山田 啓作 | 早稲田大学:筑波大学

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概要

• 同名の論文著者
• 早稲田大学:筑波大学の論文著者

関連著者

• 山田 啓作

  早稲田大学:筑波大学

• 山田 啓作

  早稲田大学ナノテクノロジー研究所

• 山田 啓作

  筑波大学数理物質科学研究科

• 山田 啓作

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 奈良 安雄

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 奈良 安雄

  (株)富士通研究所 Ulsi研究部門

• 白石 賢二

  筑波大学

• 奈良 安雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部

• 加藤 栄一

  早稲田大学理工学部

• 加藤 栄一

  早稲田大

• 山田 啓作

  早稲田大学鋳物研究所

• 山田 啓作

  筑波大学大学院数理物質科学研究科:JST-CREST

• 知京 豊裕

  物材機構

• 知京 豊裕

  (独)物質・材料研究機構

• 知京 豊裕

  金属材料技術研究所

• 知京 豊裕

  (独)物質・材料研究機構 半導体材料センター

• 加藤 榮一

  早稲田大学

• 白石 賢二

  筑波大学数理物質科学研究科

• 白石 賢二

  筑波大院数物

• 渡部 平司

  大阪大学大学院工学研究科

• 奈良 安雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 宮崎 誠一

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 山部 紀久夫

  筑波大学

• 大毛利 健治

  早稲田大学ナノ理工学研究機構

• 宮崎 誠一

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 大毛利 健治

  早稲田大学ナノ理工学研究機構ナノテクノロジー研究所

• 山部 紀久夫

  筑波大学数理物質科学研究科

• 鳥居 和功

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 鳥居 和功

  日立製作所中央研究所

• 白石 賢二

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 知京 豊裕

  物質・材料研究機構ナノマテリアル研/物質研

• CHIKYOW T.

  National Institute of Materials Science

• 知京 豊裕

  物質材料研究機構(NIMS)

• 渡部 平司

  大阪大学

• 知京 豊裕

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• 松木 武雄

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 赤坂 泰志

  東京エレクトロン株式会社

• 大路 譲

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 大路 譲

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 大路 譲

  半導体先端テクノロジーズ

• 大毛利 健治

  早稲田大学

• 中島 清美

  物質・材料研究機構

• 細井 卓治

  広島大学ナノデバイス・システム研究センター

• 知京 豊裕

  物質・材料研究機構

• 細井 卓治

  大阪大学大学院工学研究科

• 神山 聡

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 阿部 宏

  早稲田大学鋳物研究所

• 知京 豊裕

  物材機構:comet-nims:科技機構戦略

• 宮崎 誠一

  広島大学大学院

• 鈴木 基史

  京大院工

• 鈴木 基史

  産業技術総合研究所

• 鈴木 基史

  京大

• 大毛利 健治

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• AHMET P.

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• GREEN M.

  National Institute for Standards and Technology

• 角嶋 邦之

  東工大総理工

• 岩井 洋

  東工大フロンティア研

• 宮崎 誠一

  広大院先端研

• 中嶋 薫

  京都大学大学院工

• 鈴木 基史

  京都大学大学院工

• 木村 健二

  京都大学大学院工

• 志村 考功

  大阪大学大学院工学研究科

• 中山 恒義

  北大院工

• 岩井 洋

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• 宮崎 誠一

  広島大学 工学部

• 趙 明

  京都大学大学院工学研究科マイクロエンジニアリング専攻

• 植松 真司

  NTT物性科学基礎研究所

• 神山 聡

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 青山 敬幸

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 知京 豊裕

  物質材料機構

• 中山 隆史

  千葉大学理学部

• 杉田 義博

  半導体先端テクノロジーズ

• 中山 隆史

  千葉大

• 中山 隆史

  千葉大学

• 中山 隆史

  千葉大学理学研究科基盤理学専攻

• 網中 敏夫

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• Green M.

  National Institute Of Standards And Technology

• 喜多 祐起

  大阪大学大学院工学研究科

• 宮崎 誠一

  広大

• 植松 真司

  慶応義塾大学大学院理工学研究科

• 大路 譲

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• AHMET P.

