宋 在烈 | 東京工業大学フロンティア研究センター
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概要
関連著者
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角嶋 邦之
東工大総理工
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岩井 洋
東工大フロンティア研
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岩井 洋
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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筒井 一生
東京工業大学大学院 総合理工学研究科
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角嶋 邦之
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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パールハット アヘメト
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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アヘメト パールハット
東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター
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岩井 洋
東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター
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アヘメト パールハット
東京工業大学フロンティア研究機構
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宋 在烈
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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岩井 洋
(株)東芝研究開発センターulsi研究所
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角嶋 邦之
東京工業大学
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宋 在烈
東京工業大学フロンティア研究センター
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岩井 洋
東京工業大学
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パルハット アヘメト
東京工業大学フロンティア研究機構
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杉井 信之
(株)日立製作所中央研究所
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杉井 信之
東京工業大学大学院総合理工学研究科物理電子システム創造専攻
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服部 健雄
東北大学未来科学技術共同研究センター
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佐藤 創志
東京工業大学フロンティア研究機構
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服部 健雄
東京工業大学フロンティア研究機構
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服部 健雄
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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岩井 洋
東京工業大学フロンティア研究機構
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舘 喜一
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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杉井 信之
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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AHMET P.
東京工業大学フロンティア研究センター
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佐藤 創志
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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服部 健雄
東京工大 フロンティア研究機構
-
舘 喜一
東京工業大学フロンティア研究機構
著作論文
- ラジカル窒化によるLa_2O_3ゲート絶縁膜への窒素導入効果 : 堆積時窒化によるEOT増加抑制効果(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 希土類酸化物La_2O_3膜を用いたGe MOSデバイスの特性改善のための極薄界面層の検討