上殿 明良 | 筑波大物質
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概要
関連著者
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上殿 明良
筑波大物質
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筑波大学電子物理工学系
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理研
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筑波大物質工系
著作論文
- 1a-SG-14 BGO64検出器陽電子消滅角相関装置の製作
- 1a-SG-13 陽電子消滅の温度・スペクトル2次元相関測定法の開発とAl合金中の熱平衡欠陥
- 1p-M-7 Pb希薄合金の熱平衡陽電子消滅実験
- 3a-C4-6 MOS積層構造中の荷電粒子(陽電子)の挙動と界面欠陥
- 6a-A3-4 深さの関数としての陽電子消滅測定(II) : 金属中の注入希ガス原子
- 6a-A3-3 深さの関数としての陽電子消滅測定(I) : 半導体のイオン注入欠陥
- 27a-Z-9 単色低速陽電子線を用いたSiのBイオン注入に伴う欠陥分布の測定
- 27A-Z-8 単色低速陽電子線を用いた金属中のHeイオン注入プロファイルの測定
- 30p-RC-6 低速陽電子による金属中の注入Heの集合、再放出過程の測定
- 5p-E-4 低速陽電子法によるSiO_2/Si界面の照射効果
- 2a-RJ-8 低速陽電子による表面損傷の研究
- 3p-D4-7 単色低速陽電子線を用いたSiのB、As、Pイオン注入に伴う欠陥深さ分布の測定(放射線物理)
- 30a-CD-11 タングステン表面からの熱ミュオニウムの生成(原子・分子,第41回年会)
- 28a-LG-11 低速陽電子による金属中の注入Heの集合,再放出過程でのHeプロファイルの変化の測定(格子欠陥)
- 31a-E1-6 Al希薄合金の陽電子消滅に及ぼす複空孔効果の精密再実験(31a E1 格子欠陥,格子欠陥)
- 31a-E1-2 低速陽電子ビームによる表面近傍の格子欠陥の検出(31a E1 格子欠陥,格子欠陥)
- 31a-T-3 単色陽電子線を用いた半導体のイオン注入に伴う欠陥分布とその欠陥種の決定(31aT 格子欠陥)
- 28a-TG-4 低速陽電子回折(LEPD)測定装置の試作(28aTG 表面・界面)