  Tokyo Institute of Technology

• 山本 正道

  早稲田大学鋳物研究所

• 岩井 洋

  (株)東芝研究開発センターulsi研究所

• Ahmet P.

  物質・材料研究機構

• 中山 隆史

  干葉大理

• 中山 隆史

  千葉大学理学研究料

• 上殿 明良

  筑波大数理

• 上殿 明良

  筑波大学電子物理工学系

• 鈴木 良一

  産総研

• 大平 俊行

  産総研

• 上殿 明良

  筑波大学数理物質科学研究科

• 大平 俊行

  産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門

• 鈴木 良一

  産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門

• 大塚 崇

  筑波大学数理物質科学研究科

• 伊東 健一

  筑波大学数理物質科学研究科

• 梅澤 直人

  物質材料研究機構(NIMS)

• 犬宮 誠治

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 神山 聡

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 赤坂 泰志

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 北島 洋

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 有門 経敏

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 蓮沼 隆

  筑波大学電子・物理工学専攻

• 赤坂 泰志

  Selete

• 吉武 道子

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• CHANG K.-S.

  National Institute for Standards and Technology

• 奈良 安雄

  Selete

• 細井 卓治

  大阪大学

• 鯉沼 秀臣

  東京大学工学部工業化学科

• 中嶋 薫

  京大工

• 木村 健二

  京大工

• 大田 晃生

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 中嶋 薫

  京大院工

• 木村 健二

  京大院工

• 木村 健二

  京大 大学院工学研究科

• 足立 哲也

  物質・材料研究機構

• 石川 大

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 鈴木 良一

  産業技術総合研究所

• 上殿 明良

  筑波大学・物理工学系

• 吉武 道子

  (独)物質・材料研究機構半導体材料研究センター

• 舘 喜一

  東京工大フロンティア創造共同研究センター

• 角嶋 邦之

  東京工大フロンティア創造共同研究センター

• 岩井 洋

  東京工大フロンティア創造共同研究センター

• 門島 勝

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 佐藤 基之

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 杉田 義博

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 中島 清美

  物質材料機構

• 網中 敏夫

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 黒澤 悦男

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 松木 武雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 諸岡 哲

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 中塚 理

  名古屋大学

• 蓮沼 隆

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 赤坂 泰志

  (株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 中岡 高司

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 中村 源治

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 太田 晃生

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 中嶋 薫

  京大 大学院工学研究科

• 山部 紀久夫

  筑波大学大学院 数理物質科学研究科 電子・物理工学専攻学際物質科学研究センター

• 石川 恵子

  物質・材料研究機構

• 北島 洋

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 有門 経敏

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 梅澤 直人

  南カリフォルニア大

• 佐藤 基之

  (株)半導体先端テクノロジーズ (selete)

• パールハット アヘメト

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• アヘメト パールハット

  東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター

• 財満 鎭明

  名古屋大学先端技術共同研究センター

• 蓮沼 隆

  筑波大学 電子・物理工学専攻

• 犬宮 誠治

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 岩井 洋

  東京工業大学フロンティア研究機構

• 岩井 洋

  東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター

• 長谷川 顕

  東京工業大学

• 田森 妙

  東京工業大学

• Ahmet Parhat

  物質材料研究機構

• Kukurznyak Dmitry

  物質材料研究機構

• 中島 清美

  物質材料研究機構

• 鯉沼 秀臣

  早稲田大学ナノテクセンター

• 鯉沼 秀臣

  東京大学新領域創成科学研究科

• 大平 俊行

  産業総合技術研究所計測フロンティア研究部門

• アヘメト パールハット

  東京工業大学フロンティア研究機構

• 鯉沼 秀臣

  東京工大 応用セラミックス研

• 五月女 真一

  千葉大学理学研究科基盤理学専攻

• 長谷川 顕

  東京工大 応用セラミックス研

• 吉武 道子

  金属材料技術研究所

• 吉武 道子

  物質・材料研究機構

• 吉武 道子

  「応用物理」 編集委員会

• 吉武 道子

  科学技術庁金属材料技術研究所

• 門島 勝

  ルネサステクノロジ

• 吉武 道子

  物質材料研究機構 半導体材料研究センター

• 諸岡 哲

  (株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• MESHKOV Leonid

  モスクワ国立大学

• Meshkov L.

