岩井 洋 | 東京工業大学フロンティア研究機構
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概要
関連著者
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岩井 洋
東京工業大学フロンティア研究機構
-
岩井 洋
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
-
岩井 洋
東京工業大学
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角嶋 邦之
東工大総理工
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岩井 洋
東工大フロンティア研
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岩井 洋
東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター
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岩井 洋
(株)東芝研究開発センターulsi研究所
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角嶋 邦之
東京工業大学
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舘 喜一
東京工業大学フロンティア研究機構
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佐藤 創志
東京工業大学フロンティア研究機構
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山田 啓作
筑波大学数理物質科学研究科
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舘 喜一
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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佐藤 創志
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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鈴木 基史
京大院工
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鈴木 基史
産業技術総合研究所
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鈴木 基史
京大
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山崎 順
名大エコ研
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田中 信夫
名大エコ研
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奈良 安雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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山田 啓作
早稲田大学ナノテクノロジー研究所
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山崎 順
名大エコトピア研
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田中 信夫
名大エコトピア研
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稲元 伸
名大院工
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中嶋 薫
京大工
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木村 健二
京大工
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奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部
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田中 信夫
名古屋大学
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杉井 信之
(株)日立製作所中央研究所
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杉井 信之
東京工業大学大学院総合理工学研究科物理電子システム創造専攻
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奥西 栄治
日本電子(株)
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中嶋 薫
京大院工
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木村 健二
京大院工
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中嶋 薫
京都大学大学院工
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鈴木 基史
京都大学大学院工
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木村 健二
京都大学大学院工
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木村 健二
京大 大学院工学研究科
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筒井 一生
東京工業大学大学院 総合理工学研究科
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趙 明
京都大学大学院工学研究科マイクロエンジニアリング専攻
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植松 真司
NTT物性科学基礎研究所
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鳥居 和功
(株)半導体先端テクノロジーズ
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神山 聡
(株)半導体先端テクノロジーズ
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舘 喜一
東京工大フロンティア創造共同研究センター
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角嶋 邦之
東京工大フロンティア創造共同研究センター
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岩井 洋
東京工大フロンティア創造共同研究センター
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服部 健雄
東北大学未来科学技術共同研究センター
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鳥居 和功
日立製作所中央研究所
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名取 研二
東京工業大学フロンティア研究機構
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中嶋 薫
京大 大学院工学研究科
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大毛利 健治
早稲田大学
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角嶋 邦之
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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服部 健雄
東京工業大学フロンティア研究機構
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角嶋 邦之
早稲田大学ナノ理工学研究機構
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AHMET Parhat
東京工業大学フロンティア研究機構
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服部 健雄
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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パールハット アヘメト
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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アヘメト パールハット
東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
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大毛利 健治
早稲田大学ナノ理工学研究機構
-
アヘメト パールハット
東京工業大学フロンティア研究機構
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宋 在烈
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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奥西 栄治
日本電子:jst-crest
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神山 聡
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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植松 真司
慶応義塾大学大学院理工学研究科
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杉井 信之
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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Nohira Hiroshi
Faculty Of Engineering Musashi Institute Of Technology
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Faynot Olivier
Cea-leti
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大毛利 健治
早稲田大学ナノ理工学研究機構ナノテクノロジー研究所
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Hartmann Jean-michel
Cea-leti Minatec
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Casse Mikael
CEA-LETI, MINATEC
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Barraud Sylvain
CEA-LETI, MINATEC
-
Dupre Cecilia
CEA-LETI, MINATEC
-
Hubert Alexandre
CEA-LETI, MINATEC
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Vulliet Nathalie
STMicroelectronics
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Faivre Marie-Emmanuelle
CEA-LETI, MINATEC
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Vizioz Christian
CEA-LETI, MINATEC
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Carabasse Catherine
CEA-LETI, MINATEC
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Delaye Vincent
CEA-LETI, MINATEC
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Cristoloveanu Sorin
グルノーブル工科大学
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Ernst Thomas
CEA-LETI, MINATEC
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山田 啓作
早稲田大学:筑波大学
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Faynot Olivier
Cea-leti Minatec
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宋 在烈
東京工業大学フロンティア研究センター
-
Dupre Cecilia
Cea-leti Minatec
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Ernst Thomas
Cea-leti Minatec
-
Barraud Sylvain
Cea-leti Minatec
-
Vulliet Nathalie
Stmicroelectronics:東京工業大学フロンティア研究機構
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Casse Mikael
Cea-leti Minatec
-
Delaye Vincent
Cea-leti Minatec
-
Hubert Alexandre
Cea-leti Minatec
-
Vizioz Christian
Cea-leti Minatec
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Carabasse Catherine
Cea-leti Minatec
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Faivre Marie-emmanuelle
Cea-leti Minatec
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ザデ ダリューシュ
東京工業大学フロンティア研究機構
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野平 博司
東京都市大
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服部 健雄
東京工大 フロンティア研究機構
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小松 新
東京都市大学工学部
-
沼尻 侑也
東京都市大学
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山下 晃司
東京都市大学
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パルハット アヘメト
東京工業大学フロンティア研究機構
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科:JST-CREST
著作論文
- 27pRE-9 収差補正TEM/STEMを用いたLa_2O_3/Si界面ラフネスの精密解析(27pRE X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- シリコンとhigh-kゲート絶縁膜の界面の高分解能RBS/ERD分析(シリコン関連材料の作製と評価)
- キャリア移動度評価によるシリコンナノワイヤトランジスタの電気特性解析(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 微細化の末法時代とは : シリコンデバイスの重要性とその行方
- 低消費電力化技術とゲート絶縁膜の薄膜化
- 低消費電力化技術とゲート絶縁膜の薄膜化
- ラジカル窒化によるLa_2O_3ゲート絶縁膜への窒素導入効果 : 堆積時窒化によるEOT増加抑制効果(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 直径10nmナノワイヤCMOSにおけるキャリア輸送に関する研究(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- AR-XPSによる種々の表面処理したIn_Ga_As表面の化学結合状態の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- 1.シリコンナノワイヤFET技術(ナノデバイス)