上殿 明良 | 筑波大数理

スポンサーリンク

概要

• 上殿 明良の詳細を見る
• 同名の論文著者
• 筑波大数理の論文著者

関連著者

• 上殿 明良

  筑波大数理

• 上殿 明良

  筑波大学電子物理工学系

• 上殿 明良

  筑波大学・物理工学系

• 谷川 庄一郎

  筑波大物質工学

• 鈴木 良一

  産総研

• 谷川 庄一郎

  筑波大物理工

• 上殿 明良

  筑波大学物理工学科

• 谷川 庄一郎

  筑波大学物理工学科

• 谷川 庄一郎

  筑波大物質工

• 大島 永康

  産総研

• 鈴木 良一

  産業技術総合研究所

• 上殿 明良

  筑波大物質

• 大平 俊行

  産総研

• 大平 俊行

  産業総合技術研究所計測フロンティア研究部門

• 大島 永康

  産業技術総合研究所

• 木野村 淳

  産総研

• 鈴木 良一

  筑波大学物質工学系

• 林崎 規託

  東工大原子炉研

• 上殿 明良

  筑波大学数理物質科学研究科

• 尾沼 猛儀

  東北大学多元物質科学研究所

• 秩父 重英

  東北大学多元物質科学研究所

• 藤浪 真紀

  千葉大院工

• 大平 俊行

  産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門

• 鈴木 良一

  産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門

• 知京 豊裕

  物材機構

• 上殿 明良

  筑波大物理工

• 生形 友宏

  筑波大物理工

• 知京 豊裕

  (独)物質・材料研究機構

• 黒田 隆之助

  産総研

• 羽豆 耕治

  東北大学多元物質科学研究所

• 宗田 孝之

  早稲田大学理工学術院

• 大島 永康

  東大 大学院

• 知京 豊裕

  金属材料技術研究所

• 宗田 孝之

  早稲田大学

• 山部 紀久夫

  筑波大学

• 上殿 明良

  東京大学先端科学技術研究センタ-

• 窪田 翔二

  筑波大数理

• 渡邉 宏理

  筑波大数理

• 鳴海 貴允

  筑波大数理

• 白石 賢二

  筑波大学数理物質科学研究科

• 山部 紀久夫

  筑波大学数理物質科学研究科

• 知京 豊裕

  物質材料研究機構(NIMS)

• 鳥居 和功

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 樋口 恵一

  筑波大学電子・物理工学専攻

• 後藤 正和

  筑波大学電子・物理工学専攻

• 村松 誠

  筑波大物理工

• 渡辺 匡人

  NEC

• 鈴木 良一

  電総研

• 大平 俊行

  電総研

• 林崎 規託

  東京工業大学

• 黒田 隆之助

  産業技術総合研究所

• 伊藤 和彦

  筑波大物質工

• 渡辺 匡人

  学習院大学理学部

• 上殿 明良

  東大工

• 鈴木 良一

  筑波大物質

• 鳥居 和功

  日立製作所中央研究所

• 柳下 宏

  産総研

• 山田 啓作

  筑波大学数理物質科学研究科

• 氏平 祐輔

  東京大学先端科学技術研究センター

• 白石 賢二

  筑波大学

• 依田 修

  日本原子力研究所高崎研究所

• 依田 修

  日本原子力研究所関西研究所

• 上殿 明良

  筑波大物工

• 谷川 庄一郎

  筑波大物工

• 小田 克郎

  東大生研

• 鈴木 茂

  東北大学多元物質科学研究所

• 打越 雅仁

  東北大多元研

• 鈴木 茂

  東北大多元研

• 石橋 章司

  産業技術総合研究所計算科学研究部門

• 大島 永康

  産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門

• 岡 壽崇

  千葉大院工

• 藤浪 真紀

  干葉大院工

• 大塚 崇

  筑波大学数理物質科学研究科

• 伊東 健一

  筑波大学数理物質科学研究科

• 宮崎 誠一

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 梅澤 直人

  物質材料研究機構(NIMS)

