28a-D-11 単色陽電子線による化合物半導体の格子欠陥の検出
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1991-09-12
著者
関連論文
- 25pYP-4 As^+イオン注入によりSi基板中に導入された反跳酸素と空孔型欠陥の検出
- 23pYH-9 陽電子消滅を用いたダイヤモンドの格子欠陥の荷電状態の分析
- SiC/Si界面のボイド欠陥発生の陽電子消滅法による観察 : エピタキシャル成長IV
- 低速陽電子によるP注入SiCの欠陥検出と焼鈍特性の研究 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成12年度)
- 陽電子寿命 - ドップラー拡がり相関測定によるポジトロニウムと分子の反応の解析
- 対向型陽電子消滅γ線ドップラー拡がり測定装置の製作
- 陽電子消滅による高分子のガラス転移と緩和現象の検出
- 表面近傍での陽電子の基本的挙動とそれらを利用した材料評価
- 陽電子消滅による高分子材料の評価
- 27a-ZD-7 反射高速陽電子回折(RHEPD)装置の試作
- 28a-D-11 単色陽電子線による化合物半導体の格子欠陥の検出
- 28a-K-12 陽電子消滅法によるβ'-AgZnの3次元電子運動量分布の測定
- 28a-K-9 単色陽電子線によるW/Si界面反応の検出
- ZnSe単結晶内の点欠陥 : 評価I
- 27a-T-8 陽電子消滅によるCuの3次元運動量分布の測定
- 27a-T-7 陽電子消滅によるMgの3次元電子運動量分布の測定
- 27a-T-6 陽電子消滅によるV, Taの3次元電子運動量分布の測定
- 27a-T-5 単色陽電子線によるSi中の応力誘起酸素クラスターの検出
- 陽電子消滅によるAlの3次元電子運動量分布の測定
- 陽電子消滅によるCr,Wの3次元電子運動量分布の測定
- 陽電子消滅法によるCoのスピンに依存した電子運動量分布の測定
- 28a-K-12 陽電子消滅法によるβ'-AgZnの3次元電子運動量分布の測定
- ZnSe バルク単結晶の固相成長
- 28a-K-12 陽電子消滅法によるβ'-AgZnの3次元電子運動量分布の測定
- 陽電子ビーム1.低速陽電子ビームの発生
- 陽電子消滅の計測と得られる情報 1.二次元角相関
- 陽電子消滅法による材料評価および低速陽電子ビーム技術の将来の展望
- 低速陽電子によるSiO_2膜の評価
- 29a-P-2 n型GaAs:Si中の水素状不純物(muon)の荷電状態と拡散性
- 13a-D-1 GaAs中のミュオニウムの量子拡散 : ドナー不純物の影響
- 31p-D-9 低速陽電子消滅法によるSi中のイオン照射効果
- 陽電子スペクトル - 陽電子消滅誘起オージェ分光,陽電子イオン化質量分析
- 自動温度可変消滅γ線ドップラー拡がり測定装置の製作と金属の熱平衡状態測定への応用
- 陽電子分光学とその応用
- 陽電子を用いた表面解析 (物理表面の物理分析技術)
- 陽電子消滅によるSi結晶中の空孔型欠陥および酸素の挙動の評価
- 陽電子消滅による点欠陥の評価(第4回)
- 陽電子消滅による点欠陥の評価(第3回)
- 陽電子消滅による点欠陥の評価(第5回)
- 2p-F-3 陽電子消滅による半導体中の3次元電子運動量分布と点欠陥の関係
- 27a-J-6 ジルコニウム・ハイドライド中の正ミューオンの挙動
- 31a-F-1 単色陽電子を用いたSiのイオン注入欠陥の検出
- 3a-C-12 加工したAl_2O_3, MgOの陽電子寿命・消滅γ線エネルギーの相関
- 27a-J-7 NaClの陽電子寿命・γ線エネルギーの相関
- 1p-M-6 Al希薄合金の熱平衡陽電子消滅実験における高温域での異常
- 1p-M-5 低速陽電子法によるNiに注入したHeの深さ分布測定
- 1p-M-4 低速陽電子法によるInPの表面欠陥の検出
- 2a-Z-11 単色陽電子線によるGaAs中の点欠陥の検出
- ポジトロン消滅と材料の解析
- 24p-T-3 薄膜の欠陥評価への低速陽電子線の応用
- 2p-TA-1 陽電子顕微鏡の開発の現状
- 低速陽電子ファクトリ- (電子・陽電子--極微の世界のス-パ-スタ-)
- 科学技術最先端シリ-ズ-5-レプトン応用計測