陽電子消滅による高分子材料の評価
スポンサーリンク
概要
著者
-
上殿 明良
筑波大数理
-
上殿 明良
筑波大学電子物理工学系
-
谷川 庄一郎
筑波大物理工
-
上殿 明良
筑波大学物理工学科
-
谷川 庄一郎
筑波大学物理工学科
-
谷川 庄一郎
筑波大物質工学
-
谷川 庄一郎
筑波大学物質工
関連論文
- 20aHT-7 陽電子プローブマイクロアナライザーによる延伸鉄試料の欠陥評価(20aHT 領域10 格子欠陥・ナノ構造(水素,ナノ粒子,金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 陽電子消滅による窒化物光半導体の点欠陥の評価(窒化物半導体結晶中の欠陥)
- 27aRE-7 陽電子プローブマイクロアナライザーを用いた高分子中の陽電子寿命測定(27aRE X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 23pVE-10 陽電子プローブマイクロアナライザーによる欠陥分布の観察(23pVE 格子欠陥・ナノ構造(光物性・微粒子・水素・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 低速陽電子ビームを用いたhigh-kゲート絶縁膜の空隙の評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 18aA07 AlGaN/GaN超格子挿入によるMOVPE成長立方晶GaN中の欠陥密度低減(立方晶GaN結晶成長を考える,ナノ・エピシンポジウム,第35回結晶成長国内会議)
- 低速陽電子ビームを用いた high-κ 膜の空隙評価
- 研究紹介 陽電子による先端半導体材料の評価
- HfAlOxゲート絶縁膜をもつMOSキャパシタの過渡的電気特性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 27pYC-9 低速陽電子によるSi基板の炭化により導入された空孔型欠陥の研究
- 25pYP-4 As^+イオン注入によりSi基板中に導入された反跳酸素と空孔型欠陥の検出
- 23pYH-9 陽電子消滅を用いたダイヤモンドの格子欠陥の荷電状態の分析
- SiC/Si界面のボイド欠陥発生の陽電子消滅法による観察 : エピタキシャル成長IV
- 低速陽電子によるP注入SiCの欠陥検出と焼鈍特性の研究 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成12年度)
- 陽電子寿命 - ドップラー拡がり相関測定によるポジトロニウムと分子の反応の解析
- 対向型陽電子消滅γ線ドップラー拡がり測定装置の製作
- イオン注入及び注入後熱処理した3C-SiC中の残留欠陥の研究 (特集:耐熱・耐放射線半導体素子材料技術)
- 陽電子消滅による高分子のガラス転移と緩和現象の検出
- 表面近傍での陽電子の基本的挙動とそれらを利用した材料評価
- 陽電子消滅による高分子材料の評価
- AlNエピタキシャル薄膜における励起子発光機構(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- III族窒化物半導体(Al,Ga)Nにおける発光特性と点欠陥の相関関係(窒化物半導体結晶中の欠陥)
- 27a-ZD-7 反射高速陽電子回折(RHEPD)装置の試作
- 28a-D-11 単色陽電子線による化合物半導体の格子欠陥の検出
- 28a-K-12 陽電子消滅法によるβ'-AgZnの3次元電子運動量分布の測定
- 28a-K-9 単色陽電子線によるW/Si界面反応の検出
- ZnSe単結晶内の点欠陥 : 評価I
- 27a-T-8 陽電子消滅によるCuの3次元運動量分布の測定
- 27a-T-7 陽電子消滅によるMgの3次元電子運動量分布の測定
- 27a-T-6 陽電子消滅によるV, Taの3次元電子運動量分布の測定
- 27a-T-5 単色陽電子線によるSi中の応力誘起酸素クラスターの検出
- 陽電子消滅によるAlの3次元電子運動量分布の測定
- 陽電子消滅によるCr,Wの3次元電子運動量分布の測定
- 陽電子消滅法によるCoのスピンに依存した電子運動量分布の測定
- 28a-K-12 陽電子消滅法によるβ'-AgZnの3次元電子運動量分布の測定
- ZnSe バルク単結晶の固相成長
- 28a-K-12 陽電子消滅法によるβ'-AgZnの3次元電子運動量分布の測定
- 26pYS-5 飛行時間法で測定した,固体表面からのポジトロニウム放出(X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 陽電子消滅によるSrTiO3およびBaTiO3の酸素欠陥の研究 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成14年度)
- 合金シードを用いるめっき銅薄膜のキャラクタリゼーション(機能性界面と分析化学)
- 陽電子ビーム1.低速陽電子ビームの発生
- 陽電子消滅の計測と得られる情報 1.二次元角相関
- 陽電子消滅法による材料評価および低速陽電子ビーム技術の将来の展望
- 低速陽電子によるSiO_2膜の評価
- 29a-P-2 n型GaAs:Si中の水素状不純物(muon)の荷電状態と拡散性