• 犬宮 誠治

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 神山 聡

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 赤坂 泰志

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 奈良 安雄

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 山田 啓作

  早稲田大学ナノテクノロジー研究所

• 秩父 重英

  筑波大院電子物理工&21COE

• 鈴木 智士

  筑波大院電子物理工&21COE

• 野坂 大樹

  筑波大院電子物理工&21COE

• 杉山 睦

  筑波大院電子物理工&21COE

• 尾沼 猛儀

  科技機構創造中村P

• 上殿 明良

  筑波大院電子物理工&21COE

• 後藤 正和

  筑波大学数理物質科学研究科

• 樋口 恵一

  筑波大学数理物質科学研究科

• 池内 恒平

  筑波大学数理物質科学研究科

• ABUDUL Hamid

  物質材料研究機構(NIMS)

• 山田 啓作

  物質材料研究機構(NIMS)

• 北島 洋

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 三橋 理一郎

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 堀内 淳

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 有門 経敏

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 蓮沼 隆

  筑波大学電子・物理工学専攻

• 山部 紀久夫

  筑波大学電子・物理工学専攻

• 市橋 鋭也

  NEC

• 三角 智久

  電総研

• 高須 誠一

  NEC機械

• 谷野 浩敏

  筑波大物質工

• 中野 明彦

  STARC

• 山本 秀和

  STARC

• 森下 憲雄

  原研高崎研

• 伊藤 久義

  原研高崎研

• 藤井 知

  住友電工ダイヤSAWデバイス開発室

• 鹿田 真一

  住友電工ダイヤSAWデバイス開発室

• 渡辺 匡人

  NEC基礎研究所

• 市橋 鋭也

  NEC基礎研究所

• 森 和照

  筑波大学物質工学系

• 中居 克彦

  新日本製鐡(株)先端技術研究所半導体基盤研究部

• 知京 豊裕

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• 柳下 明

  高エ研

• 柳下 明

  高エネルギー加速器研究機構物質構造科学研究所放射光科学研究施設

• 井上 尚也

  大阪府立大学工学部情報工学科

• 林 喜宏

  NECシステムデバイス研究所

• 堀内 淳

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 吉丸 正樹

  半導体理工学研究センター

• 池田 光男

  高エネルギー加速器研究機構

• 栗原 俊一

  高エ研

• 七尾 進

  東大生研

• 林 喜宏

  NECシリコンシステム研究所

• 赤坂 泰志

  東京エレクトロン株式会社

• 奈良 安雄

  (株)富士通研究所 Ulsi研究部門

• 野村 昌治

  高エネルギー物理学研究所

• 吉田 博行

  京大原子炉

• 設楽 哲夫

  高エネルギー加速器研究機構

• 設楽 哲夫

  高エ研

• 伊藤 久義

  原子力機構

• 鈴木 敬愛

  東大生研

• 鈴木 良一

  電子技術総合研究所

• 森下 憲雄

  原子力研究開発機構

• 大島 武

  原子力研究開発機構

• 杉山 睦

  筑波大院電子物理工&21coe:(現)東京理科大学理工学部電気電子情報工学科

• 野坂 大樹

  筑波大院電子物理工&21coe

• 鈴木 智士

  筑波大院電子物理工&21coe

• 廣瀬 幸範

  (株)ルネサステクノロジ

• 栗原 俊一

  高エネルギー加速器研究機構

• 榎本 収志

  高エネルギー加速器研究機構

• 大越 隆夫

  高エネルギー加速器研究機構

• 大澤 哲

  高エネルギー加速器研究機構

• 小川 雄二郎

  高エネルギー加速器研究機構

• 柿原 和久

  高エネルギー加速器研究機構

• 白川 明広

  高エネルギー加速器研究機構

• 中島 啓光

  高エネルギー加速器研究機構

• 古川 和郎

  高エネルギー加速器研究機構

• 本間 博幸

  高エネルギー加速器研究機構

• 佐波 俊哉

  高エネルギー加速器研究機構

• 塩谷 亘弘

  高エネルギー加速器研究機構

• 柳下 明

  高エネルギー加速器研究機構 物質構造科学研究所

• 林 喜宏

  半導体MIRAI-ASET

• 前川 和義

  (株)ルネサステクノロジ

• 本田 和仁

  (株)ルネサステクノロジ

• 廣瀬 幸範

  ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部

• 本田 和仁

  ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部

• 前川 和義

  ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部

• 宮崎 博史

  ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部

• 辻 幸一

  大阪市立大学大学院工学研究科化学生物系専攻

• 大島 永康

  産業技術総合研 計測フロンティア研究部門

• 三角 智久

  産総研

• 藤井 知

  筑波大物質工

• 氏平 祐輔

  東大工

• 辻 幸一

  アントワープ大学

• 伊藤 久義

  日本原子力研究所高崎研究所

• 伊藤 賢志

  産総研企画本部

• 伊藤 久義

  原研高崎

• 前川 和義

  ルネサス テクノロジ

• 蓮沼 隆

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 河野 孝央

  筑波大学アイソトープセンター

• 鹿田 真一

  住友電気工業(株)itコンポーネント事業部

• 柿原 和久

  高エネルギー物理学研究所

• 林 喜宏

  マイクロエレクトロニクス研究所

• 林 喜宏

  日本電気株式会社

• 北島 洋

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 有門 経敏

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 大澤 哲

  高エネルギー加速器研究機構加速器研究施設

• 設楽 哲夫

  物質構造科学研究所

• 榎本 収志

  KEK加速器

• 梅澤 直人

  南カリフォルニア大

• 綿打 敏司

  東京大学先端科学技術研究センター

• 藤井 知

  住友電気工業(株)ITコンポーネント事業部

• 佐波 俊哉

  高エネルギー加速器研究機構放射線科学センター

• 三橋 理一郎

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 鈴木 良一

  筑波大物工

• 中村 友二

  半導体理工学センター(starc)

• 犬宮 誠治

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 松岡 是治

  名城大理工

• 寺門 信悟

  筑波大物質

• 岩瀬 吉倫

  筑波大物質

• 野村 昌治

  高エネルギー加速器研究機構 放射光科学研究施設

• 依田 修

  原研高崎

• 井上 尚也

  半導体理工学センター(STARC)

• 林 喜宏

  半導体理工学センター(STARC)

• 江口 和弘

  半導体理工学センター(STARC)

• 廣瀬 幸範

  半導体理工学センター(STARC)