  モスクワ国立大学化学科

• 上殿 明良

  筑波大学物理工学系

• 吉武 道子

  金材技研

• 大平 俊行

  産業技術総合研究所

• 松木 武雄

  早稲田大学:jst-crest

• 角嶋 邦之

  東京工業大学

• 五月女 真一

  千葉大学理学研究料

• 町田 義明

  千葉大学理学研究料

• 岩井 洋

  東京工業大学

• 財満 鎭明

  名古屋大学

• 田森 妙

  東京工大 応用セラミックス研

• 舘 喜一

  東京工業大学フロンティア研究機構

• パルハット アヘメト

  東京工業大学フロンティア研究機構

• Ahmet Parhat

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• 大田 晃生

  広島大学 大学院先端物質科学研究科

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著作論文

• 低速陽電子ビームを用いたhigh-kゲート絶縁膜の空隙の評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 金属電極とハフニウム系高誘電率ゲート絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構(シリコン関連材料の作製と評価)
• 金属電極/high-k絶縁膜キャパシタのフラットバンド電圧特性に与える仕事関数変調及び熱処理の影響(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• シリコンとhigh-kゲート絶縁膜の界面の高分解能RBS/ERD分析(シリコン関連材料の作製と評価)
• 酸素雰囲気アニール中のHfO_2/SiO_2/Si(001)界面反応の高分解能RBS観察(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• HfSiON/TiNゲートスタックpMOSFETの陰極電子注入絶縁破壊モデルに基づくTDDB寿命予測方法
• メタルゲート/HfSiONゲート絶縁膜ゲートスタックにおけるピニング現象の改善策検討
• 金属/Hf系高誘電率絶縁膜界面の統一理論 : ゲート金属の設計指針(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• Ru-Mo合金を用いた金属/high-k 絶縁膜ゲートスタックの実効仕事関数制御
• Hf系絶縁膜中の水素原子の原子レベルの挙動の理論的研究 : ホールを起源とした絶縁破壊のメカニズム(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• 金属/high-k絶縁膜構造トランジスタにおいて金属結晶が閾値電圧ばらつきに及ぼす影響とその抑制(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• コンビナトリアル手法によるHfO_2系酸化膜の電気特性評価 : 熱力学観点からの材料選択と界面制御(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• 157 1600℃における Fe-P 合金中の P の活量係数ならびにこれにおよぼす Si の影響について(熱力学・反応速度・脱酸・脱硫・介在物, 製鋼, 日本鉄鋼協会第 94 回(秋季)講演大会)
• 質量分析法による 1600℃における溶融 Fe-Si 合金の活量測定
• 質量分析法による 1600℃における溶融 Fe-Si 合金の活量測定
• 153 クヌーセン・セル質量分析法による溶融鉄-珪素合金の活量の測定(拡散・物性・熱力学, 製鋼, 日本鉄鋼協会 第 97 回(春季)講演大会)
• 金属電極とHf系高誘電率絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構
• 溶鉄中へのりんの標準溶解自由エネルギの測定
• 173 1600℃における溶鉄中のりんの溶解の自由エネルギーの測定(製鋼基礎・造塊, 製鋼, 日本鉄鋼協会 第 98 回(秋季)講演大会)
• クヌーセン・セル質量分析法による溶融 Fe-P-Si, Al, Ti, V, Cr, Co, Ni, Nb および Mo 中のりんの活量の測定
• クヌーセン・セル質量分析法による溶融鉄-りん二元系合金の活量の測定
• PS-9 1600℃における溶融鉄中のりんの活量におよぼす第三元素の影響(製錬 I, 日本鉄鋼協会 第 95 回(春季)講演大会)
• 77 高感度質量分析計による溶融鉄-りん合金の活量の測定(脱燐・脱硫・連鋳(凝固と欠陥), 製鋼, 日本鉄鋼協会第 91 回(春季)講演大会)
• ドーピングによるシリサイドの仕事関数の変調 : シリサイドの物理に基づく理論(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

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