舘 喜一 | 東京工業大学フロンティア研究機構
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概要
関連著者
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岩井 洋
東京工業大学フロンティア研究機構
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舘 喜一
東京工業大学フロンティア研究機構
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角嶋 邦之
東工大総理工
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岩井 洋
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岩井 洋
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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岩井 洋
東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター
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舘 喜一
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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(株)東芝研究開発センターulsi研究所
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早稲田大学ナノテクノロジー研究所
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木村 健二
京大工
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部
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杉井 信之
(株)日立製作所中央研究所
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杉井 信之
東京工業大学大学院総合理工学研究科物理電子システム創造専攻
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京大院工
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木村 健二
京大院工
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中嶋 薫
京都大学大学院工
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京都大学大学院工
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木村 健二
京都大学大学院工
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木村 健二
京大 大学院工学研究科
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東京工業大学大学院 総合理工学研究科
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京都大学大学院工学研究科マイクロエンジニアリング専攻
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NTT物性科学基礎研究所
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(株)半導体先端テクノロジーズ
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(株)半導体先端テクノロジーズ
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舘 喜一
東京工大フロンティア創造共同研究センター
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角嶋 邦之
東京工大フロンティア創造共同研究センター
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岩井 洋
東京工大フロンティア創造共同研究センター
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東北大学未来科学技術共同研究センター
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鳥居 和功
日立製作所中央研究所
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中嶋 薫
京大 大学院工学研究科
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東京工業大学フロンティア研究機構
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角嶋 邦之
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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服部 健雄
東京工業大学フロンティア研究機構
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山田 啓作
筑波大学数理物質科学研究科
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服部 健雄
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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パールハット アヘメト
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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アヘメト パールハット
東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
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アヘメト パールハット
東京工業大学フロンティア研究機構
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宋 在烈
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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神山 聡
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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植松 真司
慶応義塾大学大学院理工学研究科
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杉井 信之
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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Faynot Olivier
Cea-leti
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佐藤 創志
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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角嶋 邦之
東京工業大学
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Hartmann Jean-michel
Cea-leti Minatec
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Casse Mikael
CEA-LETI, MINATEC
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Barraud Sylvain
CEA-LETI, MINATEC
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Dupre Cecilia
CEA-LETI, MINATEC
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Hubert Alexandre
CEA-LETI, MINATEC
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Vulliet Nathalie
STMicroelectronics
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Faivre Marie-Emmanuelle
CEA-LETI, MINATEC
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Vizioz Christian
CEA-LETI, MINATEC
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Carabasse Catherine
CEA-LETI, MINATEC
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Delaye Vincent
CEA-LETI, MINATEC
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Cristoloveanu Sorin
グルノーブル工科大学
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Ernst Thomas
CEA-LETI, MINATEC
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山田 啓作
早稲田大学:筑波大学
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Faynot Olivier
Cea-leti Minatec
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宋 在烈
東京工業大学フロンティア研究センター
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Dupre Cecilia
Cea-leti Minatec
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Ernst Thomas
Cea-leti Minatec
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Barraud Sylvain
Cea-leti Minatec
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Vulliet Nathalie
Stmicroelectronics:東京工業大学フロンティア研究機構
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Casse Mikael
Cea-leti Minatec
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Delaye Vincent
Cea-leti Minatec
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Hubert Alexandre
Cea-leti Minatec
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Vizioz Christian
Cea-leti Minatec
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Carabasse Catherine
Cea-leti Minatec
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Faivre Marie-emmanuelle
Cea-leti Minatec
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服部 健雄
東京工大 フロンティア研究機構
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パルハット アヘメト
東京工業大学フロンティア研究機構
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科:JST-CREST
著作論文
- シリコンとhigh-kゲート絶縁膜の界面の高分解能RBS/ERD分析(シリコン関連材料の作製と評価)
- ラジカル窒化によるLa_2O_3ゲート絶縁膜への窒素導入効果 : 堆積時窒化によるEOT増加抑制効果(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 直径10nmナノワイヤCMOSにおけるキャリア輸送に関する研究(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))