• 大島 永康

  産業総合技術研究所計測フロンティア研究部門

• 鈴木 良一

  産業総合技術研究所計測フロンティア研究部門

• 河野 孝央

  アイソトープセンター

• 大沢 哲

  高エネルギー加速器研究機構加速器研究施設

もっと見る 閉じる

著作論文

• 20aHT-7 陽電子プローブマイクロアナライザーによる延伸鉄試料の欠陥評価(20aHT 領域10 格子欠陥・ナノ構造(水素,ナノ粒子,金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 陽電子消滅による窒化物光半導体の点欠陥の評価(窒化物半導体結晶中の欠陥)
• 27aRE-7 陽電子プローブマイクロアナライザーを用いた高分子中の陽電子寿命測定(27aRE X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 23pVE-10 陽電子プローブマイクロアナライザーによる欠陥分布の観察(23pVE 格子欠陥・ナノ構造(光物性・微粒子・水素・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 低速陽電子ビームを用いたhigh-kゲート絶縁膜の空隙の評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 18aA07 AlGaN/GaN超格子挿入によるMOVPE成長立方晶GaN中の欠陥密度低減(立方晶GaN結晶成長を考える,ナノ・エピシンポジウム,第35回結晶成長国内会議)
• 低速陽電子ビームを用いた high-κ 膜の空隙評価
• 研究紹介 陽電子による先端半導体材料の評価
• HfAlOxゲート絶縁膜をもつMOSキャパシタの過渡的電気特性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 27pYC-9 低速陽電子によるSi基板の炭化により導入された空孔型欠陥の研究
• 25pYP-4 As^+イオン注入によりSi基板中に導入された反跳酸素と空孔型欠陥の検出
• 23pYH-9 陽電子消滅を用いたダイヤモンドの格子欠陥の荷電状態の分析
• SiC/Si界面のボイド欠陥発生の陽電子消滅法による観察 : エピタキシャル成長IV
• 低速陽電子によるP注入SiCの欠陥検出と焼鈍特性の研究 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成12年度)
• 陽電子寿命 - ドップラー拡がり相関測定によるポジトロニウムと分子の反応の解析
• 対向型陽電子消滅γ線ドップラー拡がり測定装置の製作
• イオン注入及び注入後熱処理した3C-SiC中の残留欠陥の研究 (特集:耐熱・耐放射線半導体素子材料技術)
• 陽電子消滅による高分子のガラス転移と緩和現象の検出
• 表面近傍での陽電子の基本的挙動とそれらを利用した材料評価
• 陽電子消滅による高分子材料の評価
• AlNエピタキシャル薄膜における励起子発光機構(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• III族窒化物半導体(Al,Ga)Nにおける発光特性と点欠陥の相関関係(窒化物半導体結晶中の欠陥)
• 26pYS-5 飛行時間法で測定した,固体表面からのポジトロニウム放出(X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 陽電子消滅によるSrTiO3およびBaTiO3の酸素欠陥の研究 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成14年度)
• 合金シードを用いるめっき銅薄膜のキャラクタリゼーション(機能性界面と分析化学)
• 陽電子ビーム1.低速陽電子ビームの発生
• 低速陽電子によるSiO_2膜の評価
• 自動温度可変消滅γ線ドップラー拡がり測定装置の製作と金属の熱平衡状態測定への応用