- 13a-D-1 GaAs中のミュオニウムの量子拡散 : ドナー不純物の影響
- 31p-D-9 低速陽電子消滅法によるSi中のイオン照射効果
- 陽電子スペクトル - 陽電子消滅誘起オージェ分光,陽電子イオン化質量分析
- 自動温度可変消滅γ線ドップラー拡がり測定装置の製作と金属の熱平衡状態測定への応用
- 陽電子分光学とその応用
- AlNエピタキシャル薄膜における励起子発光機構(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlNエピタキシャル薄膜における励起子発光機構(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 3a-C-12 陽電子寿命-運動量相関測定による非晶質合金中の空孔型欠陥の研究
- 低速陽電子ビームを用いたCu/low-k配線構造中の欠陥検出(配線・実装技術と関連材料技術)
- 1a-SG-14 BGO64検出器陽電子消滅角相関装置の製作
- 1a-SG-13 陽電子消滅の温度・スペクトル2次元相関測定法の開発とAl合金中の熱平衡欠陥
- 陽電子消滅による電子線照射石英ガラスの欠陥の検出
- 陽電子を用いた表面解析 (物理表面の物理分析技術)
- 陽電子消滅によるSi結晶中の空孔型欠陥および酸素の挙動の評価
- 陽電子消滅による点欠陥の評価(第4回)
- 陽電子消滅による点欠陥の評価(第3回)
- 陽電子消滅による点欠陥の評価(第5回)
- 2p-F-3 陽電子消滅による半導体中の3次元電子運動量分布と点欠陥の関係
- 27a-J-6 ジルコニウム・ハイドライド中の正ミューオンの挙動
- 28a-K-2 陽電子消滅によるPb希薄合金中のatomic exciton の存在の確認
- 28a-K-1 Al金属およびAl合金中における融点直下での陽電子消滅の異常
- 27a-ZN-3 陽電子消滅によるSiの酸素と電子線照射により導入された欠陥の相互作用の研究
- 27a-J-7 NaClの陽電子寿命・γ線エネルギーの相関
- 1p-M-7 Pb希薄合金の熱平衡陽電子消滅実験
- 1p-M-6 Al希薄合金の熱平衡陽電子消滅実験における高温域での異常
- 1p-M-5 低速陽電子法によるNiに注入したHeの深さ分布測定
- 1p-M-4 低速陽電子法によるInPの表面欠陥の検出
- 2a-KL-9 陽電子消滅法によるInP単結晶の評価
- 低速陽電子ビームを用いたCu/low-k配線構造中の欠陥検出
- 2a-Z-11 単色陽電子線によるGaAs中の点欠陥の検出
- ポジトロン消滅と材料の解析
- 27pTN-4 低速陽電子ビーム大気取り出し法の研究(27pTN X線・粒子線(陽電子・電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 21aJA-12 低速陽電子ビームを用いた大気中試料の空孔分析法の開発(21aJA X線・粒子線(電子線・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 陽電子消滅による高分子材料評価
- 24p-T-3 薄膜の欠陥評価への低速陽電子線の応用
- 表面・界面プローブとしての低速陽電子
- 単色陽電子線による半導体の表面・界面近傍の欠陥評価
- 3a-C4-6 MOS積層構造中の荷電粒子(陽電子)の挙動と界面欠陥
- 6a-A3-4 深さの関数としての陽電子消滅測定(II) : 金属中の注入希ガス原子
- 6a-A3-3 深さの関数としての陽電子消滅測定(I) : 半導体のイオン注入欠陥
- 単一エネルギ-低速陽電子を用いた表面解析装置
- 27a-Z-9 単色低速陽電子線を用いたSiのBイオン注入に伴う欠陥分布の測定
- 27A-Z-8 単色低速陽電子線を用いた金属中のHeイオン注入プロファイルの測定
- 30p-RC-6 低速陽電子による金属中の注入Heの集合、再放出過程の測定
- 5p-E-4 低速陽電子法によるSiO_2/Si界面の照射効果
- 3a-C-13 非晶質金属における陽電子捕獲効果の温度依存性
- 2a-RJ-8 低速陽電子による表面損傷の研究
- 11p-A-12 低速陽電子装置による表面、界面研究法の開発
- 2p-TA-1 陽電子顕微鏡の開発の現状
- 低速陽電子ファクトリ- (電子・陽電子--極微の世界のス-パ-スタ-)
- 科学技術最先端シリ-ズ-5-レプトン応用計測
- 24pCE-2 大気中湿度制御環境下における低速陽電子計測法の開発(24pCE X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 29aXZB-7 インダクションバンチャーを用いた高効率陽電子ビームパルス化システムの開発(29aXZB 領域10,ビーム物理領域合同 X線・粒子線(電子線・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 29aXZB-7 インダクションバンチャーを用いた高効率陽電子ビームパルス化システムの開発(29aXZB 領域10,ビーム物理領域合同 X線・粒子線(電子線・陽電子),ビーム物理領域)
- 28pAL-14 陽電子プローブ用静電加速システムの開発(28pAL X線・粒子線(電子線,陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))