25pDD-3 Siナノレイヤー中電子正孔凝縮状態の膜厚依存性(量子井戸・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))