• AlNエピタキシャル薄膜における励起子発光機構(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlNエピタキシャル薄膜における励起子発光機構(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 3a-C-12 陽電子寿命-運動量相関測定による非晶質合金中の空孔型欠陥の研究
• 低速陽電子ビームを用いたCu/low-k配線構造中の欠陥検出(配線・実装技術と関連材料技術)
• 1a-SG-14 BGO64検出器陽電子消滅角相関装置の製作
• 1a-SG-13 陽電子消滅の温度・スペクトル2次元相関測定法の開発とAl合金中の熱平衡欠陥
• 陽電子消滅による電子線照射石英ガラスの欠陥の検出
• 27a-ZN-3 陽電子消滅によるSiの酸素と電子線照射により導入された欠陥の相互作用の研究
• 1p-M-7 Pb希薄合金の熱平衡陽電子消滅実験
• 1p-M-6 Al希薄合金の熱平衡陽電子消滅実験における高温域での異常
• 1p-M-5 低速陽電子法によるNiに注入したHeの深さ分布測定
• 1p-M-4 低速陽電子法によるInPの表面欠陥の検出
• 2a-KL-9 陽電子消滅法によるInP単結晶の評価
• ポジトロン消滅と材料の解析
• 27pTN-4 低速陽電子ビーム大気取り出し法の研究(27pTN X線・粒子線(陽電子・電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 21aJA-12 低速陽電子ビームを用いた大気中試料の空孔分析法の開発(21aJA X線・粒子線(電子線・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 陽電子消滅による高分子材料評価
• 24p-T-3 薄膜の欠陥評価への低速陽電子線の応用
• 表面・界面プローブとしての低速陽電子
• 単色陽電子線による半導体の表面・界面近傍の欠陥評価
• 3a-C4-6 MOS積層構造中の荷電粒子(陽電子)の挙動と界面欠陥
• 6a-A3-4 深さの関数としての陽電子消滅測定(II) : 金属中の注入希ガス原子
• 6a-A3-3 深さの関数としての陽電子消滅測定(I) : 半導体のイオン注入欠陥
• 単一エネルギ-低速陽電子を用いた表面解析装置
• 27a-Z-9 単色低速陽電子線を用いたSiのBイオン注入に伴う欠陥分布の測定
• 27A-Z-8 単色低速陽電子線を用いた金属中のHeイオン注入プロファイルの測定
• 30p-RC-6 低速陽電子による金属中の注入Heの集合、再放出過程の測定
• 5p-E-4 低速陽電子法によるSiO_2/Si界面の照射効果
• 3a-C-13 非晶質金属における陽電子捕獲効果の温度依存性
• 2a-RJ-8 低速陽電子による表面損傷の研究
• 11p-A-12 低速陽電子装置による表面、界面研究法の開発
• 24pCE-2 大気中湿度制御環境下における低速陽電子計測法の開発(24pCE X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 29aXZB-7 インダクションバンチャーを用いた高効率陽電子ビームパルス化システムの開発(29aXZB 領域10,ビーム物理領域合同 X線・粒子線(電子線・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 29aXZB-7 インダクションバンチャーを用いた高効率陽電子ビームパルス化システムの開発(29aXZB 領域10,ビーム物理領域合同 X線・粒子線(電子線・陽電子),ビーム物理領域)
• 28pAL-14 陽電子プローブ用静電加速システムの開発(28pAL X線・粒子線(電子線,陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク