SiC/Si界面のボイド欠陥発生の陽電子消滅法による観察 : エピタキシャル成長IV

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概要

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• We observed generation of void-defects at SiC/Si interface by using a monoenergetic positron beam and the transmission electron microscope (TEM). Observation results showed that void defects were generated at SiC/Si interface due to the aggregation of vacancies. The vacancies introduced at the interface were attributed by the diffusion of Si atoms toward SiC layer.

• 日本結晶成長学会の論文
• 2000-07-01

著者

• 上殿 明良

  筑波大数理

• 上殿 明良

  筑波大学電子物理工学系

• 渡辺 匡人

  NEC

• 谷川 庄一郎

  筑波大物理工

• 渡辺 匡人

  NEC基礎研究所

• 市橋 鋭也

  NEC基礎研究所

• 上殿 明良

  筑波大学物理工学科

• 谷川 庄一郎

  筑波大学物理工学科

• 谷川 庄一郎

  筑波大物質工学

• 渡辺 匡人

  学習院大学理学部

• 市橋 鋭也

  Nec基礎・環境研究所

• 渡邉 匡人

  学習院大 理

• 谷川 庄一郎

  筑波大学物質工

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